SJ 50597.28-1994
基本信息
标准号： SJ 50597.28-1994
中文名称：半导体集成电路 JC4504型CMOS六TTL CMOS-CMOS电平转换器详细规范
标准类别：电子行业标准(SJ)
标准状态：现行
出版语种：简体中文
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标准分类号
关联标准
出版信息
相关单位信息
标准简介
SJ 50597.28-1994 半导体集成电路 JC4504型CMOS六TTL CMOS-CMOS电平转换器详细规范
SJ50597.28-1994
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标准内容
中华人民共和国电子行业军用标准FL5962
SJ 50597/28-94
半导体集体电路
JC4504 型 CMOS 六 TTL/CMOS
-CMOS电平转换器详细规范
Semiconduuctor integrated circuitsDetail speciricalion for type JC4504 ofCMOS Hex TTL/CMOS to CMOS converters1994-09-30发布
中华人民共和国电子工业部
1994-12-01实施
中华人民共和国电子行业军用标准半导体集成电路
JC4504 型 CMOS 六 TTL/CMOS-+CMOS电平转换器详细规范
Semiconductor integrated circuitsDetail speciricatian for type JC4504 ofCMOS Hex TTL/CMOS to CMOS conrerters1范图
SI 50597/28-94
1.1主瑟内容
本规范规定了毕导体集成电路JC4504型CMOS六TTL/CMOS-CMOS电平转换器（以下简称器件)的详细要求。
1.2适用范围
木规范适月于器件的研制、生产和采购。1.3分类
本规范给出的器件按器件型号、器件等级和封装形式分类。1.3.1器件编号
器件编号应按GJB597(微电路总规范)第3.6.2条的规定。1.3.1.1器件型号
器件型号如下：
器件型号
JC4S04
1.3.1.2器件等级
六 TTL/CMOS-+CMOS 电平转换器器件等级应为GJB597第3.4条所规定的B级和本规范规定的B1级。1.3.1.3封装形
封装形式应按GB/T7092-93(半导体集成电路外形尺寸)的规定。封装形式如妞下：
D16S3(陶瓷双列封装）
F16X2(陶瓷扇平封装）
H16X2(陶瓷熔房平封装）
[16S3(陶瓷熔封双列封装）
中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布代
1994-12-01实施
-rKAONKAca-
1.4绝对最大领定值
绝对最大额定值如下，
电源电压
输人电压
输人电流【每个输入端）
驴存温度范围
引线耐焊接盘度(103）
1.5推荐工作条件
推荐工作条件如下
电源电压
工作环境温度
2引用文件
GB 3431.1—82
GB 3431.2—86
GB 3439-—82
GB3834—83
GB 4590—84
GB4728.12—85
GB/T 7092--93
GJB 548—88
GJB 597—88
GJB 1649--93
3要求
3.1详细要求
SJ 50597/28--94
半导体集成电路文字符号电参数文字符号半导体集成电路文字符号引出端功能特号半导体集志电路TTI.电路測试方法的基本原理半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理半导体集成电路机械和气候试验片法电气圈用图形符号二进谢逻辑单元半导体集成电路外形尺寸
微电子器件试验方法和程序
微电路总规范
电子产品防静电改电控制大纲
各项要求应按GJB597和本规范的规定。单
本规范规定的B：级器件仅在产品保证现定的筛选，鉴定和质量一致性检验的某些项目和要求不同下B级器件。
3.2设计、结构和外形尺寸
SI 50597/28—94
设计、结构和外形尺寸应符台GJB 597和本规范的规定：3.2.1逻辑符号、逻辑图和引出端排列遥辑符号，逻辑图和引出端排列应符合图1的规定。逻辑符号和逻辑图符合34728，12的规定。引出端排列为俯靓图。逻辑符号
M(CMOS-CMOS)
