SJ 50033.136-1997 半导体光电子器件 GF116型红色发光二极管详细规范 SJ50033.136-1997 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国电子行业军用标准FL5980
SJ 50033/136—97
半导体光电子器件
GF116型红色发光二极管
详细规范
Semiconductor optoelectronic devicesDetail specification for red light emittingdiodefortypeGF116
1997-06-17发布
1997.10-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体光电子器件
GF116型红色发光二极管详细规范Semiconductor optoelectrioic devicesDetail specification for red light ernittingdiode for type GF116
1范围
1.1主题内容　
SJ 50033/136-97
本规范规定了军用GF116型红色发光二极管(以下简称器件）的详细要求。1.2适用范围
本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类
1.3.1器件的等级
按GJB33一85<半导体分立器件总规范的规定，提供的质量保证等级为普军级（GP)、特军级(GT)二级。
2引用文件
GB 11499—89
GIB 33—85
GJB 128—86
SI2355—83
GB/T15651—95
3要求
3.1详细要求
半导体分立器件文字符号
半导体分立器件总规范
半导体分立器件试验方法
半导体发光器件测试方法
半导体器件分立器件和集成电路第5部分：光电子器件
各条要求应按GJB33和本规范的规定。3.2设计、结构与外形尺寸
器件的设计、结构应按GJB33中3.5.1,3.5.3,3.5.4,和3.5.7条及本规范的规定。外形尺寸符合本规范图1的规定。
3.2.1 管芯材料
管芯材料为磷化镓。
中华人民共和国电子工业部1997-06-17发布1997-10-01实施
TYKAOKAca-
SJ 50033/13697
外形尺寸及引出端识别(见图1)
3.2.3封装形式
1.正极2.负极
金属屏蔽环氧树脂红色散射非空腔封装，见图1。3.2.4引线长度
可按合同的规定（见6.2条)提供引线长度不同于本规范图1规定的器件。3.3引线材料和引线镀涂
引线材料为钢基合金或铁基合金，引线镀银或镀金，也可按照合同规定（见6.2条）。3.4最大额定值和主要光电特性
最大额定值(见表1)
注：1)脉冲宽度U.1ms,占空比1/103.4.2主要光电特性（见表2.Tm=25）名
发光强度
正询电压
Ip= 10mA, 8 = 0°
Ip= 10mA
45～100
峰值发射波长
光谱辆射带宽
反向自流
半强度角
3.5标志
SJ 50033/13697
续表 2
Ip=10mA
Ip=10nA
fr10ma
根据器件的特点，省略GJB33中关于器件上标志的规定，其余按GJB33的规定。4质量保证规定
4.1抑样和捡验
抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。单
4.1.1表4A1分组进行检验和试验的器件以用于A2、A3、A4分组的检验和试验，通过A组检验的器件，可以作为B组和C组检验和试验拙样的母体。4.1.2在做C组检验中的寿命试验时，制造厂有权选择已经过340h的B组寿命试验的样品再进行660h的试验，以满足亡组寿命试验1000h的要求。4.1.3在做C组检验的温度循环试验吋，制造厂有权选择已经过B组10次循环的全部样品或部分群品再进行15次循环，以满足C组25次循环的要求。4.1.4表6C1分组进行检验的器件，如果光电特性符合A2、A4分组的要求则可以用于C2分组的检验和试验。
4.2筛选（仅对GT级）
筛选的步骤和条件应按GJB33和本规范表3的规定。表3筛选的步骤和条件（仅对GT级）步
检验和试验
一内部日检
(封装前）
！高温寿希
（温度循环）
“恒定加速度
（不适用）
1密球(次适用)
商游度偏(不适用)
GJB128
r..= lot. t= 24h
险最高温度了=100
最低温资T-45t
循环 川欧外,其余按
试验条件A
被限值
「最小「
芯片完整
电极完整
TTKAONKAa-
检验和试验
中问光电参数测试
正向电压
反向电流
发光强度
电老炼
（正向偏置）
