首页 > 电子行业标准(SJ) > SJ 50033.16-1994 半导体分立器件 3DK307型功率开关晶体管详细规范
SJ 50033.16-1994

基本信息

标准号: SJ 50033.16-1994

中文名称:半导体分立器件 3DK307型功率开关晶体管详细规范

标准类别:电子行业标准(SJ)

标准状态:现行

出版语种:简体中文

下载格式:.rar .pdf

下载大小:140903

相关标签: 半导体 分立 器件 功率 开关 晶体管 详细 规范

标准分类号

关联标准

出版信息

相关单位信息

标准简介

SJ 50033.16-1994 半导体分立器件 3DK307型功率开关晶体管详细规范 SJ50033.16-1994 标准下载解压密码:www.bzxz.net

标准图片预览






标准内容

中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
3DK307型功率开关晶体管详细规范1范围
1.1主题内容
SJ 50033,16—94
规范规定了3DK307A~G型NPN硅功率开关晶休管的详细要求,每种器件均拉GJB33半导体分立器件总规范的现定,提供产晶保证的三个等级(GP、GT知GCT级)1.2外彩尺动
外形尺寸应接GB7581&半导体分立器件外形尺寸的B2—01C型及如下规定(见图1):代号
中华人民共和国电子工业部1994·09-30发布符号
R2-01C
1994-12-01实施
1.3最人额定值
3DK307A
3LK3C7B
3DK307C
3DK307D
3DK307E
3DK307F
3UK307G
Te -25 c
SJ 50033/16-94
注:1)Te>25C,按868mW!<的遇率线性地降额。1.4主要电特性(T=25C)
极限值
[Vee =10V
I = 2. 5A
棕7~15
31K307A~G红 15~25
橙25~40
黄 40--55
绿55~80
Vetraty
VuEiLei
I - 2. 5A
1s - 0. 5A
T, = 2.5A
In = 0. 7EA
1. -0. 54
—55~-175
Raij-e?
Vr =lcV
0. 1MHzVce = 25V
注:1)hFE≤40各档,其误差不错过一20%:1≥40各档,其误奈不超过±10%。2引用文件
GB4587双极型晶体管测试方法
GB7581半导休分立器件外形尺寸GR 33
半导体分立器件总规范
GJB128半导体分立器件试验方法3要求
3.1详细要求
各项要求应按GJB33积本规萨的规定,3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计,结构和外形尺寸应按GIB33和本规范的规意3.2.1引出线材料和涂层
1c =1. 34
TKAONKAca
SJ 50033/16-94
引出线材料应为可伐,引出线表面应为锡层或锦层。对引出线涂层有选择要求时,在合同或订货单中应子规定。
3.3标志
器件的标志应按GJB33的规定。
4质量保证规定
4.1袖样和检验
抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2鉴定检验
鉴定捡验应按GJB33的规定。
4.3筛遗(仅对GT和GCT级)
器件的筛选应按GJB33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表1的规定进行,超过本规范表1规定极限值的器件应卡剔除,筛
(见GJB33的2)
7.中间参数测试
8、功率老化bzxz.net
S.最危测试
4.3.1功率老化条件
动率老化条件如下:
T =162. 5-12. 5 C
Ve = 25V
Frot250w
4.4质量一致性检验
ror和rl
GT和 GCT级
按本规范表1的A2分:
Aco≤初始值的10G%或200pA,取较大者。2AFF:初始值的=20%
质量一致性检验应按JB33的规定进行。4.4.1A组检验
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2B组检验
R组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。4.4.3C组检验
C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。4.5检验方法
检验方法应按本规范相应的表和下列规定。4.5.1脉冲测试
脉冲测试应按GJB128的3.3.2.1的规定。3
SJ 50033/16—94
热阻测试应按GB4587的2.10和下列规定。a加功率时的1=:1.3A;
Ver —25V
基准温度测试点应为管壳:
d、基准点温度范围为25C≤Tc≤7C,实际温度应记录:安装应带散热装置;
fk-n的最大极限值应为1.5C/W。4.5.3C组寿命试验
C组寿命试验应按JB33和本境范的规定进行。4.5.4慎定加速度
恒定加速度试验应挺GJB33和本规范的规定进行表 1 A 组检验
GB4587
检验或试验
A1分组
外规及机械检验
A2分组
集电极一发射极
击穿电压
3DK3C7A
3DK3G7B
3DK307C
3DK307D
3DK307E
3DK307G
发射极一基板
击穿电压
集电授一基极
截止电流
