SJ 50033.124-1997 半导体分立器件 PIN101～105型硅PIN大功率二极管详细规范 SJ50033.124-1997 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
SJ50033/124—97
半导体分立器件PIN101～105型
硅PIN大功率二极管详细规范
Semiconduclor discrete deviceDetail specification for siliconpower PIN diodes for type PIN101~ 1051997-06-17发布
1997-10-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件PIN101105型
硅PIN大功率二极管详细规范
Semicunductor discrele deviceDetail speciricntion fnr silicanpower PIN diodes ror tye PIN101 1051范围
1.1主题内容
SJ 50033/124-97
本规范规定TPIN101～10S型硅PIV大功率二极管(以下简称器件)的详细要求。1.2适用范围
本规范适用于器件的研制、生产利采购。1.3分类
本规范根据器件质量保证等级进行分类。1.3.1器件的等级
按GJB33-85(半导体分立器件总规范>第1.3条的规定，提供的质量保证等级为普军级、特军级、超特军级，分别用字母GP、GT、GCT表示。2引用文件
GB6570—86微波二极管测试方法GJB33—85半导体分立器件总规范GJB128--86半导体分立器件试验方法GJB1557-92半导体分立器件：微波二极筐外形尺寸3要求
3.1详细要求
各项要求应按GJB33和本规的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2.1引出端材料和涂层
引出端材料为可伐。引出端而层应为镀金层。3.2.2器件结构
中华人民共和国电子工业部1997-06-17发布1997-10-01实施
TTTKAONTKAca-
离阻单晶双扩散台面PIN结构。
3.2.3外形尺寸
SJ50033/124-97
外形尺寸应符合 GJB1557中W14-02的要求，见图1。@0.4
3.3最大额定值和主要电特性
3.3.1最大额定值
PIN101
PIN102
PIN103
PINI04
PIN10S
W14- 02
图1外形尺寸
55~125
主要电特性（T,=25℃）
PINIOI
PINI021400
PIN103
PIN104
PIN105!1000
最大值
3.4电测试要求
F=10kHz
Ip= 100mA
SJ50033/12497
f IMHz
最小　
Jr=100mA
电测试应符合GB6570及本规范的规定。3.5标志
3.5.1标志应符合GJB33和本规范的规定。在器件瓷管中部打印下列标志
a.器件型号；
b，产品保证等极；
检验批识别代码。
质量保证规定
4.1抽梯和检验按GJB33的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验接 GJB 33 的规定。
4.3筛选（仅对GT和GCT级）
最大值
Ir=10mA
In=100mA
最大值
Ip=500mA
f=1MHa
脉宽10msbzxZ.net
典型值
典型值典型位
筛选应按 GJB 33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1的规定进行，超过本规范表1极限值的器件应予剔除。
（见GIB33表2）
2高温寿命
3热沪击
4恒定加速度
5密封
6高温反偏
7中间测试
8电老化
9最后测试
试验方法
GJB128
175℃24h
除离温150℃、循环20次外，其会尚试验条作C196000m/g(20000g)xy两个方它各1mima.细检混试验条件H谢率5×10-2Pa*cm/sb.粗检漏试验条件 C
15048h额定值VpM的80%
J= 50Hz IrM= 50m/
VrM= 80 % VeER)
[r//≤15%
其他参数:按本规范表 1 的 A2 和 A4 分组3
TTKAONKAa-
4.4质量一致性检验
SJ50033/124-97
质量一致性检验应按 GIB 33 的规定。4.4.1 A 组检验
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2B组检验
B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。4.4.3C组检验
