SJ 50597.29-1994
基本信息
标准号： SJ 50597.29-1994
中文名称：半导体集成电路 JC4585型CMOS4位数值比较器详细规范
标准类别：电子行业标准(SJ)
标准状态：现行
出版语种：简体中文
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下载大小：368462
标准分类号
关联标准
出版信息
相关单位信息
标准简介
SJ 50597.29-1994 半导体集成电路 JC4585型CMOS4位数值比较器详细规范
SJ50597.29-1994
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标准内容
中华人民共和国电子行业军用标准FL5962免费标准下载网bzxz
SJ50597/29-94
半导体集成电路JC4585型
CMOS4位数值比较器详细规范
Semiconductor integrated circuitsDetail specification for type JC4585of CMOS 4-Bit magnitude comparator1994-09-30发布
1994-12-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体集成电路JC4585型
CMOS4位数值比较器详细规范
Semicanduclor in tegrated circuitsDetail specification for type .ICA585of CMos 4-bit magnitude comparator1范围
1.1主题内容
SJ 50597/29 -- 94
本规范规定了半导件集成电路JCA5BS型CMOS4位数值比较器（以下简称器件）的详细要求。
1.2适用范围
本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类
本规范给出的器件按器件型号、器件等级和封装形式分类。1.3.1器件编号
器件编号应按GIB 597(微电路总规范>第3.6.2条的规定。1.3.1.1器件型号
器件型号如下：
婴件型号
JC45B5
1.3.1.2器件等级
器件型号
CMOS4 位数值比较器
器件等级应为 GJB 597第 3.4条所规定的 B级和本规范规定的 B,级。1.3.1.3封装形式
封装形式应按GB/T7092-93(半导体集成电路外形尺寸>的规定。封装形式如下：
外形代号
D1633（陶瓷双列封装）
FI6X2（瓷扇平封装）
H16X2（陶悠焰封扁平封装）
JI6X3（陶瓷熔封双列封装）
中华人民共和国电子工业部
1994.09-30发布
1994-12-01实施
rKAONKAca-
1.4绝对最大额定值
绝对最大额定值如下；
电源电压
人电压
辖人电流(每个辅入端)
存湿度范围
引线时焊接筐度（10s）
1.5推荐工作条件
推荐工作条件如下：
电徽电压
工作坏境温质
引用文件
GR 3431.1 - R2
GB 3431.286
GB 3439 - 82
GB 3834 - 83
GB 4590 - 84
OB 4728.12 -- 85
GB/T 7092 - 93
GIB 54888
GJB 597-88
GJB 1649 - 93
3要求
3.1详细要求
S.I 50597/29—94
500(-55-100℃)
200(100 ~ 125)
半导体集戚臣路文宇符号：电参数文字符号半导体集成电路文字符号引出端功能符号半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理举导体集成电路机械的气候试验方法电气图用图形符号二进制逻辑单元率导体集成电路外形尺寸,
微电子器性试验方法和程序
微电路总规范
