SJ 50033.114-1996 半导体光电子器件 GD3283Y型位敏探测器详细规范 SJ50033.114-1996 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国电子行业军用标准FL5980
SJ50033/114—96
半导体光电子器件
GD3283Y型位敏探测器
详细规范
Semiconductor optoelectronic devicesDetail specification for type GD3283Yposition sensitive detector
1996-08-30发布
1997-01-01实施
中华人民共和国电子工业部
3批准
中华人民共和国电子行业军用标准半导体光电子器件
GD3283Y型位敏探测器详细规范
Semiconductor optoelectronic devicesDetail specification for type GD3283Yposition sensitive detector
1.1主题内容
本规范规定了GD3283Y型位敏探测器（以下简称器件）的详细要求。1.2适用范围
本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类
1.3.1器件等级
SJ50033/114—96
本规范所提供的器件保证等级按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，从低到高分为普军级(GP)和特军级(GT)两级。2引用文件
GB11499—89
GJB33-85
GJB128-—86
GJB597-88
SJ2354—83
半导体分立器件文字符号
半导体分立器件总规范
半导体分立器件试验方法
微电路总规范
PIN雪崩光电二极管测试方法
分立器件和集成电路第5部分：光电子器件SJ/Z9014.2—87半导体器件2
3要求
3.1详细要求
各条要求应符合GJB33和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计和外形尺寸应符合GJB33和本规范的规定，结构应采用二维平面在分割成Xi、X2、Y、Y,对称四电极为直角坐标的PIN结构。也可按合同要求提供不同于图1的外形尺寸（见6.2条）。
中华人民共和国电子工业部1996-08-30发布1997-01-01实施
3.2.1器件芯片材料
器件芯片材料为硅。
3.2.2引出端排列
3.2.3封装形式
共用电极
全密封金属管壳平面玻璃窗口。3.2.4引线长度
SJ50033/114-96
图1外形尺寸
最小值最大值
尺寸符号
可按合同的规定（见6.2条）提供引线长度不同于图1规定的器件。3.3引线材料及涂层
引线材料为可伐合金，引线涂层应镀金。也可按合同要求（见6.2条）选择涂层。3.4最大额定值和主要光电待性
3.4.1最大额定值
-55~100
注：1)最长焊接时间不超过53，至管壳的最短距离5mm。2主要光电特性（Tamb=25）
暗电流
高温下的暗电流
灵敏度
峰值响应波长
光谱响应波长范围圈
噪声等效功率
上升时间
下降时间
总电容
反向击穿电压
位置清晰度
位置非线性度
灵敏度非均勾性
光敏元面积
3.5标志
SJ50033/114—96
测试条件
VR=10V.Ec=0
VR=10V,Ee=0.Tmb=85
入=0.90μm，Vr=10V
Ee=5μW/mm2
Vr=-10V,Ee=5uW/mm
V,=10V,Ee=5μW/mm2
最短和最长波长下的灵敏度至
少应为峰值响应波长灵敏度的
入=0.90μm，VR=10V
Ee=5μW/mmf=1KHz
Af=1Hz
入=0.90μm,V=10V
Ee=1mW/mm2
VR=10V,F=1MHz
IR=100μA
=0.90μm，V,=10V,
Ee=Sμw/mm2
=0.90μmVR=10V
E。=5μW/mm2，从光敏元
中心到边缘距离的25%
入=0.90μm，Vr=10V,
Ee=5μW/mm2
器件的标志应符合GJB33的规定。4质量保证规定
抽样和检验
极限值
1×10-12
10×10（标称值）
μA/mW
Hz-1/2
抽样和检验应符合GJB33和本规范的规定。4.1.1表2A1分组进行检验的器件可以用于A2分组的检验和试验，A2分组进行检验和试验的器件可以用于A1、A4和A7分组的检验和试验，通过A组各分组检验和试验的器件，可以作为检验和试验抽样的器体，鉴定试验总样品量（指通过A组检验批的数量）至少应等于抽3
