SJ 50033.118-1997 半导体分立器件 2EK31型砷化钾开关二极管详细规范 SJ50033.118-1997 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
SJ 50033/118-97
半导体分立器件
2EK31型砷化缘开关二极管
详细规范
Semiconductor discrete devicesDetail specification for type 2EK31GaAs switching diode
1997-06-17发布
1997-10-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
2EK31型碑化开关二极管
详细规范
Semicanductor discrete devicesDetail specification for type 2EK31GaAs switching diode
1范围
1.1主题内容
SJ50033/118-97
本规范规定了2EK31型砷化开关二级管（以下简称器件）的详细要求。1.2适用范围
本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类
本规范根据器件质量保证等级进行分类。1.3.1器件的等级
按GJB33--85(半导体分立器件总规范>的规定，提供的质量保证等级为普军级(GP)、特军级(GT)和超特军级(GCT)三级。2 引用文件
GB657086微波二级管测试方法
GB6571一86小功率信号二级管,稳压及基准电压二极管测试方法GJB33—85半导体分立器件总规范GIB128—86半导体分立器件试验方法3要求
3.1详细要求
各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按 GJB 33和本规范的规定。3.2.1引线材料和涂层
引线材料为可伐，引线涂层为镀金。中华人民共和国电子工业部1997-06-17发布1997-10-01实施
HKAONTKAca-
SJ 50033/118—97
3.2.2器件结构
钟化镓外延材料，平面肖特基势垒结构，陶瓷扇平微带空腔封装。3.2.3外形尺寸
器件的外形尺寸应按本规范的规定(见图1)。D
3.3最大额定值和主要电特性
3.3.1最大额定值
3.3.2主要电特性（T4=25℃）
图1外形图
-50~125
单位：mm
- 55 -- 150
Ip=100mA
3.4电测试要求
IR10μA
SJ50033/118—97
f-1MHz
电测试应按GB6570、GB6571及本规范的规定进行。3.5标志
f=1MHz
IF=20mA
根据器件的特点，省略GJB33中有关器件上的标志，极性标志按图1识别，器件包装盒上的标志应按 GIB 33 的规定。
4质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验应按GIB33和本规范表1、表2、表3和表4的规定。4.3筛选（仅对GT级和GCT级）
筛选的步骤和条件按照GJB33和本规范的规定，其测试应按本规范表1的规定进行，超过表2的极限值的器件应子剔除。筛
见(GJB 33 表 2)
2高温寿命
3热冲击
(温度循环）
恒定加速度
5密封
a.细检漏
b.粗检漏
7中间测试
8电老炼
9最后溉试
4.4质量一致性检验
试验方法
GJB128
150t24h
除最低温度-55℃，循环20次外，其余同试验条件 F
Y1方向，196000m/s
a.试验条件H,最大漏率：5×10-3Pa.cm//s试验条件 C
Iz=100mA 1=96h
TA=25℃
14Ve/ Vr/≤5%
其它参数按本规范表1的 A2、A4分组质量一致性检验应按GJB33和本规范的规定。4.4.1A组检验
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2B组检验
B 组检验应按 GJB33和本规范表2的规定进行。3
TKAONKAa-
4.4.3C组检验
SJ50033/118—97
C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。4.5检验和试验方法
检验和试验方法按本规范相应衰的规定。表1A组检验
检验或试验
A1分组
外观及机械
A2 分组下载标准就来标准下载网
正向电压
击穿电压
A3分组
(商温）
击穿电压
(低温）
正向电压
A4分组
结电容
总电容
反向恢复
检验或试验
B1分组
可焊性
分组
热冲击
(蕴度循环）
准.细检漏
GJB128
GB 6571
GB6570
GB6570
GB6571
GB 6571
Je=100mA
I=10μA
Tp=125t
I≤10μA
TA= -55C
Ig=100mA
Vr-0, f- 1MHz
V=0, f=1MHz
Ip=20mA
表2B组检验
GJB128
极限值
外观无缺损引线
无明显锈蚀
除最低温度-55℃,r极限值≥10min外,其余同试验条件F-1
a.试验条件H
最大漏卒：5×10-3Pa.cm/s
b.试验条件 C。
检验或试验
最后测试：
B3分组
稳态工作
最后测斌：
B6 分组
高温寿命
(非工作状态）
最后測试：
检验或试验
Cl分组
外形尺寸
C2分差
热冲击
（骏璃应力）
引出端强度
a.细检漏
综合温度/湿度
周期试验
外规及机械检验
最后测试：
C3 分组
变频振动
恒定加速度
最后测试：
C6 分组
稳态工作寿命
最后測试：
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续表2
GJB128
表4步骤1、3
Ir=100mA,
t=340h,
表4步骤2、4
T=150℃,t= 340l
表4步骏2、4
表 3C组检验
GJB128
按本规范图！
试验条件A
TA=25C
试验条件E所加重物为0.833N
a.试验条件 H。
最大漏率;5×0-3Pa。cm/9
b.试验条件c
省略初始条件
外观无缺损，引线无明显锈蚀
表4步骤1.3
不工作，按14700m/3,0。5ins
在X1、YI、Z1方向上各冲击5次
Y1方向，196000im/s,1min
表4步骤1、3
Ta=25℃
I=100mA,1=10005,
装4步骤2.4
TKAONKAa-
正向电压
正向电压
击穿电压
击穿电压
5交货准备
5.1包装要求
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表 4 B组和 C组的测试
GB 6571
GB6571
GB6570
GB6570
包装要求应按GJB 33的规定。
5.2贮存要求
贮存要求应按 GJB 33 的规定。5.3运输要求
运输要求应按 GJB 33的规定。
6说明事项
6.1预定用途
Ig=100mA
fe100LA
用于400MHz专项示波器中，也可用于其它设备的开关电路中。6.2订货资料
合同或订货单中应规定下列内容：a，本规范的名称和编号；
b.产品保证等级(见1.3.1条);
c.数量；
迁。需要时，其它要求。
极限值
6.3如果引线不是镀金，应规定镀层；如果引线长度不同于图1，应规定引线长度；如果使用单位需娶时，典型特性曲线等可在合间或订货单中规定。附加说明：
本规范由中国电子技术标滩化研究所归口。本规范由长养半导体广负责起草。本规范主要起草人：陈兰、朱云来。计划项目代号：B51038。
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