电子产品防静电放电控制大纲
各项要求应按GJB597和本规范的规定！单位
本规范规定的B，级器件仅在产品保证规定的筛选、鉴定和质量一致性检验的某些项目和要求不同于B级器件。
3.2设计、结构和外形尺寸
SJ 50597/29—94
设计、结构和外形尺寸应符合GTB597和本规范的规定。3.2.1逻符号、遵辑图和引出端排列逻辑符号，逻辑菌和引出端排列应符合图1的规定。逻辑符号和逻辑图符合GB4728.12的规定。引出端排列为俯视图。遂辑符号
P>QEA>
引出端排列
TYr KAoNi KAca
逻辑图
SJ 50597/29—94
图1逻辑符号、逻辑图和引出端排列注：①F、HJ型封装的引出端排列D型封装。3.2.2功能表
功能表如下：
Ag = Bs
Aa = By
A, = By
Ag = B
A2 = B2
A = Bt
A, = B
Aa> Ba
Ag = Bg
Ag = B
Az - Bz
Ag= E2
注: H—高电平;
3.2.3电路图
SJ 50597/29—94
Ag - E
低电平；
任意态。
制造厂在鉴定前应将电路图提交给鉴定机构、并由鉴定机构存档备查。3.2.4封装形式
封装形式应按本规范第1.3.1.3的规定。3.3线材料和涂覆
引线材料和爱应按GJB597第3.5.6条的规定。3.4电特性
电特性应符合本规范表1的规定。3.5电试验要求
器件的电试验要求应为本规范表2所规定的有关分组。各个分组的电测试按本规范表3的规定。
输人正猎位电压
输入负拖位中压
电源电流
表1电特性
(若无其它规定,Vss=0V)
Vs开路,撤出开路, Irk= Im4
Vss接地,输出端开路,Ire一
Vi=ov, V(h=sV
Vi.- ov. Vih - 1ov
Vi. - ov, Vih- IsV
ViL=0V, Vin= I5V
输出高电平电压
输出候电平电压
输人高电电压
Vin= 15V, VeL - 0V
Vcu=4.sV或 Yau=0.5V
Vo=V或 VoL =1V
Vur=13.5V或Vu-1.5V
规范值
VeDT.= -55d Ta=25℃.
最小最大主
最小最大
「,=125t单位
-TrKAONTKAa-
插人低电平函
输山高电平屯
输出电平电
输入高电平电流
输入嵌电平电统
输人电容
输入试验电压
传输延迟时间
输出转换时间
SJ50597/29-94
续表1
(若无其它规定，Vss-0V)
VoL=1.5V 或 Vor= 4.5V
Vol. - 1V或 Vou - 9V
VoL=1.5V或V=13.5V
V,- 5V, Ym*4.6V
V,= [0V, Von=9.5V
V,-- 15V. Yct - 13.5V
V,=- 0V, Va.-0.4V
V,= 0V, Vo, =0.5V
Y,-Gv. Vol-1.5V
Vm= 15V
Vh= oV
F=1 MHz
C, = 100pF, R, = 1.5kn
(见本规蔗4.5.3 条）
Rr=200n,
GL= 50nF
2e, t, -- l0ns
f=200kFz
(见本规范氢
A,B-+FA>R
A>B-+FAAB
A=B→FA-B
K, = 200k, C,= 50pH
t. t,= 10ns, f=200kHz
（见本规范图2）
规范值
YE.= - 55e
a-125单位
最小最
最小最大最小
中间（老化荫）
电测试
中司（老化后)
电测试
最终电测试
A组电测试
C组终点电测试
C组检验增加的电测
试分组
D纤终点电测试
SJ 50597/29—94
表 2 电试验要求
B级器件
分组（见表3）
A2, A3, A7, A9
A1, A2, A3, A4.
A7,A9,A10,AII
注：1)该分组要求PDA计算(4.2条)。变化量极限
B级器件
分组(见表3)
A2, A3, A7, A9
Al, A2, A3, A4.
