SJ 50033.133-1997 半导体分立器件 SY5629～5665A型瞬态电压抑制二极管详细规范 SJ50033.133-1997 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
SJ50033/133—97
半导体分立器件
SY5629～5665A型
瞬态电压抑制二极管
详细规范
Semiconductor discrete devicesDetail specification for type SY5629~5665Atramsient voltage suppression diodes1997-06-17 发布
1997-10-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
SY56295665A型瞬态电压抑制二极管详细规范
Semicnnductor discrete devicesDetail specification for types SY5629 --5665Atransient voltage suppression diodes范围
1.1主题内容
SI 50033/13397
本规范规定了SY5629~5665A型瞬态电压抑制二极管（以下简称器件）的详细要求。1.2 适用范围
本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类
本规范根据器件质量保证等级进行分类。1.3.1需件的等级
按GF333-&S（平导体分立器件总规范>1.3的规定，提供的质量保证等缴为普军，特年和超特军三级，分别用字母 GP,GT和GCT表示。2 引用文件
GE6571-86小功率信号二极管、稳压及基准电压二极管测试方法GB7581-87半导体分立器件外形尺寸GB 33-35
半导体分立器件总规范
半导体分立器件试验方法
GB 128—86
3要求
3.1详细要求
各顶要求应按GJB33和本规范的娩定。3.2设计和构
器件的设计和结构应按本规范的规定。3.2.1出端材料和涂层
引出端材料下引线为无氧铜丝、上引线为铜包钢丝，出端表面应为锡层和镍层。中华人民共和国电子工业部1997.06-17发布1997-10-01实施
ITKAONKAca-
3.2.2器件结构
SJ 50033/13397
器件结构是金属全密封空腔结构，芯片为外延或扩散台面型，芯片和引线之间采用高温冶金键合。
3.2.3外形尺寸
外形尺寸应符合GB7581的D2一09A型和本规范的规定（见图1)。L
D2--09A
3.3敏人额定值和主要电特性
3.3.1最大额定值
Ta=25±3C
图！外形图
TA=25±3C
55--150
注;1)t,=fms、t,=10μs,当 Tx-25时,峰值脉冲功率见图3。2）当T,>25℃时，按8mW/K线性降。3.3.2主要电特性
主要电特性应符合本规范要求，见表5第2栏~第4栏、3.4电测试要求
电测试应符合GB6571及本规范的规定。3.5标志
标志应符合 GJB 33和本规范的规定。4质量保证规定
4.1抽样和检验
55-175
抽样和检验应按GJB 33的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验应按 GJB 33 的规定。4.3 筛选(仅对 GT 和 GCT 级)。SJ50033/133-97
筛选应符合GJB33表2和本规范的规定。其测试应按本规范中表1的规定进行。超过本规范表1极限值的器件应予剔除。筛选
(贝 GJB 33表2)
3.热冲齿
6.高温反偏
7.中间电参数
8.功率老炼
9.最后测试
10.密封
a）细检漏
b）粒检漏
11.外观及机
械检验
武验方法
(GJB128)
4.4质量致性检验
低温：-55
循环;20 次,其余同 F
与第8项合并进行
Vs=Vrwm（表5第4栏的值）
JR=IR）（表5第3栏的值）
见 4.5.4、时间:96h
按表丨规定
试验条件H
试验条件 C
打标志层进行
质量一致性检验应符合 GIB 33 的规定。4.4.1A组检验
A 组检验应按 GJB 33 和本规范表 1 的规定进行。4.4.2B组检验
B 组检验应 按 GJB 33 和本规范表 2 的规定进行。4.4.3C组检验