C纽检验应按GIB33和本规范表3的规定进行。4.5检验和试验方法
检验利试滁方法应按本规范相应表的规定。4.5.1对外观及机检验，制造厂应以文件方式对检验项目、所需设备，尖效标准期以规定。表 1 A组检验
检验或试验
AI分组
外观及机械检验
A2分绿
总电容
反向击穿电压
PINi02
PINI03
PINL04
PiN105
正向微分电租
正向玉
A3 分组
反向市穿电店
（高温下）
PINIOI
FINI02
PINI03
PINI04
PINIUs
正向电压
（低竭下）
A4分经
反向快复时间
GJB128
GB6570
条作现4.5.1
V=100V
f--1MHz
1g=100mA
f=10kHz
Ig=100mA
Ta=125℃
I≤100LA
TA= -55C
1g=100mA
Ip=10mA
IR=10OrnA
极限宣
最小值敢大值
检验或试验
BI 分组
标志的励久性
B2 分组
热冲击（度循环）
最后测试
B3 分组
稳态工作寿命
最后测试
B6分组
高温寿命(不工作)
最后测试
检验或试验
C1分组
外形尺寸
C2分组
热冲击(玻璃应力)
引出端强度(扭力矩)
附录A
综合温度/湿度周期试验
外观及机越检验
最后测试
C3分组
变振动
恒定如速度
最后测试
SJ50033/124-97
表2B组检验
GJB128
除高温150℃外，其余同试验条件C-1细检滑试验条件H5×10-2Pa*em/sb粗检漏试验条件C
按表4步骤1、3
TA=85C
f= 50Hz
Ipm=50mA
VR=80% ViRR)
按表4步骤2、4、5
T=175℃
按表 4 步骤2、4、5
表 3 C纽检验
GJB128
见图1
试验条件 A
60mNm加力时间5%
B.细检褥
试验条件H
藻率5xu-2Pa-cm'/s
b.机检漏试验条件 C
10个循环、省略初始条件
条件见4.5.1
按表4步骤1,3
14700m/g(1500g)在X,Y方尚各5次196m/:(20g)100-2000Hz
X、Y方向各4个环
196000m/s(20000g)
在X、Y方向上各1min
接表4步骤1,3
TTKAONKAa-
检验或试验
C4分组
盐气(要求时)
Cs分组
低气压（要求时）
C6分组
稳态工作寿命
最后测试
反向击穿电压
PINI01
PINTU2
PIN103
PINI04
PINI05
区奥击穿电区
PINI01
PIN102
PIN103
PIN104
PIN105
亚向微分电阻
！正向微分电阻
变化量
总电容变化量
5交货准备
5.1包装要求
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续表3
GJB128
试验条件C
TA-85℃
f= 50Hz Irm= 50nA
Vr = 80 % Y R)
接表4步骤2、4,5
表4 B组和 C继的最后测试
GB6570
包装要求应按 GJB 33 的规定
5.2贮存要求
IR10uA
110μA
Ig=100mA
f=10kJtx
1r=100mA
=10kHz
f=IMHz
Ve=l00V
入=10
最小值最大值
购存要求应接GJB33的规定。
5.3运输要求
运轮要求应按GJB33的规定。
6说明事项
6.1预定用途
ST50033/124—97
符合本规范的器件在C波段以下作开关、限幅、电调衰减和移相等，供新设备设计使册和供现有设备的后保障用。
6.2订货资料
合同或订货单应规定下列内容：a，本规范的名称和编号；
b．等极(见1.3.1)：
c，数量；
d、带要时，其他要求。
6.3对引出端材料和涂层有特殊要求时，应在合向或订货单中规定（见3.2.1)。如使用单位需要时，典型特性曲线等可在合同或订货单中规定。TKAONKAca-
A1目的
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附录A
扭力矩试验方法
（补充件）
本试验悬为了检验器件引出端和瓷管之问的抗扭力能力。A2设备
扭力矩试验需要专用夹具，固定器件的一端并在另一端悬挂施加力矩的重物。A3步骤
对正微波二极管轴线上加扭力矩,使凳管与装封处承受扭力矩,其力矩为绕二极管轴线方向，且平稳无跳动。扭力矩60mN·m。作用时间5s。解除力矩后用10倍放人镜检验，发现断裂、松动或电极与瓷管之间对移动,认为是器件不合格。附加说明：
本舰范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由国营第九七O厂负责起草。本规范主要起草人：沈继昌、王韧、刘辉。计划项自代号：B51016
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