A7, A9
AL, A2. A3
Al,A2, A3
变化量极限
2)老化和荐命试验要求4变化量测试。4变化量极限按本规范第4.5.2第的规定。表3电测试
引联标理
GB3634
Vo. ; 2.8
(若无其它规定，Vs=0V。T。=25Vrn接地，Vss开路。被测铺人Ix=1mA，非被溉输人开路，输出开路。
Vpp开路，Vss接地。被测输入Jk=－1mA,非被测输入并路,输出开路。
Vap=V,Vn=oV,Vitr=5V,输出开路。Vob- 1nV, VrL- 0x. Vrx= 10V,赣出开路。Vm-15V, VL-0V, Vi=15V,输出开路。Vm-15V、被测输入V-0V,输出开路：所有其它至被测端开路，被测储出「o=0。Vnm=15V,被测输入Vi=15V,输出开路；所有其它非被测埗开路。被测输出 Icz-0。规范值
最小最大
-TrKAoNiKAca-
分组符号
引用标准
GB3834
SJ 50597/29—94
续表3
(若无其它规定，Vs-0V。T,-25℃Vpp-5V,该测输入端为Vi,其它输人端接地，粒测输出端Va0.5V或Vor=4.5V。VDL=10V,被测摘入端为V，其它输入端接地，被测输出竭 Vo.=1V 或 Voer=9V。Vpo=15V,被测输入端为 V,其它输人竭接地，被测输出端Va=1.5V或Vom=13.5V。Vrn=5V,被测输人端为 Vi其它输人端接地，被测出端 V.\0.5V或 Vo=4.5V。Vrn \10 V,被测输人端为 V,其它辅人端按地,被测输出期Vo=1V或VoH=9V。
VrD =15V,被测输入端为 Vr.其它输入端接地，被测出端VoL-1.5V或Vom13.5V。V=15V,输入靠逐-测 VH=I5V,其它输人竭接地。V=15V,输人举逐一测Ve=0V，其它输入瑜接15V。VpD=SV,核测输入端为 V=OV,
被测輪出缔Va=4.6V。
VD = 10V, 被测输入端 Vil,= 0V,被谢输出 VcH = 9.5V
Vrn = I5V, 被测输人 Vit - OV,被测输出 Vcu= 13.5V。
Vm=5V,被测输人端为 VIH=SV
被测输出端Vo.-0.4V。
Vpp= 10V,被测输入端 Vμ= 10V,被测输出端V=0.5V。
Vrm= 1SV,被测物人端 Ym= 15V,被测输出端VoL=1.5V
规范镇
TA=125C,除 Vlx+，Vix-不测外,所有参数条件同 A1分组，规范值按表1。T=-55，除Ytk+，Vik-不测外.所有参数条件同A1分组.规范直按表1Ct
Yrn=0V,f-1MHz.分别测每个输人端对 Vss之间的电容。
Vro=5V,动能测试.按功能表。
引用标准
GB3834
SJ50597/29—94
续表3
（若无其它规定，Vss=0V。Ta=25cRL= 2nako,
CL= S0pF,
t,t 0ng
【元本规范医2】
Rt = 200k2, CL - 50pF,
f,,=10mg
A, B-+FA>R
A,B+FAA,B-+F-B
A>B→FAAA=B→FA--
测输出靖。(见本规范因2)
TA-125C,参数、条件同A9分组。规范值按表1T，=-55℃,参数，条件同A9分组。规范值拔表1Al
注：1)引用标准为GB3439-82第2.1条。Voo- sv
Voo = 10
Vop=1sv
Voo=10V
Vpp= 15V
Vou-sv
Voo=10V
规范值
最小最天
2)对25芒条件下测「m、Iu，制造厂可选择分别测每：个输人端或所有输人期并接测量的方法。3)引用提为 GB 3439 -82g
测试线路
Woo=5V
测试波形
图？并关时间测试线路和波形图-TrKAONKAa-
SJ 50597/29—94
注:DR,=200k0,C,-50 ±5pF(包括探头及夹具电容)。②脉冲发生器其有下列特性;
脉冲幅度：V,=Vo±1%
占空比：9=50%
脉宽:w=1.0±0.1μg1
上升，下降时间：1≤10+2.0≤10±2.0mg频率：F=200kHz-1MHg
3.6标志
器件标志应按GJB597第3.6条的规定。3.3.1总剂量辐射强度标志
总剂量辐射强度等级标志应按GTB597第3.6.2.6条和本规范第4.5.5条的规定。3.6.2标志的正确性
所有件在标上器件编号后，应经受表2规定的最终电测试，也可以经受特殊设计经认可的电测试，以验证器件编号标志的正确性。3.7微电路组的划分
本规范所涉没器件应为第39微电路组（见GJB597附录）。4量保证规定
4.1抽样和检验