最后测试
（老化后 96h 内完成全
部参数测试）
SI50033/136—97
续表3
GJR 128
Ip= 10mA
GB/T 15651
I,. -10mA, 6= 0°
Ip=30mA
t= 96h
正向电压变化量的绝
发光强度变化量的绝
密封（不适用）
观及机构检验
4.3鉴定检验
GB/T15651It=10mA,0=0°
鉴定检验应按GJB33和本规范表4、表5和表6的规定，4.4质量一致性检验
极限值
20% IVD
无气泡，无裂纹，外
观无缺损，无明显
锈馆。
质量--致性检验应包括A组(见表4)、R组(见表5)和C组(见表6)中规定的检验和试验，以及下面的规定。
4.4.1C组检验应在初始批时开始进行，然后在连续生产过程中每6个月进行一次。4.4.2如果合同中已作规定（见6.2条），制造厂应将质量一致性检验教据连同产品一起提供，
4.5检验和试验方法
检验和试验方法按表4、表5、表6和表7的规定。表 4 A组检验
检验或试验
A1分组
外观及机构
GJB128
除非另有规定：
T.mb= 25℃
最小最大
无气泡
无裂纹
外观无缺损
检验或试验
A2分组
正向电压
反向电流
发光强度
A3分组
正向电压
反向电流
A4分组
峰值发射波长
光谱辑射带宽
半强度润
检验或试验
B!分组
可焊性
B2分统
（温度循环）
最后渊试
B3分案
稳态工作寿命
最后测试
B4分组
(不适用)
B5 分组
（不适用）
新温筹命
【不工作】
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续表4
SI 2355.2
GB/T 15651
GB/T 15651
GE/T 15651
SI 2355.5
除非另有规定：
Tamb= 25tc
fe=10mA
I,=10mA,@=0*
Tmh= - 45t
Ir,=10mA
Tamb=85C
Vn- 6V
I=10mA
Ir=10mA
表5B组检验
GJB128
最小最大
除高温 T=I00C,低温 T = -45t,循环次数 10 次外,其余按试验
条件A
步骤1
Ir= 30mA, I = 340h
表7步骤2
Im= h0t,r=340h
表 7步骤 2
单位1.TPD
700/mm
100（nm
TTKAONKAa
检验或试验
C1分组
外形尺寸
C2分组
热冲击
（蕴度循环）
引出端强度
综合温度/混度
周期试验
外观及机械
最后测试
C3分组
（不适明）
C4分组
(不适用)
C5 分组
(不适用）
C6 分组
秘态工作筹命
最后测试
C7分组
高温寿命
(不工作）
最后测试
正向电压
反向电流
发光强度
正向电压
反向电流
发光强度
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表 6 C组检验
GIB128
按本规范图1
除高温 T 100t,低温 T = - 45℃外其余按试验条件 A—]
试验条件E
省略初始条件
外规无缺损，无明显锈础，环氧树脂无裂效。
表7步骤1
I,30mA,g-1000h
表7折骤2
T= J00C,+=1000h
表7步骤2
表7B组和心组的测试
GB/T15651
SJ 2355.2
GB/T 15651
Ip=10mA
Ir=10mA
Ve - 6V
1 fr=10mA
#= 0°
注：1)对本试验超过A2分组极限值的器件不能定月户提供。6
5交货准备
包装应符合GJB33的要求。
6说明事项
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6.1预定用途
可用于各种军事仪器设备中的显示器，也可用于其它各种民用电子仪器设备中的显示器和指示器。
6.2订货文件内容
a、本规范的名称与编号；
办，器件的型号和等级；
c.数量：
d，如果引线不是镀银镀金，应规定镀层（见3.3条）e.如果引线长度不同于图1,应规定引线长度（见3.2.4条）；f.检验数据（见4.4.2条）；
g，如果订货文件要求应提供器件的特性曲线。6.3定义和符号
本规范使用的定义和符号应按GJB33、GB/T15651,GB11499以及下列规定：9：光电探测器轴线与器件机轴之间的夹角。IVD：单个器件的初始值。
附加说明：
本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由长春市半导体厂负贵起草。本规范主要起草人：陈兰，曹德广、石淑华。计划项目代号：B51008。
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