SJ 50597.25-1994 半导体集成电路 JF7650型CMOS高精度运算放大器详细规范 SJ50597.25-1994 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国电子行业军用标准FL5962
SJ 50597/25-94
半导体集成电路
JF7650型CMOS高精度运算放大器详·细规范
Semiconductor integrated circuitsDetail specificaton for type JF7650 CMOS operational amplifierwithhighaccuracy
1994-09-30发布
1994-12-01实施
中华人民共和国电子工业部
中华人民共和国电子行业军用标准半导体集成电路
JF7650型CMOS高精度运算放大器详细规范
Semiconductor integrated circuitsDetail specificaton for type JF7650CMOS operationaf nmplifier with high accuracy范圈
$I 50597/25 94
1.1主题内容
本规范规定了半导体集成电路JF7650型CMOS高精度运算放大器（以下简称器件）的详细要求。
1.2适用范制
本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类
本规范给出的器件按器件型号、器件等级、封装形式分类。1.3.1器件编号
臀件编号应按GJB597(微电路总规范>第3.6.2条的规定。1.3.1.1器件型号
器件型号如下：
器件型号
JF7650
1.3.1.2器件等级
件名称
CMOS高精度运算放大器
器件等极应为 GJB 597第3.4条规定的B级和本规范规定的B 级。1.3.1.3封装形式
封装形式应接GB 7092《毕导体集成电路外形尺寸>的规定。封装形式如下：
外形尺
DI4S3(陶瓷双列封装)
T8E4(特支柱，金属画形封装）
中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布寸
1994-12-01实施
EYKAONTKAca-
绝对最大颖定值
绝对最大额定值如下：
电源电压(V.至V_)
输入电压
振荡器控制圳电压
贮存温度
引线耐焊接温度（10s)
出短路时间
输入电流《任意端）
1.5推荐工作条件
推荐工作条件如下：
电源电压
工作环境温度
2引用文件
GB 3431.182
GB 3431.2 --86
GB 4590—84
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举导体集戚电路文学符号电参数文字符号半导体集成电路文字符号引出端功能符号半导体巢成电路机械和气候试验方法GB/T7092—93
半导体集成电路外形尺寸
GJB 548—88
GJB597—88
GJB 1649—93
3要求
3.1详细要求
微电子器件试验方法和程序
微电路总规范
电子产品防静电放电控制大纲
各项求应按GJB597和本规范的规定。值
不限定
本规范规定的B级器件仅在产品保证规定的筛选、鉴定和质量-一致性检验的某些项目和要求不同丁B级。
3.2设计、结构和外形尺寸
设计、结构和外形尺寸应按 GIB 597和本规范的规定。3.2.1引出辨排列
引出端排列应符合图1的规定。引出端排列为俯视图。3.2.2电路图
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V+/CASE
图 1 引出端排列
MINT/EXT
制造厂在整定前应将电路图提交给鉴定机构。各制造厂的电路图应由鉴定机构存档备查。
3.2.3功能框图
功能框图应符合图2的规定，
3.2.4封装形式
主放大器
放天器
内谢制
图2功能框图
封装形式应按本规范1.3.1.3条的规定。3.3引线材料和涂覆
引线材料和涂覆应按GJB597第3.5.6条的规定。3.4电特性
INT/EXT
电特性按表1的规定。若无其他规定，适用于全工作温度范用一55125。3
TTKAONKACa-
人失護电压
输入失调电压短度系数
输人偏量电流11
辅入失调电流
开环电压增盏 2
掏出峰电压31
共输人电压范围
共模抑制比
电源电压抑制比
电源电流
转换速率
上升时间
较披频率
位导通电流
位载止电流
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表1电特性
(若无其他规定，见图3,Vs=±5V)V,= +5V, Vs= ±7.5V
Yie-oV 和 Vg- +sy.