若无其它规定，抽样和检验程序应按GJR597和GIB548方法5005的规定。4.2筛选
要鉴定检验和质量致性检验之前，全部器件应接GIB548方法5004和本规范表4的想定进行筛造：
表4筛选
若无其它规定，表中引用的试验方法系指GJB548的试验方法。条件和要求
简选项目
内部目检
(封装的）
稳定性琪培
(不要求终点测试)
温度循环
恒定加逮度
r 10 +
B级器件
2010 ,试验条件 B
试验紊件 C
(150℃,24h）
试验条件 C
试验条件 E,
E,级器件
试验条件B
试验条件 C
(150℃,24h)
试验条件C
2001试验条件D，
Y,方向
可用方法1011试验条件
A替代。
试验后进行旦检，引线断
落、外荒破裂、封盖脱落
为失效。
肇选境耳
呼间（老化前)电测域
静态老化
动态老花
中间(老化后)电测试
产许术合格品率(PTIA)
及其计算
最终电测试
粗检瀑
外部目检
鉴定或质量-致性检验
的试验样品抽取
SJ50597/29--94
条件和要试
P级器件
本现荫 A1分
试验条件 A
(125c:, 160h)
试验您件心爽E
(125,160)
本规范 A1 分组
和表极限
5%,本规范 A1
分组。当下会
婚品率不超站
20 %时, 可重新
宪交老化,但只
充许一次
本规范 A2、A3、
A7,A9 分组
10141试验涤件：
AI 或 A2
GI或C2
5055；第3.5条
E,级馨典
本规范 A1 分组
101s试验条件A
(125,160n)
试验条件 D 或 E
(125C,160h)
本规范 A1 分组
和表102极限
测试并别途41分缓不
格品,井记录要求(4)测
试的 p、IoL、oH的道。
采用本就范图 3、围4线
可送取静态，动态老
化的其中一种方式。
10%，本规范
！用老化史效数（包括超过
AI分组，当不A1分组规范值和4极限冷格品率不超
值的器伴)除以提交老化
过20%时,可重
的合格器件数即为 PAD。
新提交老化，但
只允许一次
本规范 AZ、A3、
A7.A分组
试验条件：
A1效A2
C1 或 C2
5005第3.5条
不大于规定的PAD时则
该批应接收。
车项缔选后，若器牛的引
线论覆或返工，叫应再进
: 行 A1 分组测试。
在发贷前按批进行。
-TrKAONKAca-
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SJ50597/29-94
半导体集成电路JC4585型
CMOS4位数值比较器详细规范
Semiconductor integrated circuitsDetail specification for type JC4585of CMOS 4-Bit magnitude comparator1994-09-30发布
1994-12-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体集成电路JC4585型
CMOS4位数值比较器详细规范
Semicanduclor in tegrated circuitsDetail specification for type .ICA585of CMos 4-bit magnitude comparator1范围
1.1主题内容
SJ 50597/29 -- 94
本规范规定了半导件集成电路JCA5BS型CMOS4位数值比较器（以下简称器件）的详细要求。
1.2适用范围
本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类
本规范给出的器件按器件型号、器件等级和封装形式分类。1.3.1器件编号
器件编号应按GIB 597(微电路总规范>第3.6.2条的规定。1.3.1.1器件型号
器件型号如下：
婴件型号
JC45B5
1.3.1.2器件等级
器件型号
CMOS4 位数值比较器
器件等级应为 GJB 597第 3.4条所规定的 B级和本规范规定的 B,级。1.3.1.3封装形式
封装形式应按GB/T7092-93(半导体集成电路外形尺寸>的规定。封装形式如下：
外形代号
D1633（陶瓷双列封装）
FI6X2（瓷扇平封装）
H16X2（陶悠焰封扁平封装）
JI6X3（陶瓷熔封双列封装）
中华人民共和国电子工业部
1994.09-30发布
1994-12-01实施
rKAONKAca-
1.4绝对最大额定值
绝对最大额定值如下；
电源电压
人电压
辖人电流(每个辅入端)
存湿度范围
引线时焊接筐度（10s）
