SJ 50033.96-1995 半导体分立器件3DG216型NPN硅小功率差分对晶体管详细规范 SJ50033.96-1995 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
SJ50033/96-95
半导体分立器件
3DG216型NPN硅小功率差分
对晶体管详细规范
SemiconductordiscretedevicesDetail specification for type 3DG216 NPN siliconlow-power difference matched-pair transistor1996-06-14发布
1996-10-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
3DG216型NPN硅小功率差分对晶体管详细规范SemiconductordiscretedevicesDetailspecificationfortype3DG216NPNsiliconLow-power difference matched-pair transistor1范围
1.1主题内容
SJ50033/96-95
本规范规定了3DG216型NPN硅小功率差分对晶体管（以下简称器件）的详细要求。1.2适用范围
本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类
本规范根据器件质量保证等级进行分类。1.3.1器件的等级
按GJB33《半导体分立器件总规范>第1.3的规定，提供的产品保证等级为普军、特军和超特军三级，分别用字母GP、GT和GCT表示。2引用文件
GB4587—84双极型晶体管测试方法GB7581-87半导体分立器件外形尺寸GIB3385
半导体分立器件总规范
半导体分立器件试验方法
GJB 128—86
3要求
3.1详细要求
各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2.1引出端材料和涂层
引出端材料为可伐。引出端表面涂层应为镀金，镀锡或浸锡。对引端材料和涂层要求选择或另有要求时，在合同或订单中应明确规定（见6.4)3.2.2器件结构
中华人民共和国电子工业部1996-06-14发布1996-10-01实施
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器件采用NPN硅外延平面双极型结构。3.2.3外形尺寸
外形尺寸按GB7581的A6—02A型及如下规定。见图1。90
外形图
3.3最大额定值和主要电特性
3.3.1最大额定值
Ptot!)
3DG216
TA=25℃
100×2
注：1)T>25℃时，按0.57mW/℃的速率降额。3.3.2主要电特性（TA=25℃）
最小值
A6—02A
典型值
引出端极性
1一发射极1
2—基极1
3、集电极1
最大值
7、发射极2
6、基极2
5、集电极2
T,和T
-55~175
符号(单位)
hfetn)
VcEamt
ft(MHz)
Ca(PF)
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测试条件
Vce=10V,Ic=3mA
Ic=10mA,I=1mA
Ic=3mA,Vce=10V
f=30MHz
Vce=10V,Ic=3mA
VcB=10V,f=1MHz
注：1)较大的数为分母。
3.4标志
器件的标志应按GJB33的规定。
质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB33的规定。
4.3筛选（仅对GT和GCT级）
所有型号
所有型号
所有型号
3DG216B
3DG216A
所有型号
最小值
最大值
筛选应按GJB33和本规范的规定。其测试应按本规范表1进行，超过本规范表1极限值的器件应予剔除。
7中间电参数
8功率老化
最后测试
4.4质量一致性检验
测试或检验
ICRO,hE(IhFE//hFE
Ta=25±3c,Vcs=10V,P=100m×2
按本规范表1的A2分组
AIcro=初始值的100%或SnA,取其较大者△he=±20%
质量一致性检验应按GJB33的规定进行。4.4.1A组检验
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2B组检验
B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。最后测试和变化量（）要求按本规范表4的步骤进行。
4.4.3C组检验
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C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。最后测试和变化量（4)要求按本规范表4的步骤进行。
4.5检验和试验方法
4.5.1脉冲测试
脉冲测试应按GJB128的3.3.2.1条的规定进行。4.5.2基极一发射极电压测试
将两个单管的发射极连接在一起，对每个单管采用规定的试验条件并符合GB4587的2.4方法。在两个单管之间直接测得基极－发射极的电压差/VBE1—VBE2l。4.5.3基极一发射极电压差随温度变化的测试按本规范4.5.2条规定的方法，在两个规定的温度下测试基极一发射极电压差的数值，并按如下公式计算：
IA(VBEI-VBE2)ATA/=I(VBEI-VBE2)TAr-(VBEI-VBE2)TA2l表1A组检验
检验或试验
A1分组
外观和机械检验
A2分组
集电极一基极击穿电压
发射极一基极击穿电压
集电极一发射极击穿电压
集电极一基极截止电流
集电极一发射极截止电流
发射极一基极截止电流
正向电流传输比
集电极一发射极饱和电压
GJB128
本规范附录
GB4587
发射极一基极开路
Ic=10μA
集电极一基极开路
Ig=10μA
发射极一基极开路