1 (TTL-CMOS)
逻辑框图（1/6)
逻辑表达式
M=H:ITL式
M-L:CMOS 方式
电平转换
M+TTL/CMOS
电平选择
引出端排列1）
图1逻辑符号、逻辑图、引出端排列和逻辑表达式16
TKAONKAca
SJ 50597/28—94
注：①F.H、J亚封装的引出端排列同D皿封装。3.2.2功能表
功能表如下
:①H—高电平；L一低电平。
3.2.3电路图免费标准bzxz.net
制造广在鉴定前应将电路图提交给鉴定机构，并由鉴定机构存挡备查。3.2.4封装形式
封装形式应按本规范第1.3.1.3条的规定。3.3引线材料和涂覆
引线材料和涂覆应按GJB597第3.5.6条的规定。3.4电特性
电特性应符合本规范表1 的规定。3.5电试验要求
器件的电试验要求应为本规范表2所现定的有关分组。各个分组的电测试按本规范表3的规定。
表1电特性
输入负猎
莅电片
屯源电流
(若无其它规定.Vss=0V)
Vss开路,撤出端开路，Iik= EmAVss接地，输出端开路，Ik二-1mACMOS-+CMOS
Vec=5V
TTL--CMOS
Vec=sv
TTL+CMOS
TA=25C
T=125c单位
输出高电平
输出低电
平电压
输入高屯平
输入低电
平电压
输出高电
平电流
输出低
平电流
辅入高电
平电统
输入低电
平电流
SJ 50597/28—94
续表1电特性
【若元其它规定，V=UV)
Vi-0V, VH= 5V
VIL=(V, VH= 10V
Vil-ov. vih- 1sv
Vih-sy, Y.-ov
VcL Vmt- 10V, Vu.=0V
YH= [5V, Vu=0V
VoH=9V, Vcc=5V,TTL-→+CMUS
VpoTa=
Von = 13.5V. Vcc - 5V. TT1+CMOS 15VVih VoH - 9V, Ver=SV。 CMOS--CMOSVoh - 13.3V, Vcc = 5V。
CMOS--CMOS
Vn-13.$VVe. - 10V.
MOS-+CMOS
'cL= IV, Vce- SV TTL+CMOS
Vo. -1.SV, Yec= 5V, ITL--CMOSViL [Vu - 1V, Vi - 5V: CMOS--CMOS10
Va.=1.5V, Vce= 5V。CM05-CMOs15VVa. -1.5V, V- Tov.
TMIIS-CMOS
V,= 5V, Von=4.6V
Ion V,- 10V, Vot - 9.5
V, - 15V, Vour- 13. 5V
V,=ov, Vo. =d.4V
输人试验电压Vzp
确入电容
输尚转换时间
V,-ov, Va.- 0.5V
V,=ov, Va- 1.sv
V= 15V
C1 = 100pF, R2 = 1. 5kn,
（见本规范4.5.3条)
f-IMHz
Rr.= 200kn
+.t,= [Ons
CL= SF
=2.00kHz（可灭本规范图2）
TA-25t
Ta-125单位
-TrKAONiKAca-
传输延迟时间PHL
SJ50597/28—94
续表1电特性
(若尤其它规定，Vss=DV)
TTL-CMOS
Rt=200kn
t..t,=10ns
CL= S0pF
F= 200kHz
（见本规范图2)
Yrm>Vec
Ve= 5V
CMOS-+CMOS
Yro> Vaα
Ycc-5V
CMOS-+CMOS
VuciDV
CMOS-CMOS
Vce> Vpo
Vcc=10V
CMOS--CMOS
Vc>Vmo
Vcc= 15V
TTL-+CMOS
Ycc=5V
CMOS+CMOS
Viu> Vc
Yee-5y
CMOS-→CMOS
Vop> Ve
Vee: - 10V
CMOS--CMOS
Yoe>Vpp
Vet- 10V
CMOS-+CMOS
Yo>Vpo
Vcc=15V
V|TA -
TA=125℃单位
最小最大
中间(老化前)电测
中间(老化君)电测
最终电测试
A组电测试
C组终点电凝试
C 组检验增扩的电测
试分组
L 组终点电测试
SJ50597/28-94
表2电试验要求
B级器件
分组（见表3)
A2,A3, A7, A9
AI,A2, A3, A4. A7,
A9,A10,A11
Al,A2,A3
注：L)该分组要求PDA计算(4.2条）。变化景极限
B级器件
分组(见类3)
A2,A3,A7,A9
A1,A2,A3, A4.