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样数量的1.5倍，抽样表采用GJB597中的小数量抽样表。4.1.2表3B1分组、B4分组的检验和试验可以采用光电特性不符合3.1.2条要求的器件。4.1.3表4C1分组进行检验的器件可以用于表4C2分组的检验和试验。4.2筛选（仅对GT级）
GT级器件应按GJB33和本规范表1中规定的步骤和条件进行百分之百的筛选试验，并按GJB33的有关规定处理。
4.3鉴定检验
鉴定检验应符合GJB33和本规范表2、表3和表4的规定。4.4质量一致性检验
质量一致性检验应包括A组、B组和C组中规定的检验和试验。4.5检验和试验方法
检验和试验方法应按表2、表3、表4和表5的规定进行。4.6检验数据
如果合同中已作规定（见6.2条），那么制造厂应将质量一致性检验数据连同产品一起提表1
筛选的步骤和条件（仅对GT级）检验和试验
1.内部目检
(封帽前）
2.高温贮存
3.热冲击
（温度循环）
4.恒定加速度
细检漏免费标准下载网bzxz
粗检漏
6.中间光电参数测试
暗电流
灵敏度
GJB128
GJB128，
GJB128，
GJB128，
T=100℃
除最高温度100℃，循环次数
10次外，其余按试验条件A
不工作.加速度：
49000m/g，Y1方向
试验条件H，最大漏泄率为
50mPa*cm/s
试验条件C.氟油温度100℃
Ee=0,Vr=10V
Ee=5μW/mm2,V,=10V
入=0.90μm
μA/μW
检验和试验
7.电老化
8.最后测试
暗电流变化革
灵敏度变化量
9.外观及机械检验
检验和试验
Al分组
外观和机械
A2分组
暗电流
灵敏度
反向击穿电压
A3分组
高温试验
暗电流
A4分组
峰值响应波长
光谱响应波长
总电容
AIR(D)
SJ50033/114-96
续表1
GJB128
GJB128，
Tamb=85C,Vr=16V
Ee=0.V-10V
Ee=5W/mm2,Vr=10V
入=0.90μm
打标志之后进行
表2A组检验
GJB128
除非另有规定
Tamh=25
1IVD或
以大者
外观无缺陷，
涂层无锈蚀
极限值
D.D2.A应
符合图1要求
外观无缺陷
涂层无锈蚀
E,=0,V,=10V
入=0.90μmV=10V
Ee=5μW/mm2
IR=100μA
Tmb=85℃
Ee=0V,=10V
Ee=5μW/mm2
VR=10V
Ee=5μW/mm2
VR=15V.最短和最长波
长下的灵敏度至少应为
峰值响应波长的1.10
VR=10V,f=1MHz
μAμw
μA/μW
检验和试验
A7分组
等效噪声功率
上升时间
下降时间
灵敏度非均匀性
位置清晰度
位置非线性度
检验和试验
BI分组
可焊性
标志的耐久性
B2分组
热冲击（温度循环）
密封试验
a.细检漏
b.粗检漏
最后测试
B3分组
稳态工作寿命
最后测试
B4分组
开帽内部观检
(设计验证）
键合强度
B5分组
热阻（不适用）
B6分组
高温寿命（不工作）
最后测试
附录A,A1
附录A,A2
SJ50033/114-96
续表2
除非另有规定
Tamb=25℃
入=0.90μm，V=10V
Ee=5μW/mm2
f=1kHz,Af=1Hz
入=0.90um,Vr=15V
Ec=1mW/mm,R,=500
入=0.90μmV=10V
Ee=5μW/mm
=0.90μm,V,=10V
Ee=5μW/mm2
入=0.90μmVr=10V
Ee=5uW/mm2，从光敏元
中心到边缘距离的25%
表3B组检验
GJB128
T=230~260Ct=5s
位LTPD
1×10-12WHz/2
除最高温度100℃，循环次数10次外，其余按试验条件A
试验条件H.最大漏泄率为50mPa*cm/s试验条件C.氟油温度100℃
见本规范表5步骤1和2
Tamb=85C.Vr=16Vt=340h
见本规范表5步骤3和4
目检标准按鉴定时的设计
试验条件A.最低键合强度20mN
Tag=100C.t=340h
见本规范表5步骤3和4
抽样数
(合格判定数）
或LTPD
C1分组
外形尺寸
C2分组
热冲击(玻璃应力）
引出端强度
a.细检漏
b.粗检漏
综合温度/湿度
周期试验
外观及机械检验
最后测试
C3分组
变频振动
恒定加速度
最后测试
C4分组
盐气(不要求)
C5分组
低气压（不要求）
C6分组
稳态工作寿命
最后测试
