SJ 50033.90-1995
基本信息
标准号： SJ 50033.90-1995
中文名称：半导体分立器件 3DK106型NPN硅小功率开关晶体管详细规范
标准类别：电子行业标准(SJ)
标准状态：现行
出版语种：简体中文
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相关标签： 半导体 分立 器件 功率 开关 晶体管 详细 规范
标准分类号
关联标准
出版信息
相关单位信息
标准简介
SJ 50033.90-1995 半导体分立器件 3DK106型NPN硅小功率开关晶体管详细规范
SJ50033.90-1995
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标准内容
中华人民共和国电子行业军用标准FL 5961
SJ50033/90-1995
半导体分立器件
3DK106型NPN硅小功率开关
晶体管详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail speeification for type 3DK106 NPN siliconlowe-powcr switching transistor1995-05-25发布
1995-12-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标淘半导体分立器件
3DK106型NPN硅小功率开关
晶体管详细规范
Semirondurlor discrete devicesDetail specificatian far type3DK106 NPN stlicanLowe-pawer switch ing Iransistur1范围
1.1主题内容
SJ50033/90-1995
本规范规定了3DK106型NPN硅小功率开关晶体普(以下简称器件)的详细要求。1.2适用范围
本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类
本规范根据器件质量保证等级进行分类。1.3.1器件的等级
按GJB33(半导体分立器件总规范>1.3条的规定，提供的质量保证等级为普军、特军和超特军三级,分别用字母 GP,GT和 GCT 表示。2引用文性
CB4587—84，双极型晶管测试方法GB 7581-87半导体分立器件外形尺寸半导体分立器件总规范
GIB33—85
GIB128—86
3要求
3.1详细要求
半导体分立器件试验方
各项要求应按 GIB 33 和卒规范的规定。3.2设计,结构和外形尺
器件的设计、结构和外形尺小应按GJB33 和本规范的规定。3.2.1引出端材料和涂层
引出端材料应为可伐。引出端表面涂层应为镇金、镀锡或浸锡。对引出端材料和涂层要中华人民共和国电子工业部1995-05-25发布1995-12-01实施
TKAoNiKAca-
SJ50033/90-1995
求选择或另有要求，在合同或订单中应明确观定（见6.3）。3.2.2器件结构
采用NPN硅外延平面型结梅。
3.2.3外形尺寸
外形尺寸按 GB 7581 的 A3-02B 型及如下的规定。见图 1,D
A3—02B
引出端极牲：
】.发射极
3.集电极
3.3最大额定值和主要电特性
3.3.1最大额定值
3DKUGA
3DK106R
TA=25r
ST53033/90-1995
图1外形尺寸
1,=25℃
注：1T>25C，按4.0mW/c的速率线性降额。2)T>25t，按17.1mW/的邀率线性降额。3.3.2主要电特性（T =25℃）
(单位)
(MHz）
避试务件
Vee-iV
Ic= 10mA
Vee\ IV
Ic=50mA
Vee - IV
Tc=500mA
Vce= iV
Ic=600mA
Ves=10V
fc=50m4
F=30MHE
Vcg=10V
A3--02B
全哪型
T和T,
-55 + 200
极限值
最小宣
最大值
rrKAoNiKAca-
Verat2\
（单位）
注：1)脉冲法（见4.5.E)。
3.4电测试要求
SJ 50033/90-1995
测试条件
Ic-S00mA
g=5GmA
Ic = 500mA
Ig, = I = 50mA
Ic500mA
In= 50mA
Ic500mA
In-50mA
电测试应符合GB4587及本规范的规定。3.5标志
器件的标志应按CJB33的规定。
4质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验应按GJB33和本现范的规定。4.2整定检验