集电极~发射极
截止电流
发射极基极
截止电流
集电极一发射极
佐和电压
GJB 128
本规范
附录 A
2. 9. 2. 2
发射极一基极开路
Ic=5mA
集电极一基极开路:
Ir—Em4
发射极--基极并路;
Ven Vmo
发射极一基极开路;
集电校·基极开路;
1e = 2. 5A
1s = 0. 5A
Yuea Fn
VARR ENO
TrKAONKAca-
检验或试验
基极一发射极
饱和电压
正向电流传瘤比
A3分组
高温作
柴电敏一基极
整止电流
低温工作
正间电流传输比
A4分组
输出电案
导通时间
贮存时间
下降时间
A5分组
安至工作区
(直流)
试验2
试验3
试验4
3DK307A
$3 50033/1694
续表1
GB4587
Ic = 2. 5A
Ia—0.5A
Ver Jov
Ie =2. 5A
TA =12515 0
发射极一基极开路
VcR 0. 7V
Tx =-55C
Vcz l0V
Ie =2. 5A
脉冲法(见4.5.1)
Vcn --10V
In —0.754
Te =2. 54
InL — 0. 5A
IH - --0. 75A
Ie = 2. 5A
Ie: = 0. 5A
IBg -: —0. 75A
T =25 c
t=1R,单次
Vek—20V
Ic 5. 0A
Ver =25V
Ic -+. 0A
Vea r6ov
f =3. F8A
Vee- 100V
fr-33A
LTPD:符号
极限值
捡或试验
DK307F
3DK307C
3DK307L
3DK307E
3DK307F
3DK307G
最后測试
检验或试验
B1分组
可恒库
标志耐久性
132分组
热冲击(温度循环)
a.纸检痛
6,粗检漏
最后须试
3分组
稳态T件寿命
最后测试
乃4分组
开内部目捡
(设计核实)
键合强度
136分组
高福寿的(不工作)
最烂源试
SJ 50033/16—94
G13 4587
Vee = 450V
I =27A
VuE 500V
Ie -23mA
Ve =550V
f-I9ruA
Ver - t00V
-17mA
Vs 700V
—13mA
YeR = 800V
Ic =IUmA
现步鞋1和3
表 2 B组检验
GJR 128
低温5E C
其余条件见减验条件 F
试验条件H
试验条件F
用表4步乐13
T, =132. 5=12. 5 (
Vee = 25V
见表4北骤2和
试验件A
TA-175C
比安豫和1
降批:个件,
0吴效
2:(:--0)
TKAONKAca-
检验或试险
Ci分组
外形尺寸
C2分望
热冲击
(玻瑙应力)
引出慌弱度
&、细睑
b,粗捡漏
综合湿度/源度周期
最后溯斌
C3分组
变频振动
恒定加速度
最后测试
C4分组
盐气(侵迪儿适月时)
C6分起
稳态工作寿命
最后测试
C8分组
GB458?
SJ 50033/16 -94
表3C组检验
GJB 128
见图!
试验条伴B
试验条件 A
试验涤件F
试验条件 F
贝表4步骤1和3
按总规范
按总规范
接总规芯
T,162.5±12.5C
e =icoc
VLe— 25V
见表4步骤2和4
Ya=25V
I:= 1. 3A
表 4 A 织、B 组和 C 组最后测试GB4587
集电板一整极载上电流
集电极·基极趣上电流
发射级基授开路
Ve--Veb?
发射极一基极开路
VeeVeri
正向电液传输比
正向电流专输比
5J 50033/16--94
续表4
GB4587
Vi:—IGV
Vee=10V
注:1)本测试超过A组极限值的器牛大应接收。5交货准备
5.1包装要求
包装要求应按GJB33的规定,
5.2贮存要求
存要求应按GJB33的规定。
5.3运翰要求
运输要求应按GJB33的规定。
6说明事项
6.1合同或订货单可规定要求的引出线析料知涂层(见3.2.1)。6.2如使用单位需要时,典型特性曲线等可在合同或订货单中规定6.3直流安全工作区(见图2)。
初始值的
rKAoNiKAca
3DK307
EDK30C
3DK3G7D
3DK307F
3DK307G
SJ 50C33/16-94
3050 80 100200400
集电极一发射磁电压Vrg(V)
图23DK3C7卓流安全L作区
A1目的
SJ50033/16—-94
附录A
集电极一发射极击穿电压测试方法(外充件)
本测试的目的是为了在规定的条件下,确定晶体管的击穿电压是否人于规定的最低极限A2测试电路
电压源
注:在避试电流时,电流表的接头之间实际上可看成短路,或对电压衰读数作因电流表压降的校正图A:集电极一发射极击穿电压测试电路A3测试步骤
限流电阻R:应足够大,以避免过渡的电流流过晶体管和电流表。施加规定的偏置紊件,增加电压直到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压大于V汇o的最低极限,晶体管为合格。本测试方法企图表现晶体管的负阻士穿特性,在这种情况下,必须使晶体管的集成电极电流及结温保持在安全值以内。
A4规定条
环境温度T:
b.测试温度I。
附加说明:
本规范由中国电子标准化研究所归口。本规范由衡阳市晶体管!负责起草。本规范主要起草人:夏贤学、欧阳决和计划项日代号:H90100、H90100210
rKAONiKAca
小提示:此标准内容仅展示完整标准里的部分截取内容,若需要完整标准请到上方自行免费下载完整标准文档。