Ie=10μA
发射极一基极开路
Vc=10V
发射极一基极开路
Vce=10V
集电极-基极开路
基极一发射极饱和电压
正向电流传输比
(增益比)
3DG216B
3DG216A
基极一发射极电压
（非饱和）绝对差值
基极一发射极电压
(非饱和)随温度变化的
绝对差值
Vc=10VIe=3mA
Ic=10mAI,=ImA
Ic=10mAIg=1mA
Vce=10VIe=3mA
VcE=5V
Vce=5V
Ie=1mA
TA=25C和-55℃
（见4.5.3）
V(HR)CHO
V(BR)EHO
V(BR)CEO
VeEt at)
VaE mt)
hFEx/hpE2
IVEl-Ve2l
ATAI(I)
极限值
最小最大
检验或试验
基极一发射极电压（非
饱和)随温度变化的绝
对差值
A3分组
高温工作
集电极一基极截止电流
低温工作
正向电流传输比
A4分组
开路输出电容
特征频率
A5、A6和A7分组
不适用
检验或试验
B1分组
可焊性
标志的耐久性
B2 分组
热冲击（温度循环）
a.细检漏
b.粗检漏
最后测试：
B3分组
稳态工作寿命
最后测试
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续表1
GB4587
VcE=SV
Ie=1mA
TA=25C和125℃
（见4.5.3)
TA=150℃
发射极一基极开路
VoB=10V
TA--55C
Vee=10VIc=3mA
VcB=10V f=1MHz
Vee=10V
Ic=3mA
f=3MHz
表2B组检验
GJB128
B4分组
开帽内部目检（设计验证）
键合强度
B5分组
不适用
B6分组
高温寿命（不工作）
最后测试
受试引出端数：6
试验条件F-1
试验条件H
试验条件C
见表4步骤1、3和4
TA=25C.Vc=10V
P=100mW×2
1A(VBm.VBE2)
ATAI(2)
cho(2)
hFer2)
不允许器件加散热器或强迫风
冷见表4步骤2、3、5、6和7
目检标准按鉴定时的设计
试验条件A
TA=175
见表4步骤2、3、5、6和7
极限值
每批一个器件，0失效
20(C=0)
C1分组
检验或试验
外形尺寸
C2分组
热冲击（豉璃应力）
引出端强度
a.细检漏
b.粗检漏
综合温度/湿度周期试验
外观及机械检验
最后测试
C3分组
变频振动
恒定加速度
最后测试：
C4分组
盐气（适用时）
C5分组
不适用
C6分组
稳态工作寿命
最后测试：
检验或试验
集电极一基极截止电流
集电极一基极截止电流
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表3C组检验
GJB128
见图1
试验条件A
试验条件E
试验条件H
试验条件C
见表4,步骤1、3和4
见表4,步骤1、3和4
TA=25±3Vcs=10V
Pr=100mW×2
不充许器件加散热器或强迫风冷见表4.步骤2、3、5、6和7
表4B组和C组最后测试
GB4587
基极一发射极电压（非饱和）
绝对差值
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(增益比)
3DG216B
3DG216A
5正向电流传输比
发射极一基极开路
VcE=10V
发射极一基极开路
Vcn=10V
VcE=5V,Ic=10mA
（见4.5.2)
Vce = 10V, Ic= 3mA
VcE=10V.Ic=3mA
Icaxn)
I VBEI VBE2!
hFE1/hFE2
hFE1/hFF2
入=10
极限值
检验或试验
(增益比）
3DG216B
3DG216A
基极一发射极电压
（非饱和)随温度变化的绝对
基极一发射极电压
（非饱和）随温度变化的绝对
5交货准备
5.1包装要求
SJ50033/96-95
续表4
GB4587
包装要求应按GJB33的规定。
5.2贮存要求
贮存要求应按GJB33的规定。
5.3运输要求
运输要求应按GJB33的规定。
6说明事项
Vce-5V.Ic=1mA
T=25℃和-55℃
Vce=5V,Ic=1mA
TA=25C和125℃
[△(VBEI - VBE2)
[A(VBEI-VBE2)
ATAl(2)
6.1预定用途
符合本规范的器件供新设备设计使用和供现有的后勤保障用。6.2订货资料
合同或订单应规定下列内容：
本规范的名称和编号；
数量：
d，需要时，其他要求。
极限值
最小最大
6.3定义
6.3.1hFEi/hpE2：稳态正向电流增益比，每个管芯的稳态正向电流传输比配对率。单位·
6.3.2|VBe1-VBE2）I各管芯之间基极一发射极电压差的绝对值。6.3.3IA(VBE1-VBE2)△TAI:两个不同温度下各管芯之间基极一发射极电压差之间代数差的绝对值。
6.4对引出端涂层有特殊要求时，应在合同或订货单中规定（见3.2.1)。如使用单位需要时，典型特性曲线等可在合同或订货单中规定。7
A1目的
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附录A
集电极一发射极击穿电压测试方法（补充件）
本测试的目的是为了在规定的条件下确定晶体管的击穿电压是否大于规定的最低极限值。
测试电路
测试电路见图A1。
图A1集电极一发射极击穿电压测试电路A3步骤
电阻器R1为限流电阻，应足够大，以避免过度的电流流过晶体管的电流表。在发射极一基极开路的条件下，增加电压直到达到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压大于V(BR)CEo的最低极限值，则晶体管为合格。附加说明
本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由国营第九七○厂起草。本规范主要起草人：黄世杰、李长运。计划项目代号：B31006。
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