检验和试验
暗电流
灵敏度
暗电流！
灵敏度1)
SJ50033/114-96
表4C组检验
GJB128
见本规范图1
试验条件A
试验条件E
试验条件H，最大漏泄率为50mPa*cm/s试验条件C.氟油温度100℃
省略初始条件，除循环次数6次，辅用循环应在头4次循环中的任意2次循环进行外，其余按规定外观无缺陷，涂层无锈蚀
见本规范表5步骤1和2
不工作，加速度：4900m/s，1.0ms，X1.Y2方向各冲击5次
工作，加速度：196m/sX1、Y1方向各4次，t=32min,f:100~2000Hz
不工作，加速度：49000m/s，Y1方向见本规范表5步骤1和2
Tmb=85℃,Vg=16V,1=1000h
见本规范表5步骤3和4
表5B组和C组试验后光电特性测试方
Ee=0,Vg=10V
Ee=5μW/mm2V=10V
入=0.90μm
Ec=0V=10V
Ee=5μW/mm2V,=10V
入=0.90μm
μA/μW
μA/μW
SJ50033/114-96
注：1)对本试验超过A组极限值的器件，不能向用户提供。5交货准备
包装、贮存和运输要求应符合GJB33的规定。6说明事项
6.1主要用途
主要用于火控系统中，测定目标位置或飞弹运行轨迹。也可用于目标跟踪、制导、定位及导航等。
6.2订货文件内容
合同或订单中应注明下列内容：本规范的名称和编号：
器件型号和等级；
数量；
如果外形尺寸不同于图1，应规定外形尺寸（见3.2条）；如果引线长度不同于图1，应规定引线长度（见3.2.4条）；如果引线不是镀金，应规定涂层（见3.3条）；检验数据（见4.6条）；
其它。
6.3术语、符号和定义
本规范使用的术语、符号和定义应符合GB11499、SJ/Z9014.2和本规范下列规定。6.3.1符号
单个器件的初始值；
位置清晰度；
Tro——位置非线性度；
d．。灵敏度非均匀性；
6.3.2定义
光敏面积。
a，位置清晰度positionresolution在规定的波长和辐照度下，标测器在光敏区内可探测光点的最小位移量；
b。位置非线性度nonliearityofposition在规定的波长和辐照度下，光点从光敏区的中心向边缘位移时，探测器输出的光电流对应的位移量与实际位移量呈非线性变化的程度；c.灵敏度非均匀性uniformityofrensitivity在规定的波长和辐照度下，光敏区内任一点的光敏度(S,)与光敏区中心灵敏度(So)相对变化率的百分比,即Vn=LI(S,-So)S。l。8
A1位置清晰度的测试
SJ50033/114—96
附录A
位敏探测器有关参数测试方法
(补充件）
A1.1目的
在规定的条件下，测试位敏探测器光敏区内，可探测光点的最小位移量。A1.2测试原理图
偏置电源
被测器件PSD
微动台
位置清晰度测试原理图
读出系统
A1.3测试步骤
a。光点对准被测器件光敏面的中心，使X，和X2的输出相等，即读出系统输出为零；调节微动台，当读出系统发生最小变化时微动台所移动的距离即为位置清晰度。b.
A1.4注意事项
测试前，应对读出系统和微动台的精度进行精确的校准；位移应平行于两个电极方向移动；b.
测试应在暗室中进行；
仪器接地良好。
A1.5规定条件
波长；
辐照度；
偏置电压。
位置非线性度的测试
A2.1目的
在规定的条件下，测试位敏探测器输出光电流对应的位移量与实际位移量呈非线性变化的程度。
A2.2测试原理图
同图A1
A2.3测试步骤
SI50033/114-96
光点对准被测器件光敏面的中心，使X，和X2的输出相等，即读出系统输出为零；a.
调节微动台，记于每次位移量和相应的光电流输出；根据每次相应光电流输出用下列公式算出位移量。S12-1
2(7+ 12
式中：A位移量；
S—X轴（或)Y轴两电极间的距离；I—X（或Y)电极输出电流；
I2———X2（或Y2)电极输出电流位置非线性度用下式算出：
式中：lpo
位置非线性度；
A—实际位移量
A2.4注意事项
a.位移应平行于两个电极方向移动；b，测试应在暗室中进行。
A2.5规定条件
a.波长；
辐照度：
偏置电压；
从光敏面中心到边缘的距离。
附加说明：
本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由电子工业部第四十四研究所负责起草。本规范主要起草人：王雨苏、唐诗才。计划项目代号：B44010。
+（2)
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