Ve= 1.5V, - sV
TA-25C
-55C≤TA≤125t
TA=25t
Ve:=1.SV, -5V i TA- 125C
Vre-ov
Vo=±2V
R=l0kn
R,= 100n
-5V≤Ve1.5V
V, =8V,3V
V_ = -8V, -3V
-55t≤TA≤125℃
TA25C
-55t≤1a≤1257
TA=25C
-55C≤TA≤125t
Ta-25c
-55≤TAs1250
TA=25t
-55C≤T125t
TA=25t
TA=125C
V,= ±2V,Av =1, TA=25C,见图6。V, = 50mV, R L = 10k0, C, = 50pF, Avr = 1,TA=25℃,见图 6n
Va= 5V或 -5V,Ri = 100kn, Ta=25-4Vsos4V
-55C≤TA≤125C
规范值
注： 1) 偏量电流实际上是结的漏电流,温度每升高 [0七,输入病置电流约增加一循。为了将热效应减至最小，对器件首先凝偏置电流，且必须在施加电源后的25ms内进行。2）由于输出到输入的热反读效应,在整个工作温度范围内开环增益不保证是正向的或线性的。者要求，姻在订货资料中规定。
3)测试时，箍出措位端断开。
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4）共模抑谢比由在Vic=1.5V,Vic=-5V时测量Vm后的计算得到。3.4.1不稳定性报荡
当按本规范给出的测试线踏工作时，器件应无振。3.5电试验要求
器件的电试验要求应为表2所规定的有关分组，各分组的电测试按表3的规定。表2电试验要求
中间(老化院)电溉试
中间（老化后）电测试
最终电测试
A组试验要放
C组终点电测试
D组终点电测试
B级器件
A2, A3, A4,
A1, A2, A3, A4, A5. A6, A7
A1 和表 4 的 4 极限
注1)该分组要求PDA计算（见本规范4.2条）。组
(见表3)
B级器件
A2, A3.A4.
A1, A2,A3, A4, A5, Ab,A7
A1 和衰 4的4极限
-TrKAONKAa-
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z=aaonr
SO-(NO
1(21 - 13)/01 ×$\9/210z = a2y1( -)*
I(zIa -11a)/t0T ×s/H10 - +Asy(1 0
(0002-
(60 = -
(833002 -
(2-500
(93 )00 - +01
(S-13002=
中筑器
rKAONKAca
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pl = amy
1(3913/1591-
1(622 - 822)/601 ×513[02 - 1 -9/0 510 - +
一饿！
. (023 - 13)002 - *
001/(6-812) -0AD
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1CE-/1 80 A
-- A
sr - aona
1(1E -0301s-912102-4
1(s-)/0s(81 =*
08 /(6 -) - OAn
-KAONTKAca-
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-*/-0A-- -s
+/+oa7 =**s
1( -S1+-
esa - A -
O3-*A+
sa-\A+
器电器
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(°A0=(AE-) -(AS-)= -A'A01
SI50597/25-94
注，①若无其他规定，斯有电图容差为10.1%，所有电客容墓士10%。②器性在插入插座和政变开关状态时，应避免器件受到损害。③应允许足魅的建立时间，以便使每个参数稳定到该值最终值的5%范围内。④所有继电器接末激感状态表示。?调些大器为JFOP-07，调等大器测试端5不充许处于快和状态。@11.1ka和111km的负载电阻器等输出10km和100kg负囊电阻。①大于300mV峰峰值的振蓄应认为器件失效。@引出端7端与被测管的12端（内都时钟输出增)相理接。@引出端B端与被测管的9竭（输出推位端）相连接。1）补偿电容应按试验线路稳定性婴求增加。有两种稳定性补偿方法，一种是有调零放大端扑偿电容，另一种甚有49,9k闭环反惯电阻并联的电容。两种方法不骼同时使用。谨照适当的布线程序，以避免无用耦合和振荡等。o.μF
波形2（正向转换速率）
Fatmu)
波形 反 向转接速率）
图4转换速率和上升时间测试线路注：1）电阻容差为±1%，电容容差为±10%。2）在插虚和接通电源期间，应注意避免被测器件变到据害。11
-TrKAONKAca-
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