本规范规定了CS10型硅N沟道结型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求，该种器件按GJB33-85《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。 SJ 20013-1992 半导体分立器件 ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级ＣＳ１０型硅Ｎ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范 SJ20013-1992 标准下载解压密码：www.bzxz.net
本规范规定了CS10型硅N沟道结型场效应晶体管（以下简称器件)的详细要求，该种器件按GJB33-85《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级（GP、GT和GCT级)。

GB 4586-1984 场效应晶体管测试方法
GB 7581-1987 半导体分立器件外形尺寸
GJB 33-1985 半导体分立器件总规范
GJB 128-1986 半导体分立器件试验方法

1范围
中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
GP、GT和GCT级
CS10型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail specificationforsiliconN-channeldeplitionmodefield-effecttransistoroftypeCs1oGP、GTandGCTclasses
1.1主题内容
SJ20013-92
本规范规定了CS1O型硅N沟道结型场效应晶体管（以下简称器件）的详细要求，该种器件按GJB33一85《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级（GP、GT和GCT级)。
中国电子工业总公司1992-02-01发布1992-05-01实施
1.2外形尺寸
SJ20013—92
外形尺寸应符合GB7581《半导体分立器件外形尺寸》中的A3-01B型及如下规定，见图1:
1.3最大额定值
TA=25℃
引出端极性：
中0.35x?
图1外形尺寸
注：1）T>25℃时，按0.66mW/℃的速率线性降额。符
单位：mm
A3-01B
Tam和T
—55~+175
1.4主要电特性（T^25℃）
符号(单位)
Ipsst(mA)
Vcs(at(V)
V.2(nV/ /Hz)
V.2)(nV//Hz)
lyal）(μs)
Cm(pF)
测试条件
Vps10v
Vps10v
Ip=μA
Vos=10v
f-10Hz
Vs=10V
f-1kHz
Vrs=10V
f=1kHz
Vns=10V
f-1MHz
Vps10v
f=1MHz
注：1）脉冲法（见4.5.1)。
2）A档，在Vs=0条件下测试。
2引用文件
GB4586—84
GB7581--87
SJ20013--92
其他型号
所有型号
所有型号
所有型号
所有型号
场效应晶体管测试方法
半导体分立器件外形尺寸
最小值
最大值
GJB33—85
GJB128--86
3要求
3.1详细要求
SJ20013-92
半导体分立器件总规范
半导体分立器件试验方法
各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2设计结构和外形尺寸
器件的设计结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2.1引出端材料和涂层
引出端材料应为柯伐。引出端表面涂层应为镀金、镀锡或浸锡。对引出端材料和涂层要求选择或另有要求时，在合同或订货单中应明确规定（见6）。3.3标志
器件的标志应按GJB33的规定。
4质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB33的规定。
4.3筛选（仅对GT和GCT级）
筛选应按GJB33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表1进行，超过规定极限值的器件不应接收。
GJB33表2
3.热冲击
6.高温反偏
7.中间测试
8.电老化
9.最后测试bZxz.net
4.3.1功率老化条件
测试或试验
GT和GCT级
低温应为一55℃，高温应为+175℃不要求
不要求
Ics1、Ipss和y
本规范表1的A2分组；
AIpss一初始值的土10%；
Vcs—20V:Vns=0;
;TA=150℃
4.4质量致性检验
质量一致性检验应按GJB33的规定进行。4.4.1A组检验