Al,A2,A3
A10,A11
A1, A2, A2
变化量极限
2)老化和寿命试验要求4变化量测试。4变化量极限按本规范剪4.5.2条的规定。表3电测试
用标准
CB3834
(若无其它规定,Vss =0V。 TA=25C)Yrp妾地，Vs并随。被测输入「rc=ImA,非被测输入开路.输出乃路。
Imm或「er2.15
Ycn开路，Vss接地。被测辅人Ik—一1mA,非被测输入开路，输出开路。
Vo = 5V, Vn,= 0V, Vn=$V,输出开陷。CMOS-+CMUS
Vom-10V, VL-0V,Vin=10V,输出开路。CMOS-CMOS
Vop-15V.Vut.=0V,V-15V,输出开路。CMOS--CMOS
VDD-5V. Voc = 5V, Ym,- 0V. Ym- 5V. 被测输密IoL-0.输出开路。TTLCMOS
Vnm=t0V.Vcc=5V,Vz=0V.Vm=5V,粒测输出IoL=n,输出严路。TT1.-CMOS
规范值
-TrKAoNiKAca-
引翔标准
GB3834
SJ 50597/28—-94
续表 3电测试
（若尤其它规定，V-0V。T=25）Vrm - 15V. Voc- 5V, Vrl.- 0V, VrH- 5V.雄测出fol.-0,输出开路，TTLCMOS
V=5V,Vcc=5V,ViL=0V,Y=5V,被测输出ot=0.输开路。TTI.~CMOS
Vro=10V,Ycc\5V,V=0V,Vm=5V,被测出IoH=O,输出开踏。TTL-CMOS
Vp-15V, Vcc - 5V, Vn- 0V, Vim* 5V,被测出15H=0,输出开路。TTL+CMOS
Vpm=15V,被输人Vil.=V,输出开路；所有其它非被测鼎开路，被泌输出IoH=0VDn=[5V.放测输入Y=15V,输出开路；所有其它非被测耀路，被测输出1oL=DVm=TnV,Vc=SV.被测输入端为2V，其它输入端接地,被测输出 VoH=9V。
TTL--CMOS
Vm=15V，Vcc=SV,被测愉人端为2V其它输入端接地，被江输出VaH=13.5V
TTL-+CMos
Vu-1UV,VuL- 5V,被测输入为 3.5V,其它输入端接地，被测输出YaH=9V。
CMOS-+CMOS
V-z-15V,Vcc=5V,被测输入端为 3.5V,其它输入筛接地，被测输出VuH-13.5V：CMOSCMOSVpr-15V.Vec-10V,被测输人端为 7V,其它输入端接池，被烫输出V=13.5V。
CMOS -CMOS
V=10V,Vc=5V,被测输人端为0.8V,其它输入端接地,铍测输出 Vo. =1V。
TT1+CMOS
Vz=15V,cc=SV,被测输入端为0.8V.其它输入端接地，越测输出VoL=1.5V。
TTL-+CMOS
V-u-10V,Vc-5V,被测输人端为 1.5V,其它输人鞘接地,被谢输出 Vol=1V。
CMOS-CMOS
Vam=15V,Vcc=5V,被测输入端为1.5V,其它输人端接地，被测输出VoL=1.5V。
CMOS-CMOS
Vo-15Vcc=10V,被测前人竭为3V.其它辅人端接地，被输出Vo,=1.5V。
GMOS-CMOS
规范值
引用标准
GB3834
SJ50597/28-94
续表3电测试
(若无其它规定Vss=DV。T,-25℃)Vr-15V,输人端逐—谢 Vm= 15V,其它输入端接地。
Vnp=15Y,输入端逐·-润ViL-0V,其它输入端接地。
Vpp=5V,教测输入 V=0V,
被测输出 Vc-4.8V。
Von=10V,被测输人Yu-0V.