C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。4.5检验和试验方法
检验和试验方法按本规范相应的表和下列的规定进行。4.5.1脉冲测试(正向压降）
脉冲测试应按GJB 128中 3.3.2.1的规定4.5.2最大峰值脉冲电流（Ip）
|不大于初始值的
50%或 1uA,取较大者。
「VrAR>,不大于初始
值的2%。
应在反向偏压不低于VRWm的同讨，反向施加相应的峰值电流。在反向施加具有下述电流与时间关系波形的峰值电流。TTKAONKAa-
SI50033/133-97
a）在 1,≤8μs 时,脉冲电流应达到 Ip的 100%前在t,=20us时,应下降到 Ip的 100%(见图2)。
h）在t,≤10ms时,脉冲电流应达到I，的100%。而在p=1ms时,应下降到I的50%(见图3)。
往：时间（)的公差为正公差，允许小于等于百分之十。4.5.3位电压
应在1rms的时间间隔内，在二极管两端测量峰值脉冲着位电压,响应检测器应证明设备精度为±3%：
脑冲持续时问定义为脉冲电流
下降到50%时的点
（上升到100%[，的时间≤8μs)20
时词)
图2腺花能波形
脉冲持续吋间定义为腻冲出流
下降到50%时的点
【上升到00%，的时间多10心】
时间t(μs）
图3脉冲电流波影
4.5.4功率老炼稳态工作寿命
SJ50033/133-97
a)在 TA=25±3℃下测试 I 和 V(BR)ib）在TA=25±3℃下,按4.5.2中b的规定施加脉冲20次，施加脉冲的速率应为每分钟最多一个脉冲;
c）在TA=25±3℃下测试「和V(BR)剔除失效器件。d）在TA=125±5℃下.施加Vewm（表5第4栏的值),进行高温反偏试验；e）在a=25±3℃下测试「r和V(R),判断失效器件。4.5.5C6分组稳态工作寿命
4.5.5.1C6分组稳态工作寿命按4.5.4进行1000h4.5.5.2若用B3分组样品继续作C6分组稳态工作寿命时,在B3分组结束后,从4.5.4中的c开始进行真至e结束。
表 1 A组检验
检验或试验
A1分组
外观及机械检验
A2分组
反向电流
击穿电压
A3分组
低温作
击穿电压
A4分组
散大箍位电压
正向电压
A6分组
正象浪崛电流
最后测试
GJR128
GB6571
直流法V=VRwM
VRwM=表5第4栏的值
脉冲法tw≤300ms
I(ER)=裹5第3栏的值
TA= -5SC
2.2.1.2脉冲法+w≤300mg
D≤2%
I(RR）=表5第3栏的值
TA=25±3C
本规范
附录A
t,-1ms
1=表5第7栏的低
脉冲法（FM=100A
tw 10ms(max)
GB4023中T=25±3
JV-3.1fr=0Vr=0
IFsM=200A
脉冲和周波数均为
见表 4 步骤 1 和 3
Vctmn)
表5第2
栏的值
表5第9
栏的值
麦5第5
栏的值
表5第2
栏的值
表5第6
栏的值
TTKAONKAa-
检验或试验
BI分组
可焊性
标志耐久性
B2分组
热冲击
(温度循坏）
a）细检漏
b）粗检漏
最后测试
B3分组
稳态工作寿命
最后测试
(仅对 GCT级）
开幅内部目检
（设计核实）
B6 分组
高温寿命
(非工作状态）此内容来自标准下载网
最后测试，
检验或试验
C1分组
外形尺
C2 分组
引出端强度
(拉力)
(引线疲劳）
a）细检摄
b）粗检漏
综合温度/凝度
周期试验
外规及机械检验
最后测试
SJ50033/13397
表2B组检验
低蕴：～55℃
其杂同 F-1
试验条件H
试验条件C
见表4步骤1、3、4和6
见4.5.4340h
见表4步骤2.4和5
Ta=175C 340h
见表 4 步骤 2.4 和 5
表3C组检验
见图1
试验条件 A
拉力F=9.8N
t= 10± 1s
试验条件E
试验条件 H
试验条件C
不要求预处理
见表4步骤1和3
每批一个器件
0 失效
极限值
检验或试验
C3分组
变题振动
定加速度
最后测试
C6分组
稳太工作荐命
最后卿试
C7分组
击穿电压的温
度系数
C8分组
最大峰值豚脉冲
最后测试
检验或试验
反向电速
2反向电流
3击穿电压
正向电压
方法，
GB 6571
SJ50033/133-97
续表3
加速度：14700m/s2
时间：0.5mg
方向;XI,Y1.Z1
次数；5次
按总规范