A/l一初始值的士20%
SJ20013—92
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2B组检验
B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。最后测试和变化量（A)要求应按本规范表4的步骤进行。
4.4.3C组检验
C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。最后测试和变化量（△）要求应按本规范表4的步骤进行。
4.5检验和试验方法
检验和试验方法应按本规范相应的表和下列规定。4.5.1脉冲测试
脉冲测试应按GJB128的3.3.2.1的规定。表1A组检验
检验或试验
A1分组
外观和机构检验
A2分组
栅-源击穿电压
栅-源截止电流
零栅压瀚极电流
栅-源截止电压
GJB128
GB4586
漏源短路
IGs-lμA
漏源短路
VGs--10V
栅源短路
Vps=10V
脉冲法（见4.5.1)
Vps=10V
Ips=luA
V(BR)GSS
Vescoft)
极限值
最小值最大值
检验或试验
A3分组
高温工作：
栅-源截止电流
A4分组
小信号共源短路
正向跨导
小信号共源短路
输入电容
小信号共源短路
反馈电容
等效输入噪声电压
A5和A6公组
不适用
A7分组
低温工作：
小信号共源短路
正向跨导
SJ20013-—92
续表1A组检验
GB4586
Tamb=125℃
漏源短路
VGs=-10V
Vps=10V
f-1kHz
脉冲法（见4.5.1）
Vps=10V
f=1MHz
Vpg10V
f-1MHz
Vps=10V
Ip=0.3mA\)
f-10Hz
Vps=10V
f=1kHz
Tamb--55℃
Vps-10V,
f=1kHz
脉冲法（见4.5.1）
极限值
最小值
最大值
80hV/VHz
30hV//Hz
检验或试验
GB4586
注：1）A档，在VGs=0条件下测试。检验或试验
B1分组
可焊性
标志的耐久性
B2分组
热冲击（温度循环）
a.细检漏
b.粗检漏
最后测试
B3分组
稳态工作寿命
（高温反偏）
最后测试
B4分组
开帽内部观检
(设计核实）
键合强度
SJ20013—92
表2B组检验
GJB128
试验条件C，但温度应为
TA---55℃
T+175℃
见表4，步骤1、3和4
TA=150℃
TGs—-20V
见表4,步骤2、3、4、5和6
试验条件A
每个器件所有的内部引线
分别进行拉力试验
极限值
最小值
最大值
每批1只器件，0失效
20(C=0)
检验或试验
B5分组
不适用
B6分组
高温寿命
（不工作）
最后测试
检验或试验
C1分组
外形尺寸
C2分组
热冲击（玻璃应力）
引出端强度
a.细检漏
b.粗检漏
综合温度/湿度
周期试验
外观及机械检验
最后测试
C3分组
变频振动
恒定加速度
最后测试
C4分组
（当需要进行时）
不适用
C5分组
SJ20013-92
续表2B组检验
GJB128
TA-175℃
见表4，步骤2和6。
表3C组检验
GJB128
见图1
试验条件A
试验条件E
见表4，步骤1、3和4
见表4，步骤1、3和4
检验或试验
C6分组
稳态工作寿命
(高温反偏）
最后测试：
栅源截止电流
栅源截止电流
零栅压漏极电流
小信号共源短路
正向跨导
SJ20013--92
续表3C组检验
GJB128
TA=150℃
VGs--20V
见表4，步骤2，3，4，5和6
表4B组和C组的最后测试
GB4586
漏源短路
Ves=-10V
涌源短路
VGs-—10V
栅源短路
Vps=10V
脉冲法（见4.5.1)
Vps=10V
f-1kHz
脉冲法（见4.5.1)
入—10
极限值
最小值
最大值
零栅压漏极电流
小信号共源短路
正向跨导
5交货准备
SJ20013—92
续表4B组和C组的最后测试
GB4586
栅源短路
Vrs=10V
脉冲法（见4.5.1）
Vps-10V
f=1kHz
脉冲法（见4.5.1)
包装要求应按GJB33的规定。
6说明事项
A/ytah
合同或订货单应规定要求的引出端材料和涂层（见3.2.1）。如使用单位需要时，典型特性曲线可在合同或订货单中规定。CS10与厂用型号3DJ4对照：
附加说明：
3DJ4G、H
本规范由中国电子工业总公司科技质量局提出。本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由中国电子技术标准化研究所负责起草。本规范主要起草人：王长福、吴志龙、张宗国、刘美英。计划项目代号：B91019。
最小值
最大值
初始值的士15%
初始值的士25%
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