SJ 50033.112-1996
基本信息
标准号:
SJ 50033.112-1996
中文名称:半导体光电子器件GD3251Y型光电二极管详细规范
标准类别:电子行业标准(SJ)
标准状态:现行
出版语种:简体中文
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相关标签:
半导体
电子器件
光电
二极管
详细
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标准简介
SJ 50033.112-1996 半导体光电子器件GD3251Y型光电二极管详细规范
SJ50033.112-1996
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标准内容
中华人民共和国电子行业军用标准FL5980
SJ50033/112—96
半导体光电子器件
GD3251Y型光电二极管
详细规范
Scmiconductor optoelectronic dcvicesDetail specificationfortype
GD3251Yphotodiodes
1996-08-30发布
1997-01-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体光电子器件
GD3251Y型光电二极管详细规范
Semiconductor optoelectronic devicesDetail specification for
typcGD3251Yphotodiodes
1范围
1.1主题内容
SJ50033/112-96
本规范规定了GD3251Y型光电二极管(以下简称器件)的详细要求。1.2适用范围
本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类
1.3.1器件等级
本规范所提供的器件保证等级按GJB33(半导体分立器件总规范》的规定,从低到高分为普军级(GP)和特军级(GT)两级。2引用文件
GB11499-89
GJB33-85
GJB128-86
GJB597-88
SJ2354-83
半导体分立器件文字符号
半导体分立器件总规范
半导体分立器件试验方法
微电路总规范
PIN、雪崩光电二极管测试方法
SJ/Z9014.2-87半导体器件分立器件和集成电路第5部分光电子器件3要求
3.1详细要求
各条要求应符合GIB33和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应符合GIB33和本规范的规定,芯片结构为PIN,也可按合同的要求提供不同于图1规定的外形尺寸(见6.2条)。中华人民共和国电子工业部1996-08-30发布1397-01-01实施
3.2.1器件芯片材料
芯片材料为硅。
3.2.2引出端排列
3.2.3封装形式
SJ50033/112—96
图1外形尺寸
全密封金属管壳平面玻璃窗口。3.2.4引线长度
最小值最大值
尺寸符号
可按合同的要求(见6.2条)提供引线长度不同于图1规定的器件。3.3引线材料及涂层
引线材料为可伐合金,引线涂层应镀金。也可按合同要求(见6.2条)选择涂层。3.4最大额定值和主要光电特性
3.4.1最大额定值
-45~85
-55~100
SJ50033/112-96
注:1)最长焊接时间不超过5s,至管壳的最短距离5mm。3.4.2主要光电特性(T,mb=25℃)特
暗电流
高温下的暗电流
灵敏度
峰值响应波长
光谱响应波长范圈
噪声等效功率
上升时间www.bzxz.net
下降时间
总电容
反向击穿电压
光元直径
3.5标志
Vr=15V
E。=0.Vr=15V,Tamb=85c
E.=5μW/mm2V-15V
入=0.90μm
E=5μW/mm2
E.=5uW/mm2
VR=15V
VR=15V
最短和最长波长下的灵敏度至少应为峰值响应波长灵敏度的1/10NEP
E.=5μW/mm2
VR=15V
入=0.90μmf=1kHz
Af=IHz
E.ImW/mm2
入=0.90μm
Ri=500
VR=15V
VR=15V,F=IMHz
IR=100μA
器件的标志符合GJB33的规定。
4质量保证规定
抽样和检验
抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。极限值
4×10-13
6(标称值)
μA/μW
W·Hz-1/2
4.1.1表2A1分组进行检验和试验的器件可以用于A2分组的检验和试验,A2分组进行检验和试验的器件可以用于A3、A4和A7分组的检验和试验;通过A组各分组检验和试验的器件,可以作为检验和试验抽样的母体,鉴定试验总样品量(指通过A组检验批的数量)至少应等于抽样数的1.5倍,抽样表可以采用GJB597中的小数量抽样表。4.1.2表3B1分组、B4分组的检验和试验可以采用光电特性不符合3.4.2条要求的器件。4.1.3按表4C1分组进行检验的器件可以用于表4C2分组的检验和试验。4.2筛选(仅对GT级)
GT级器件应按GJB33和本规范表1中规定的步骤和条件进行百分之百的筛选试验,并按GJB33的有关规定处理。
4.3鉴定检验
SJ50033/112—96
鉴定检验应符合GJB33和本规范表2、表3和表4的规定。4.4质量一致性检验
质量一致性检验应包括A组、B组和C组中规定的检验和试验。4.5检验和试验方法
检验和试验方法应按表2、表3、表4和表5的规定进行。4.6检验数据
如果合同中已作规定(见6.2条),制造厂应将质量一致性检验数据连同产品一起提供。表1筛选的步骤和条件(仅对GT级)检验和试验