鉴定检验应按GJB 33的规定。
4.3筛选(仅对GT和GCT级）
最小道
战大道
筛选应按GJ333表2和本舰范的规定。其测试应按本规范表1进行，超过本现范表1极限值的器件应予别除。
（见CJB33表2）
7.中间电参数测试
8.功率老化
9.疑病谢试
4.3.1功率老化茶件
功牵老化条件奶下：
TA=25±3C
Vce = 20V
Vcg = 30V
(3DK10GA)
(3DK1063)
Ican和pe
谢试戒试验
按本规范表1的A2分组
Aicwo初始佤的in%惑301LA,取较无者A Fa = ± 20 %
Ptat=700mW
SJ 50033/90-1995
注:不充许器件上加散热器或强追风冷。4.4质量一致性验验
质量一缴性检验应按 GJB 33 的规定进行。4.4.1 A组检验
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2 B组检验
B组检验应按GIB33和本规范表2的规定进行。最后测试和变化量（4）要求应按本规范表4的步进行
4.4.3 C组检验
C组检验应按GJB33利本规范表3的规定进行。最后测试和变化量（A要求应按本规范表4的步进行
4.5检验和试验方
检验和试验方法应按本规范相应的表和下列规定：4.5.1脉示测试
脉冲测试应按GIB 128的 3,3.2.1的规定。表 1A组检验
检验或试
Al分组
外观利机械检验
A2 分组
鼻电极-基极
击穿电压
3DK106A
发射极-基极
击穿电压
集电极-发射极
击莞电压
SDK106AbzxZ.net
集电极-发射赖
击穿电压
3DK106A
电极-基极
截止电流
3K106A
3nKI06B
发效-基敏
靓止流
GJB128
本就范
本规艳
既录A
GB4587
发射极-基凝开路;
le= 10μA
集电盈-基极开路
I= 10μrA
发射设-基极开路
Tc= 100mA
发射极-基极路；
Ic= 10mA
脉冲法(见 4.,5.1)
发射极-基极开路
VeB= 30V
Ve- 50V
集电极-基极开路
Ven =4V
LTHDI符
极限直
最小最人
Y:saco
VaROEN
:EKOCEOn
V(ER)CEOZ
-TrKAONKAa-
检验或试验
正底电流传验比
正底电统传输比
正底电流传输比
正防电流传输比
集电极-发射极
海和医降
焦电极-发射极
跑就压降
基极-发期嵌
饱动压陷
基极-发射极
饱和压陷
A3分组
高温工作：
发射极-裁极
截止电滩
3DKL06A
3DKLO6E
低温工作：
工向电流传输比
A4分组
特征题率
开路输出电容
施和示启时间
绝和关闭时河
AS,A6 A7
分组不适用
拉整或试验
B分组
可掉丝
标志的耐久性
B2分组
热冲击（温度缩环）
ST 50033/90-1995
续表1A组检验
GB4587
VcE=1V I- 10mA
VE-IVI,- SmA
Yq=1V Ic= S0UmA
Vc- IV Ic=600mA
Ic=30CmA I,= 30:nA
Ie=50mA Ia=5DmA
脉治法(见4.5.1)
Ie=30mA I,= 3[mA
Iα- 50mA I=50mA
脉冲法(见 4.5.1)
TA- +150t
VoR~30V
Van= s0V
TA= -sst
Yα:=1V fe=50mA
Vc=10V Te--50A
f=30MHz
Vc-10V I,-0
f- IMHz
Ie-500MA Iw-50mA
Te=500MA
J =Iμ= 50mA
表 2 B组检验
GJB128
LTPDi符
VeE a1
极眼值
检验或试验
2.细控据
b.粗检漏
最后试
B3分距
稳态工作寿命
最房凝试
T34 分组
开幅内部寸检
(设计验证)
辨合强度
B5 分组
不适用
B6分组
高温寿命(不工作)
最后溯试：
校验或试验
C1 分组
外形尺寸
C2 分组
热冲击(玻璃应力)
引带强度
a.纸检游
b.粗检漏
综合温度/混液
周期试验
外观及机械检验
最后測试：
C3分组
变频衰动
SJ 50033/90 --1995
续表2
GJE128
试验条件 H
试验染件C
见表 4,步骤 1,3 和 4
Vu - 20V Px=700mW
T-25±3℃
不允评器件加散热器或强追风冷见表 4, 步骤 2 和 5
百检标准按鉴定时的设计
TA-200℃
死表 4, 步骤 2 和 5
表3C组检验
GJB128
见图1
试险条件A
试验条牢E
试验条件H
试验条停C
见表 4 步骤 1、3 和 4
每掘··个器件.