按总规范
见表 4 步骤 1,3 和 4
见 4. 5.5.1000h
见表 4 步骤 2.4 和 5
I(HR) = ImA
T,=25 +3c
T,=75±3C
见4.5.2 中的a)
1个脉冲
见表步骤1和3
LTPD符号
表4A、B和C组检验最后测试
GB 6571
击穿串压变化
直统法VR=VRwM
(表5第4栏的值)
直流法V.·VRWM
(表 5第 4 栏的值)
脉法300ms
I ER)=表5第3栏的值
Im= 100A
豚冲法w10ms(max)
I(rR)=表 5 第 3 栏的值
脉冲法300m5
:=表5第3栏的值
注：1)对本测试而言，超过A组极限值的器件不子接收，IR
表5第810-*/K
栏的值
极限值
最小值
最大值
表5第5
栏的值）
A组极限值的2倍
表5第2
栏的值
初始值
TTKAONKAa-
SY5629
SY5629A
SY5630A
SY5631
SY5631A
SY5632
SY5632A
SY5633
SY5633A
SY5634
SY5634A
SY5635
SY5635A
SY5636
SY5636A
SY5637
SY5637A
SY5638
SY5638A
SY5639
SY5639A
SY5640
SY5640A
SY5641
SY5641A
SY5642
SY5642A
[(ER)时的击穿
电压ViRR
最小慎
最大值
试验电
SJ 50033/133—97
反向工
流ItBR）
时的最
作峰值
大反向
电特性
最大峰值脉冲电流
VerR)的
tp=1ms
下的值
时最大
辩位电
tp - 20μ3tp - 1mg
- 8μs+,- 10μs
最大温
度系数
CVEBKI
I(R)时
最小击
穿电压
10-4/k
击穿电
流TtBR)
时的最
大直流
......
SY5643
SY5643A
SY5644
SY5644A
SY5645
SY5645A
SY5646
SY5646A
SY5647
SY5647A
SY564S
SY5648A
SY5649
SY5649A
SYS650
SY5650A
SY5651
[a)时的击穿
电压VeR
最小值最大值
SY565IA
SY5652
SY5652A
SY5653
SY5653A
SY5654
SY5654A
SY5655
SY5655A
SY5656
试验电
流(BR)
≤300ma
D≤2%
SI50033/133-97
续表S
最大峰值脉冲电流V(rm)的
反向工VRwm
I tp- Ims
[时的最
！下的值
作峰慎
大反向
时最大
最大温
箱位电：tp=20μstp=1ms度系数流！
t,10gg:
10-4)/K
frBR)时
最小击
穿电压
击穿电
时的最
大直流
YTKAONTKAca-
SY5656A
SY5657
SY5657A
SY5658
SY5658A
SYS659
SY5659A
SYS660
SY5660A
SY5661
SY5661A
SY5662
SY5662A
SY5663
I(RR)时的击穿
电压V(BR)
最小值最大值
SY5663A
SY5664
SYS664A
SY5665
SY5665A
交货准备
包装要求
试验电
流I(a）
D≤2%
SJ50033/133-97
续表5
反向工
时的最
作锋值
包装要求应按 GJB 33 的规定。5.2贮存要求
贮存要求应按 GJB 33 的规定。5.3运输要求
运输要求应按GJB33的规定。
6说明事项
大反向
晨大峰值脉冲电流V(an)的
FrERg时
tp=1ms
最小击
下的值
最大溢
时最大
箱位电
Vcimar
度系数
fp= 20μstp= 1ms
awR）
t, = 8μs
,=10μs
穿电压
10-4/K
击穿电
流（ER)
时的最
大直流
SJ 50033/133-97
6.1预定用途
符合本规范的器件供新设备设计使用和供现有的后翻保障用。2订货资料
合同或订货单位规定下列的内容：本规范的名称和编号
等级（见1.3.1)
—数量
需要时，其它要求。
6.3对引出端材料和涂层有特殊要求时，在合同或订货单中规定（见3.2.1)。6.4如使用单位需要时，典型特性曲线等可在合同或订货单中规定。 11
KAONKAca-
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