1.5推荐工作条件
推荐工作条件如下：
电徽电压
工作坏境温质
引用文件
GR 3431.1 - R2
GB 3431.286
GB 3439 - 82
GB 3834 - 83
GB 4590 - 84
OB 4728.12 -- 85
GB/T 7092 - 93
GIB 54888
GJB 597-88
GJB 1649 - 93
3要求
3.1详细要求
S.I 50597/29—94
500(-55-100℃)
200(100 ~ 125)
半导体集戚臣路文宇符号：电参数文字符号半导体集成电路文字符号引出端功能符号半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理举导体集成电路机械的气候试验方法电气图用图形符号二进制逻辑单元率导体集成电路外形尺寸,
微电子器性试验方法和程序
微电路总规范
电子产品防静电放电控制大纲
各项要求应按GJB597和本规范的规定！单位
本规范规定的B，级器件仅在产品保证规定的筛选、鉴定和质量一致性检验的某些项目和要求不同于B级器件。
3.2设计、结构和外形尺寸
SJ 50597/29—94
设计、结构和外形尺寸应符合GTB597和本规范的规定。3.2.1逻符号、遵辑图和引出端排列逻辑符号，逻辑菌和引出端排列应符合图1的规定。逻辑符号和逻辑图符合GB4728.12的规定。引出端排列为俯视图。遂辑符号
P>QEA>
引出端排列
TYr KAoNi KAca
逻辑图
SJ 50597/29—94
图1逻辑符号、逻辑图和引出端排列注：①F、HJ型封装的引出端排列D型封装。3.2.2功能表
功能表如下：
Ag = Bs
Aa = By
A, = By
Ag = B
A2 = B2
A = Bt
A, = B
Aa> Ba
Ag = Bg
Ag = B
Az - Bz
Ag= E2
注: H—高电平;
3.2.3电路图
SJ 50597/29—94
Ag - E
低电平；
任意态。
制造厂在鉴定前应将电路图提交给鉴定机构、并由鉴定机构存档备查。3.2.4封装形式
封装形式应按本规范第1.3.1.3的规定。3.3线材料和涂覆
引线材料和爱应按GJB597第3.5.6条的规定。3.4电特性
电特性应符合本规范表1的规定。3.5电试验要求
器件的电试验要求应为本规范表2所规定的有关分组。各个分组的电测试按本规范表3的规定。
输人正猎位电压
输入负拖位中压
电源电流
表1电特性
(若无其它规定,Vss=0V)
Vs开路,撤出开路, Irk= Im4
Vss接地,输出端开路,Ire一
Vi=ov, V(h=sV
Vi.- ov. Vih - 1ov
Vi. - ov, Vih- IsV
ViL=0V, Vin= I5V
输出高电平电压
输出候电平电压
输人高电电压
Vin= 15V, VeL - 0V
Vcu=4.sV或 Yau=0.5V
Vo=V或 VoL =1V
Vur=13.5V或Vu-1.5V
规范值
VeDT.= -55d Ta=25℃.
最小最大主
最小最大
「,=125t单位
-TrKAONTKAa-
插人低电平函
输山高电平屯
输出电平电
输入高电平电流
输入嵌电平电统
输人电容
输入试验电压
传输延迟时间
输出转换时间
SJ50597/29-94
续表1
(若无其它规定，Vss-0V)
VoL=1.5V 或 Vor= 4.5V
Vol. - 1V或 Vou - 9V
VoL=1.5V或V=13.5V
V,- 5V, Ym*4.6V
V,= [0V, Von=9.5V
V,-- 15V. Yct - 13.5V
V,=- 0V, Va.-0.4V
V,= 0V, Vo, =0.5V
Y,-Gv. Vol-1.5V
Vm= 15V
Vh= oV
F=1 MHz
C, = 100pF, R, = 1.5kn
(见本规蔗4.5.3 条）
Rr=200n,
GL= 50nF
2e, t, -- l0ns
f=200kFz
(见本规范氢
A,B-+FA>R
A>B-+FA
A=B→FA-B
K, = 200k, C,= 50pH
t. t,= 10ns, f=200kHz
（见本规范图2）
规范值
YE.= - 55e
a-125单位
最小最
最小最大最小
中间（老化荫）
电测试
中司（老化后)
电测试
最终电测试
A组电测试
C组终点电测试
C组检验增加的电测
试分组
D纤终点电测试
SJ 50597/29—94
表 2 电试验要求
B级器件
分组（见表3）
A2, A3, A7, A9
A1, A2, A3, A4.