1.内部目检
(封帽前)
2. 高温寿命
(不工作)
3.热冲击
(温度循环)
4.恒定加速度
a.细检漏
b.粗检漏
6.中间光电参数测试
暗电流
灵敏度
7.电老化
8.最后测试
暗电流变化量
灵敏度变化量
9.外观及机械检验
GJB128,2074
GJB128,1032
GJB128.1051
GJB128,2006
GJB128,1071
GJB128,1038
试验条件B
△IRD)SJ2354.3
GJB128.2071
Ta=100t=72h
除最高温度100℃,循环次
数10次外,其余按试验条
不工作,加速度98000m/s
Y,方向
试验条件H,器件最大漏泄
率为50mpa.cm*/s
试验条件C,氟油温度
100℃
E=0,VR=15V
E,-5μw/1mm.V=15V
入=0.90um
T.b=85℃
VR=20V,t=96h
E.=0.VR=15V
E.=5μW/mmV=15V
入=0.90um
打标志之后进行
1IVD或
以大者
μA/μW
0.IIVDμA/μW
外观无缺陷,涂
层无锈蚀
检验和试验
A1分组
外观和机械检验
A2分组
暗电流
灵敏度
反向击穿电压
A3分组
高温试验
暗电流
低温试验
(不适用)
A4分组
蜂值响应波长
光谱响应波长范
总电容
A7分组
噪声等效功率
上升时间
下降时间
检验和试验
BI分组
可焊性
GJB128,
SJ50033/112--96
表2A组检验
除非另有规定
Tamb=25℃
VR-15V,E.=0
入=0.90μm,Vg=15V
E.=5μW/mm2
IR=100μA
Tamb=85c
VR=15V,E.-0
E=5μW/mm2
Vr=15V
Ee=5μW/mm2
Vr=15V,最短和最长
波长下的灵敏度
至少应为峰值响
应波长的1/10
VR=15V,f=1MHz
X=0.90gm,V=15V
E=5μW/mm2
f=1kHz,f=1Hz
VR=15V
入=0.90μm
E.=1mW/mm2
表 3B组检验
GJB128
T=238~260t.t=5s
极限值
D1,D2,A应
符合图1要求,
外观无缺陷,涂
层无锈蚀
μA/μW
W·Hz-1/2
4·10-13
抽样数(合格判定数)
或LTPD
检验和试验
标志的耐久性
B2分组
热冲击
(温度循环)
密封试验
a.细检漏
b.粗检漏
最后测试
B3分组
稳态工作寿命
最后测试
B4分组
开帽内部观检
(设计检验)
健合强度
B5分组
(不适用)
B6分组
高温寿命
(不工作)
最后测试
检验和试验
CI分组
外形尺寸
C2分组
热冲击(玻璃应力)
引出端强度
a.细检漏
b.粗检漏
综合温度/湿度周期试验
外观及机械检验
SJ50033/112-96
续表3
GJB128
除最高温度100℃,循环次数10次外,其余按试验条件A
试验条件H,最大漏泄率为50mpa.cm*/s试验条件C氟油温度100℃
见本规范表5步骤1和2
Tamb=85℃.Ve=20V.t=340h
见本规范表5步骤3和4。
目检标准按鉴定时的设计。
试验条件A,最低键合强度20mN
T=100℃,t=340h
见本规范表5步骤3和4。
表4C组检验
GJB128
见本规范图1
试验条件A
试验条件E
试验条件H,最大漏泄率为50mpa.cm?/s试验条件C,氟油温度100℃
抽样数(合格判定数)
或LTPD
省略初始条件,除循环次数6次,辅用循环应在头4次循环中的任意2次循环进行外,其余按规定,外观无缺陷,涂层无锈蚀
检验和试验
电后测试
C3分组
变频振动
恒定加速度
C4分组
(不要求)
C5分组
低气压
不要求)
C6分组
稳态工作寿命
最后测试
检验和试验
暗电流
灵敏度
暗电流\
灵敏度1)
SI50033/112-96
续表4
GJB128
见本规范表5步骤1和2
不工作,加速度:4900m/s,0.5mg,X1、Y1方向各冲击5次不工作,加速度:196m/s2,X1、Y1方向各4次,1=32minf:100~2000Hz
不工作,加速度:98000m/s2.Y1方向Tmb=85C,V=20V,t=1000h
见本规范表5.步骤3和4
B组和C组试验后光电特性测试
Ee=0,VR=15V
入=0.90μm,E=5μW/mm
VR=15V
E.-0.Vr=15V
入=0.90μm,E.=5μW/mm2
Va=15V
注:1)对本试验超过A组极限值的器件不能向用户提供。5
交货准备
包装、贮存和运输要求应符合GJB33的规定。6说明事项
6.1预定用途
主要用于光电靶探测系统,也可用于其它光电探测和光电转换系统。6.2订货文件内容
μA/gW
μA/μW
合同或订单中应注明下列内容
本规范名称和编号;
器件型号和等级;
数量:
SJ50033/112—96
如果外形尺寸不同于图1,应规定引线长度(见3.2条):如果引线不同于图1,应规定引线长度(见3.2.4条);如果引线不是镀金,应规定涂层(见3.3条);检验数据(见4.6条);
h.其它。
6.3术语、符号和定义
本规范使用的术语和符号应符合GB11499、SJ/Z9014.2和本规范的下列规定。6.3.1符号
单个器件的初始值;
b.d。光敏元直径。
附加说明:
本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由电子工业部第四十四研究所负责起草。本规范主要起草人:王雨苏、唐诗才。计划项目代号:B41030。
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