被测输出 VoH=9.5V.
VDo= 13V,被测输人 Vu= 0V,
被测输出 VoH= 13,5V。
Vmm=5V,按测输入Vm=5V,
被测输出靖 Val,=0,4V。
Vm-10V,被测输入端 Vin=10V,
被鸿输出 VoL-0.5V。
Yco=15V鼓测输入端Vm=15V
被测输出端 Val=1.5V。
规范道
T.=125℃,除 ViE+、Vik-不测外,所有参数条件同 A1 分组,规范值按表 1。T^=-55七，除Vak，Vi不测外，所有参数签件同A1分组.规范值按表1。C
Vem=0V.f=1MHz,分别测每个输人端对Vss之间的电容。
Ycp=5V.功能测试，按功能表。
RL=2UCxn
CL=50mF
,=10m8
=200kHa
（见.本规范
(图2)
TTL-+CMOSV( - 5V, VL= 1UV
CMOS-CMOS
Vpp>Vec
CMOS--CMUS
rr>Vr-
Vcc = 5V, Vbp= 15V
Vce - 5V, Vrn = 10V
Vce= 5V, Vpp = 15V
Yce- 10v, Vpn 15V
Vec- 10V, Vr=- 10V
Vec = 15V, Vp= 10V
Vec = 15V, Vrn- 10V
-rKAONKAca-
引用标准
GB3834
SJ 50597/28—94
续表3电测试
(若无其它规定，so-0V。Ta-25)TTL+CMOS
Voo> Vc
CMOS+CMOS
Yu> Vur
CMOS--CMOS
Voc>Vpo
Vcc = 5V, Vrp = 10V
Vcc=5V,Vo-15V
Vec = 5V, Vro =- 10V
Vec=5V.Vo=15V
Vee = 10V, Vrp= 15V
Vc=10V,Vo-5V
Vcc- 15V, Vn = 5V
Vce= 15V, Von = 10V
R,=200ka,CL50pF,mt,=10ns
F=200%Hz，（见本规范图2）
测输出。
了，=125七，参数，茶件同A9分组。规范值孩表1。TA=55℃，参数，条件同A9分组。规范值按表1。注：1)引用标准为GB3439第2.1条。Vo=5V
Vop= I0V
Vpb = 15V
2)对25条件下测m、IL,制造厂可选择分别测每一个输入端或所有输入端并按测量的方法。测试线路
测试波形图
图2开关时间測试线路和波形图
SJ 50597/2894
注：DR=2c0kaC,-50±5pF(包活头及夹具电容)②脉冲发生器具有下列特性：
脉冲辐度: Vm～ Vc±1%
占空比；9—50%
脉宽,t,=1.0±0.1gs;
上升、下降时间1t,严 44 =10=2. 0us;题率:f-240kHa-1MHz。
3.6标志
器件标志应按GJB597第3.6条的规定3.6.1总剂量辐射强度标志
总剂量辐射强度等级标志应按GJB597第3.6.2.6条和本规范第4.5.5条的规定。3.6.2标志的正确性
所有器件在标上器件编号后，应经变表2规定的最终电测试，也可以经受特殊设计经认可的电测试,以验证器件编号标志的正确性。3.7微电路组的划分
本规范所涉及器件应为第39微电路组(见GJB597附录)。4质量保证规定
4.1抽样和检验
若无其它规定，抽样和检验程序应按GIB597和GJE548方法5005的规定。4.2筛选
在鉴定检验和质量一致性检验之前,个部器件应按 GJB 548方法 5004和本规范表 4的规定进行筛选。
表4筛选
若无其它规定，表中引用的试验方法系指GJB548的试验方法。条件和要求
筛选项目
内部言检
(封辣前）
稳定性烘格
（不要求终点测式）
温度循环
恒定加速度
B级器件
试验条件 B
试验条件C
(150℃.24h）
试验条牛C
试验条件户。
Y,方向
B,级器件
试验条件 B
试验条件 C
(150t.24h)
试验条件C
试验亲件 D,
i方向
可用方法1011试验条件
A替代
试险后行日检，引线断
落、外壳破裂。封盖说
落为失效。
TKAONKAca