A7,A9,A10,AII
注：1)该分组要求PDA计算(4.2条)。变化量极限
B级器件
分组(见表3)
A2, A3, A7, A9
Al, A2, A3, A4.
A7, A9
AL, A2. A3
Al,A2, A3
变化量极限
2)老化和荐命试验要求4变化量测试。4变化量极限按本规范第4.5.2第的规定。表3电测试
引联标理
GB3634
Vo. ; 2.8
(若无其它规定，Vs=0V。T。=25Vrn接地，Vss开路。被测铺人Ix=1mA，非被溉输人开路，输出开路。
Vpp开路，Vss接地。被测输入Jk=－1mA,非被测输入并路,输出开路。
Vap=V,Vn=oV,Vitr=5V,输出开路。Vob- 1nV, VrL- 0x. Vrx= 10V,赣出开路。Vm-15V, VL-0V, Vi=15V,输出开路。Vm-15V、被测输入V-0V,输出开路：所有其它至被测端开路，被测储出「o=0。Vnm=15V,被测输入Vi=15V,输出开路；所有其它非被测埗开路。被测输出 Icz-0。规范值
最小最大
-TrKAoNiKAca-
分组符号
引用标准
GB3834
SJ 50597/29—94
续表3
(若无其它规定，Vs-0V。T,-25℃Vpp-5V,该测输入端为Vi,其它输人端接地，粒测输出端Va0.5V或Vor=4.5V。VDL=10V,被测摘入端为V，其它输入端接地，被测输出竭 Vo.=1V 或 Voer=9V。Vpo=15V,被测输入端为 V,其它输人竭接地，被测输出端Va=1.5V或Vom=13.5V。Vrn=5V,被测输人端为 Vi其它输人端接地，被测出端 V.\0.5V或 Vo=4.5V。Vrn \10 V,被测输人端为 V,其它辅人端按地,被测输出期Vo=1V或VoH=9V。
VrD =15V,被测输入端为 Vr.其它输入端接地，被测出端VoL-1.5V或Vom13.5V。V=15V,输入靠逐-测 VH=I5V,其它输人竭接地。V=15V,输人举逐一测Ve=0V，其它输入瑜接15V。VpD=SV,核测输入端为 V=OV,
被测輪出缔Va=4.6V。
VD = 10V, 被测输入端 Vil,= 0V,被谢输出 VcH = 9.5V
Vrn = I5V, 被测输人 Vit - OV,被测输出 Vcu= 13.5V。
Vm=5V,被测输人端为 VIH=SV
被测输出端Vo.-0.4V。
Vpp= 10V,被测输入端 Vμ= 10V,被测输出端V=0.5V。
Vrm= 1SV,被测物人端 Ym= 15V,被测输出端VoL=1.5V
规范镇
TA=125C,除 Vlx+，Vix-不测外,所有参数条件同 A1分组，规范值按表1。T=-55，除Ytk+，Vik-不测外.所有参数条件同A1分组.规范直按表1Ct
Yrn=0V,f-1MHz.分别测每个输人端对 Vss之间的电容。
Vro=5V,动能测试.按功能表。
引用标准
GB3834
SJ50597/29—94
续表3
（若无其它规定，Vss=0V。Ta=25cRL= 2nako,
CL= S0pF,
t,t 0ng
【元本规范医2】
Rt = 200k2, CL - 50pF,
f,,=10mg
A, B-+FA>R
A,B+FA
A>B→FA
测输出靖。(见本规范因2)
TA-125C,参数、条件同A9分组。规范值按表1T，=-55℃,参数，条件同A9分组。规范值拔表1Al
注：1)引用标准为GB3439-82第2.1条。Voo- sv