0失效
20（C=0)
TTKAONKACa-
检验或试验
恒定如速度
最后测试：
C4 分组
盐气(适周时)
CS分组
不适用
6分组
稳态工作寿命
最后测试：
检验或试验
集电极-基极截止电流
3DK106A
3DK106B
集电极-基极截止电流
3DK106A
3DK10GB
集电极,发射极地和压降
正向电流传输比
正向电流传输比变化量
SJ 50033/901995
续表3
GJB128
死表 4 步骤 1、3 和 4
TA=25±3t
Vcs=20V
P=700mW
不分许器牛测散热器或强迫风冷见表4,步2和5
表 4 B组和 C组最后测试
GB45B7
发射极-基极并路
Yan-30V
Van=50V
2.1·发射极-基极开路：
:YcA= 30V
VeR-50V
Fe=500mA
Ig50mA
1e=500mA
I,.- SUUMA
注:1)对于本试验,超过 A组极限值的器件不应接收。5交货准备
5.1包装要求
包装要求应按 GJB 33的规定。
5.2存要求
贮存要求应按 GIB 33 的规定。5.3运输要求
运输要求应按 GJB 33的规定。
Yee at!
药始值的土25%
说明事项
6.1 预定用途
SJ50033/90-1995
符合本规范的器件供新设备设计使用和供现有的后勤保障用。6.2订货资料
合同或订货单应规定下列内容：本规范的名称和编号；
等级（见1.3.1)
数量：
器要时，其他要求。
6.3对引出端涂层有特殊要求时，应在合同或订货单中规定【见3.2.1]。如使用单位需要时，典型特性曲线等可在合河或订货单中规定。9
TTKAONTKAca-
附录A（标准的附录)
A1目的
集电极-发射极击穿电压测试方法本测试的目的是为了在规定的条件下确定品体管的击穿电压是否大于规定的最低极限值。
A2测试电路图
测试电路图见图A1
集电极一发射极击穿电压測试电路A3步骤
电阻器R1为限流电阻器，其纽值应足够大，以避免过度的电流流过晶体管和电流表。在发射极一基极乃路的条件下，增加电压直到达到规定的测试电流。，如果在规定的测试电流下所加的电压大于V(R)CEo的最低极限，则品体管为合格。附加说明：
本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本热范由中国电子技术标准化研究所和石家庄无线电二厂负责起草。本规范主要起草人：正长福、任继利、谢佩兰。计划项目代号:B21064。
YIKAONIKAca-
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SJ50033/90-1995
半导体分立器件
3DK106型NPN硅小功率开关
晶体管详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail speeification for type 3DK106 NPN siliconlowe-powcr switching transistor1995-05-25发布
1995-12-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标淘半导体分立器件
3DK106型NPN硅小功率开关
晶体管详细规范
Semirondurlor discrete devicesDetail specificatian far type3DK106 NPN stlicanLowe-pawer switch ing Iransistur1范围
1.1主题内容
SJ50033/90-1995
本规范规定了3DK106型NPN硅小功率开关晶体普(以下简称器件)的详细要求。1.2适用范围
本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类
本规范根据器件质量保证等级进行分类。1.3.1器件的等级
按GJB33(半导体分立器件总规范>1.3条的规定，提供的质量保证等级为普军、特军和超特军三级,分别用字母 GP,GT和 GCT 表示。2引用文性
CB4587—84，双极型晶管测试方法GB 7581-87半导体分立器件外形尺寸半导体分立器件总规范
GIB33—85
GIB128—86
3要求
3.1详细要求
半导体分立器件试验方
各项要求应按 GIB 33 和卒规范的规定。3.2设计,结构和外形尺
器件的设计、结构和外形尺小应按GJB33 和本规范的规定。3.2.1引出端材料和涂层