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SJ 50597/28-94
半导体集体电路
JC4504 型 CMOS 六 TTL/CMOS
-CMOS电平转换器详细规范
Semiconduuctor integrated circuitsDetail speciricalion for type JC4504 ofCMOS Hex TTL/CMOS to CMOS converters1994-09-30发布
中华人民共和国电子工业部
1994-12-01实施
中华人民共和国电子行业军用标准半导体集成电路
JC4504 型 CMOS 六 TTL/CMOS-+CMOS电平转换器详细规范
Semiconductor integrated circuitsDetail speciricatian for type JC4504 ofCMOS Hex TTL/CMOS to CMOS conrerters1范图
SI 50597/28-94
1.1主瑟内容
本规范规定了毕导体集成电路JC4504型CMOS六TTL/CMOS-CMOS电平转换器（以下简称器件)的详细要求。
1.2适用范围
木规范适月于器件的研制、生产和采购。1.3分类
本规范给出的器件按器件型号、器件等级和封装形式分类。1.3.1器件编号
器件编号应按GJB597(微电路总规范)第3.6.2条的规定。1.3.1.1器件型号
器件型号如下：
器件型号
JC4S04
1.3.1.2器件等级
六 TTL/CMOS-+CMOS 电平转换器器件等级应为GJB597第3.4条所规定的B级和本规范规定的B1级。1.3.1.3封装形
封装形式应按GB/T7092-93(半导体集成电路外形尺寸)的规定。封装形式如妞下：
D16S3(陶瓷双列封装）
F16X2(陶瓷扇平封装）
H16X2(陶瓷熔房平封装）
[16S3(陶瓷熔封双列封装）
中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布代
1994-12-01实施
-rKAONKAca-
1.4绝对最大领定值
绝对最大额定值如下，
电源电压
输人电压
输人电流【每个输入端）
驴存温度范围
引线耐焊接盘度(103）
1.5推荐工作条件
推荐工作条件如下
电源电压
工作环境温度
2引用文件
GB 3431.1—82
GB 3431.2—86
GB 3439-—82
GB3834—83
GB 4590—84
GB4728.12—85
GB/T 7092--93
GJB 548—88
GJB 597—88
GJB 1649--93
3要求
3.1详细要求
SJ 50597/28--94
半导体集成电路文字符号电参数文字符号半导体集成电路文字符号引出端功能特号半导体集志电路TTI.电路測试方法的基本原理半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理半导体集成电路机械和气候试验片法电气圈用图形符号二进谢逻辑单元半导体集成电路外形尺寸
微电子器件试验方法和程序
微电路总规范
电子产品防静电改电控制大纲
各项要求应按GJB597和本规范的规定。单
本规范规定的B：级器件仅在产品保证现定的筛选，鉴定和质量一致性检验的某些项目和要求不同下B级器件。
3.2设计、结构和外形尺寸
SI 50597/28—94
设计、结构和外形尺寸应符台GJB 597和本规范的规定：3.2.1逻辑符号、逻辑图和引出端排列遥辑符号，逻辑图和引出端排列应符合图1的规定。逻辑符号和逻辑图符合34728，12的规定。引出端排列为俯靓图。逻辑符号
M(CMOS-CMOS)
1 (TTL-CMOS)
逻辑框图（1/6)
逻辑表达式
M=H:ITL式
M-L:CMOS 方式
电平转换
M+TTL/CMOS
电平选择
引出端排列1）
图1逻辑符号、逻辑图、引出端排列和逻辑表达式16
TKAONKAca
SJ 50597/28—94
注：①F.H、J亚封装的引出端排列同D皿封装。3.2.2功能表
功能表如下
:①H—高电平；L一低电平。
3.2.3电路图免费标准bzxz.net
制造广在鉴定前应将电路图提交给鉴定机构，并由鉴定机构存挡备查。3.2.4封装形式
封装形式应按本规范第1.3.1.3条的规定。3.3引线材料和涂覆
引线材料和涂覆应按GJB597第3.5.6条的规定。3.4电特性
电特性应符合本规范表1 的规定。3.5电试验要求
器件的电试验要求应为本规范表2所现定的有关分组。各个分组的电测试按本规范表3的规定。
表1电特性
输入负猎
莅电片
屯源电流
(若无其它规定.Vss=0V)
Vss开路,撤出端开路，Iik= EmAVss接地，输出端开路，Ik二-1mACMOS-+CMOS
Vec=5V
TTL--CMOS
Vec=sv
TTL+CMOS
TA=25C
T=125c单位
输出高电平
输出低电
平电压
输入高屯平
输入低电
平电压
输出高电
平电流
输出低
平电流
辅入高电
平电统
输入低电
平电流
SJ 50597/28—94
续表1电特性
【若元其它规定，V=UV)
Vi-0V, VH= 5V
VIL=(V, VH= 10V
Vil-ov. vih- 1sv
Vih-sy, Y.-ov
VcL Vmt- 10V, Vu.=0V
YH= [5V, Vu=0V
VoH=9V, Vcc=5V,TTL-→+CMUS
VpoTa=
Von = 13.5V. Vcc - 5V. TT1+CMOS 15VVih VoH - 9V, Ver=SV。 CMOS--CMOSVoh - 13.3V, Vcc = 5V。
CMOS--CMOS
Vn-13.$VVe. - 10V.
MOS-+CMOS
'cL= IV, Vce- SV TTL+CMOS
Vo. -1.SV, Yec= 5V, ITL--CMOSViL [Vu - 1V, Vi - 5V: CMOS--CMOS10
Va.=1.5V, Vce= 5V。CM05-CMOs15VVa. -1.5V, V- Tov.
TMIIS-CMOS
V,= 5V, Von=4.6V
Ion V,- 10V, Vot - 9.5
V, - 15V, Vour- 13. 5V
V,=ov, Vo. =d.4V
输人试验电压Vzp
确入电容
输尚转换时间
V,-ov, Va.- 0.5V
V,=ov, Va- 1.sv
V= 15V
C1 = 100pF, R2 = 1. 5kn,
（见本规范4.5.3条)
f-IMHz
Rr.= 200kn
+.t,= [Ons
CL= SF
=2.00kHz（可灭本规范图2）
TA-25t
Ta-125单位
-TrKAONiKAca-
传输延迟时间PHL
SJ50597/28—94
续表1电特性
(若尤其它规定，Vss=DV)
TTL-CMOS
Rt=200kn
t..t,=10ns
CL= S0pF
F= 200kHz
（见本规范图2)
Yrm>Vec
Ve= 5V
CMOS-+CMOS
Yro> Vaα
Ycc-5V
CMOS-+CMOS
VuciDV
CMOS-CMOS
Vce> Vpo
Vcc=10V
CMOS--CMOS
Vc>Vmo
Vcc= 15V
TTL-+CMOS
Ycc=5V
CMOS+CMOS
Viu> Vc
Yee-5y
CMOS-→CMOS
Vop> Ve
Vee: - 10V
CMOS--CMOS
Yoe>Vpp
Vet- 10V
CMOS-+CMOS
Yo>Vpo
Vcc=15V
V|TA -
TA=125℃单位
最小最大
中间(老化前)电测
中间(老化君)电测
最终电测试
A组电测试
C组终点电凝试
C 组检验增扩的电测
试分组
L 组终点电测试
SJ50597/28-94
表2电试验要求
B级器件
分组（见表3)
A2,A3, A7, A9
AI,A2, A3, A4. A7,
A9,A10,A11
Al,A2,A3
注：L)该分组要求PDA计算(4.2条）。变化景极限
B级器件
分组(见类3)
A2,A3,A7,A9
A1,A2,A3, A4.