引出端材料应为可伐。引出端表面涂层应为镇金、镀锡或浸锡。对引出端材料和涂层要中华人民共和国电子工业部1995-05-25发布1995-12-01实施
TKAoNiKAca-
SJ50033/90-1995
求选择或另有要求，在合同或订单中应明确观定（见6.3）。3.2.2器件结构
采用NPN硅外延平面型结梅。
3.2.3外形尺寸
外形尺寸按 GB 7581 的 A3-02B 型及如下的规定。见图 1,D
A3—02B
引出端极牲：
】.发射极
3.集电极
3.3最大额定值和主要电特性
3.3.1最大额定值
3DKUGA
3DK106R
TA=25r
ST53033/90-1995
图1外形尺寸
1,=25℃
注：1T>25C，按4.0mW/c的速率线性降额。2)T>25t，按17.1mW/的邀率线性降额。3.3.2主要电特性（T =25℃）
(单位)
(MHz）
避试务件
Vee-iV
Ic= 10mA
Vee\ IV
Ic=50mA
Vee - IV
Tc=500mA
Vce= iV
Ic=600mA
Ves=10V
fc=50m4
F=30MHE
Vcg=10V
A3--02B
全哪型
T和T,
-55 + 200
极限值
最小宣
最大值
rrKAoNiKAca-
Verat2\
（单位）
注：1)脉冲法（见4.5.E)。
3.4电测试要求
SJ 50033/90-1995
测试条件
Ic-S00mA
g=5GmA
Ic = 500mA
Ig, = I = 50mA
Ic500mA
In= 50mA
Ic500mA
In-50mA
电测试应符合GB4587及本规范的规定。3.5标志
器件的标志应按CJB33的规定。
4质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验应按GJB33和本现范的规定。4.2整定检验
鉴定检验应按GJB 33的规定。
4.3筛选(仅对GT和GCT级）
最小道
战大道
筛选应按GJ333表2和本舰范的规定。其测试应按本规范表1进行，超过本现范表1极限值的器件应予别除。
（见CJB33表2）
7.中间电参数测试
8.功率老化
9.疑病谢试
4.3.1功率老化茶件
功牵老化条件奶下：
TA=25±3C
Vce = 20V
Vcg = 30V
(3DK10GA)
(3DK1063)
Ican和pe
谢试戒试验
按本规范表1的A2分组
Aicwo初始佤的in%惑301LA,取较无者A Fa = ± 20 %
Ptat=700mW
SJ 50033/90-1995
注:不充许器件上加散热器或强追风冷。4.4质量一致性验验
质量一缴性检验应按 GJB 33 的规定进行。4.4.1 A组检验
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2 B组检验
B组检验应按GIB33和本规范表2的规定进行。最后测试和变化量（4）要求应按本规范表4的步进行
4.4.3 C组检验
C组检验应按GJB33利本规范表3的规定进行。最后测试和变化量（A要求应按本规范表4的步进行
4.5检验和试验方
检验和试验方法应按本规范相应的表和下列规定：4.5.1脉示测试
脉冲测试应按GIB 128的 3,3.2.1的规定。表 1A组检验
检验或试
Al分组
外观利机械检验
A2 分组
鼻电极-基极
击穿电压
3DK106A
发射极-基极
击穿电压
集电极-发射极
击莞电压
SDK106AbzxZ.net
集电极-发射赖
击穿电压
3DK106A
电极-基极
截止电流
3K106A
3nKI06B
发效-基敏
靓止流
GJB128
本就范
本规艳
既录A
GB4587
发射极-基凝开路;
le= 10μA
集电盈-基极开路
I= 10μrA
发射设-基极开路
Tc= 100mA
发射极-基极路；
Ic= 10mA
脉冲法(见 4.,5.1)
发射极-基极开路
VeB= 30V
Ve- 50V
集电极-基极开路
Ven =4V
LTHDI符
极限直
最小最人
Y:saco
VaROEN
:EKOCEOn
V(ER)CEOZ
-TrKAONKAa-
检验或试验
正底电流传验比
正底电统传输比
正底电流传输比
正防电流传输比
集电极-发射极
海和医降
焦电极-发射极
跑就压降
基极-发期嵌
饱动压陷
基极-发射极
饱和压陷
A3分组
高温工作：
发射极-裁极
截止电滩
3DKL06A
3DKLO6E
低温工作：
工向电流传输比
A4分组
特征题率
开路输出电容
施和示启时间