Al,A2,A3
A10,A11
A1, A2, A2
变化量极限
2)老化和寿命试验要求4变化量测试。4变化量极限按本规范剪4.5.2条的规定。表3电测试
用标准
CB3834
(若无其它规定,Vss =0V。 TA=25C)Yrp妾地，Vs并随。被测输入「rc=ImA,非被测输入开路.输出乃路。
Imm或「er2.15
Ycn开路，Vss接地。被测辅人Ik—一1mA,非被测输入开路，输出开路。
Vo = 5V, Vn,= 0V, Vn=$V,输出开陷。CMOS-+CMUS
Vom-10V, VL-0V,Vin=10V,输出开路。CMOS-CMOS
Vop-15V.Vut.=0V,V-15V,输出开路。CMOS--CMOS
VDD-5V. Voc = 5V, Ym,- 0V. Ym- 5V. 被测输密IoL-0.输出开路。TTLCMOS
Vnm=t0V.Vcc=5V,Vz=0V.Vm=5V,粒测输出IoL=n,输出严路。TT1.-CMOS
规范值
-TrKAoNiKAca-
引翔标准
GB3834
SJ 50597/28—-94
续表 3电测试
（若尤其它规定，V-0V。T=25）Vrm - 15V. Voc- 5V, Vrl.- 0V, VrH- 5V.雄测出fol.-0,输出开路，TTLCMOS
V=5V,Vcc=5V,ViL=0V,Y=5V,被测输出ot=0.输开路。TTI.~CMOS
Vro=10V,Ycc\5V,V=0V,Vm=5V,被测出IoH=O,输出开踏。TTL-CMOS
Vp-15V, Vcc - 5V, Vn- 0V, Vim* 5V,被测出15H=0,输出开路。TTL+CMOS
Vpm=15V,被输人Vil.=V,输出开路；所有其它非被测鼎开路，被泌输出IoH=0VDn=[5V.放测输入Y=15V,输出开路；所有其它非被测耀路，被测输出1oL=DVm=TnV,Vc=SV.被测输入端为2V，其它输入端接地,被测输出 VoH=9V。
TTL--CMOS
Vm=15V，Vcc=SV,被测愉人端为2V其它输入端接地，被江输出VaH=13.5V
TTL-+CMos
Vu-1UV,VuL- 5V,被测输入为 3.5V,其它输入端接地，被测输出YaH=9V。
CMOS-+CMOS
V-z-15V,Vcc=5V,被测输入端为 3.5V,其它输入筛接地，被测输出VuH-13.5V：CMOSCMOSVpr-15V.Vec-10V,被测输人端为 7V,其它输入端接池，被烫输出V=13.5V。
CMOS -CMOS
V=10V,Vc=5V,被测输人端为0.8V,其它输入端接地,铍测输出 Vo. =1V。
TT1+CMOS
Vz=15V,cc=SV,被测输入端为0.8V.其它输入端接地，越测输出VoL=1.5V。
TTL-+CMOS
V-u-10V,Vc-5V,被测输人端为 1.5V,其它输人鞘接地,被谢输出 Vol=1V。
CMOS-CMOS
Vam=15V,Vcc=5V,被测输入端为1.5V,其它输人端接地，被测输出VoL=1.5V。
CMOS-CMOS
Vo-15Vcc=10V,被测前人竭为3V.其它辅人端接地，被输出Vo,=1.5V。
GMOS-CMOS
规范值
引用标准
GB3834
SJ50597/28-94
续表3电测试
(若无其它规定Vss=DV。T,-25℃)Vr-15V,输人端逐—谢 Vm= 15V,其它输入端接地。
Vnp=15Y,输入端逐·-润ViL-0V,其它输入端接地。
Vpp=5V,教测输入 V=0V,
被测输出 Vc-4.8V。
Von=10V,被测输人Yu-0V.
被测输出 VoH=9.5V.