绝和关闭时河
AS,A6 A7
分组不适用
拉整或试验
B分组
可掉丝
标志的耐久性
B2分组
热冲击（温度缩环）
ST 50033/90-1995
续表1A组检验
GB4587
VcE=1V I- 10mA
VE-IVI,- SmA
Yq=1V Ic= S0UmA
Vc- IV Ic=600mA
Ic=30CmA I,= 30:nA
Ie=50mA Ia=5DmA
脉治法(见4.5.1)
Ie=30mA I,= 3[mA
Iα- 50mA I=50mA
脉冲法(见 4.5.1)
TA- +150t
VoR~30V
Van= s0V
TA= -sst
Yα:=1V fe=50mA
Vc=10V Te--50A
f=30MHz
Vc-10V I,-0
f- IMHz
Ie-500MA Iw-50mA
Te=500MA
J =Iμ= 50mA
表 2 B组检验
GJB128
LTPDi符
VeE a1
极眼值
检验或试验
2.细控据
b.粗检漏
最后试
B3分距
稳态工作寿命
最房凝试
T34 分组
开幅内部寸检
(设计验证)
辨合强度
B5 分组
不适用
B6分组
高温寿命(不工作)
最后溯试：
校验或试验
C1 分组
外形尺寸
C2 分组
热冲击(玻璃应力)
引带强度
a.纸检游
b.粗检漏
综合温度/混液
周期试验
外观及机械检验
最后測试：
C3分组
变频衰动
SJ 50033/90 --1995
续表2
GJE128
试验条件 H
试验染件C
见表 4,步骤 1,3 和 4
Vu - 20V Px=700mW
T-25±3℃
不允评器件加散热器或强追风冷见表 4, 步骤 2 和 5
百检标准按鉴定时的设计
TA-200℃
死表 4, 步骤 2 和 5
表3C组检验
GJB128
见图1
试险条件A
试验条牢E
试验条件H
试验条停C
见表 4 步骤 1、3 和 4
每掘··个器件.
0失效
20（C=0)
TTKAONKACa-
检验或试验
恒定如速度
最后测试：
C4 分组
盐气(适周时)
CS分组
不适用
6分组
稳态工作寿命
最后测试：
检验或试验
集电极-基极截止电流
3DK106A
3DK106B
集电极-基极截止电流
3DK106A
3DK10GB
集电极,发射极地和压降
正向电流传输比
正向电流传输比变化量
SJ 50033/901995
续表3
GJB128
死表 4 步骤 1、3 和 4
TA=25±3t
Vcs=20V
P=700mW
不分许器牛测散热器或强迫风冷见表4,步2和5
表 4 B组和 C组最后测试
GB45B7
发射极-基极并路
Yan-30V
Van=50V
2.1·发射极-基极开路：
:YcA= 30V
VeR-50V
Fe=500mA
Ig50mA
1e=500mA
I,.- SUUMA
注:1)对于本试验,超过 A组极限值的器件不应接收。5交货准备
5.1包装要求
包装要求应按 GJB 33的规定。
5.2存要求
贮存要求应按 GIB 33 的规定。5.3运输要求
运输要求应按 GJB 33的规定。
Yee at!
药始值的土25%
说明事项
6.1 预定用途
SJ50033/90-1995
符合本规范的器件供新设备设计使用和供现有的后勤保障用。6.2订货资料
合同或订货单应规定下列内容：本规范的名称和编号；
等级（见1.3.1)
数量：
器要时，其他要求。
6.3对引出端涂层有特殊要求时，应在合同或订货单中规定【见3.2.1]。如使用单位需要时，典型特性曲线等可在合河或订货单中规定。9
TTKAONTKAca-
附录A（标准的附录)
A1目的
集电极-发射极击穿电压测试方法本测试的目的是为了在规定的条件下确定品体管的击穿电压是否大于规定的最低极限值。
A2测试电路图
测试电路图见图A1
集电极一发射极击穿电压測试电路A3步骤
电阻器R1为限流电阻器，其纽值应足够大，以避免过度的电流流过晶体管和电流表。在发射极一基极乃路的条件下，增加电压直到达到规定的测试电流。，如果在规定的测试电流下所加的电压大于V(R)CEo的最低极限，则品体管为合格。附加说明：
本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本热范由中国电子技术标准化研究所和石家庄无线电二厂负责起草。本规范主要起草人：正长福、任继利、谢佩兰。计划项目代号:B21064。
YIKAONIKAca-
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