VDo= 13V,被测输人 Vu= 0V,
被测输出 VoH= 13,5V。
Vmm=5V,按测输入Vm=5V,
被测输出靖 Val,=0,4V。
Vm-10V,被测输入端 Vin=10V,
被鸿输出 VoL-0.5V。
Yco=15V鼓测输入端Vm=15V
被测输出端 Val=1.5V。
规范道
T.=125℃,除 ViE+、Vik-不测外,所有参数条件同 A1 分组,规范值按表 1。T^=-55七，除Vak，Vi不测外，所有参数签件同A1分组.规范值按表1。C
Vem=0V.f=1MHz,分别测每个输人端对Vss之间的电容。
Ycp=5V.功能测试，按功能表。
RL=2UCxn
CL=50mF
,=10m8
=200kHa
（见.本规范
(图2)
TTL-+CMOSV( - 5V, VL= 1UV
CMOS-CMOS
Vpp>Vec
CMOS--CMUS
rr>Vr-
Vcc = 5V, Vbp= 15V
Vce - 5V, Vrn = 10V
Vce= 5V, Vpp = 15V
Yce- 10v, Vpn 15V
Vec- 10V, Vr=- 10V
Vec = 15V, Vp= 10V
Vec = 15V, Vrn- 10V
-rKAONKAca-
引用标准
GB3834
SJ 50597/28—94
续表3电测试
(若无其它规定，so-0V。Ta-25)TTL+CMOS
Voo> Vc
CMOS+CMOS
Yu> Vur
CMOS--CMOS
Voc>Vpo
Vcc = 5V, Vrp = 10V
Vcc=5V,Vo-15V
Vec = 5V, Vro =- 10V
Vec=5V.Vo=15V
Vee = 10V, Vrp= 15V
Vc=10V,Vo-5V
Vcc- 15V, Vn = 5V
Vce= 15V, Von = 10V
R,=200ka,CL50pF,mt,=10ns
F=200%Hz，（见本规范图2）
测输出。
了，=125七，参数，茶件同A9分组。规范值孩表1。TA=55℃，参数，条件同A9分组。规范值按表1。注：1)引用标准为GB3439第2.1条。Vo=5V
Vop= I0V
Vpb = 15V
2)对25条件下测m、IL,制造厂可选择分别测每一个输入端或所有输入端并按测量的方法。测试线路
测试波形图
图2开关时间測试线路和波形图
SJ 50597/2894
注：DR=2c0kaC,-50±5pF(包活头及夹具电容)②脉冲发生器具有下列特性：
脉冲辐度: Vm～ Vc±1%
占空比；9—50%
脉宽,t,=1.0±0.1gs;
上升、下降时间1t,严 44 =10=2. 0us;题率:f-240kHa-1MHz。
3.6标志
器件标志应按GJB597第3.6条的规定3.6.1总剂量辐射强度标志
总剂量辐射强度等级标志应按GJB597第3.6.2.6条和本规范第4.5.5条的规定。3.6.2标志的正确性
所有器件在标上器件编号后，应经变表2规定的最终电测试，也可以经受特殊设计经认可的电测试,以验证器件编号标志的正确性。3.7微电路组的划分
本规范所涉及器件应为第39微电路组(见GJB597附录)。4质量保证规定
4.1抽样和检验
若无其它规定，抽样和检验程序应按GIB597和GJE548方法5005的规定。4.2筛选
在鉴定检验和质量一致性检验之前,个部器件应按 GJB 548方法 5004和本规范表 4的规定进行筛选。
表4筛选
若无其它规定，表中引用的试验方法系指GJB548的试验方法。条件和要求
筛选项目
内部言检
(封辣前）
稳定性烘格
（不要求终点测式）
温度循环
恒定加速度
B级器件
试验条件 B
试验条件C
(150℃.24h）
试验条牛C
试验条件户。
Y,方向
B,级器件
试验条件 B
试验条件 C
(150t.24h)
试验条件C
试验亲件 D,
i方向
可用方法1011试验条件
A替代
试险后行日检，引线断
落、外壳破裂。封盖说
落为失效。
TKAONKAca
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