Voo = 10
Vop=1sv
Voo=10V
Vpp= 15V
Vou-sv
Voo=10V
规范值
最小最天
2)对25芒条件下测「m、Iu，制造厂可选择分别测每：个输人端或所有输人期并接测量的方法。3)引用提为 GB 3439 -82g
测试线路
Woo=5V
测试波形
图？并关时间测试线路和波形图-TrKAONKAa-
SJ 50597/29—94
注:DR,=200k0,C,-50 ±5pF(包括探头及夹具电容)。②脉冲发生器其有下列特性;
脉冲幅度：V,=Vo±1%
占空比：9=50%
脉宽:w=1.0±0.1μg1
上升，下降时间：1≤10+2.0≤10±2.0mg频率：F=200kHz-1MHg
3.6标志
器件标志应按GJB597第3.6条的规定。3.3.1总剂量辐射强度标志
总剂量辐射强度等级标志应按GTB597第3.6.2.6条和本规范第4.5.5条的规定。3.6.2标志的正确性
所有件在标上器件编号后，应经受表2规定的最终电测试，也可以经受特殊设计经认可的电测试，以验证器件编号标志的正确性。3.7微电路组的划分
本规范所涉没器件应为第39微电路组（见GJB597附录）。4量保证规定
4.1抽样和检验
若无其它规定，抽样和检验程序应按GJR597和GIB548方法5005的规定。4.2筛选
要鉴定检验和质量致性检验之前，全部器件应接GIB548方法5004和本规范表4的想定进行筛造：
表4筛选
若无其它规定，表中引用的试验方法系指GJB548的试验方法。条件和要求
简选项目
内部目检
(封装的）
稳定性琪培
(不要求终点测试)
温度循环
恒定加逮度
r 10 +
B级器件
2010 ,试验条件 B
试验紊件 C
(150℃,24h）
试验条件 C
试验条件 E,
E,级器件
试验条件B
试验条件 C
(150℃,24h)
试验条件C
2001试验条件D，
Y,方向
可用方法1011试验条件
A替代。
试验后进行旦检，引线断
落、外荒破裂、封盖脱落
为失效。
肇选境耳
呼间（老化前)电测域
静态老化
动态老花
中间(老化后)电测试
产许术合格品率(PTIA)
及其计算
最终电测试
粗检瀑
外部目检
鉴定或质量-致性检验
的试验样品抽取
SJ50597/29--94
条件和要试
P级器件
本现荫 A1分
试验条件 A
(125c:, 160h)
试验您件心爽E
(125,160)
本规范 A1 分组
和表极限
5%,本规范 A1
分组。当下会
婚品率不超站
20 %时, 可重新
宪交老化,但只
充许一次
本规范 A2、A3、
A7,A9 分组
10141试验涤件：
AI 或 A2
GI或C2
5055；第3.5条
E,级馨典
本规范 A1 分组
101s试验条件A
(125,160n)
试验条件 D 或 E
(125C,160h)
本规范 A1 分组
和表102极限
测试并别途41分缓不
格品,井记录要求(4)测
试的 p、IoL、oH的道。
采用本就范图 3、围4线
可送取静态，动态老
化的其中一种方式。
10%，本规范
！用老化史效数（包括超过
AI分组，当不A1分组规范值和4极限冷格品率不超
值的器伴)除以提交老化
过20%时,可重
的合格器件数即为 PAD。
新提交老化，但
只允许一次
本规范 AZ、A3、
A7.A分组
试验条件：
A1效A2
C1 或 C2
5005第3.5条
不大于规定的PAD时则
该批应接收。
车项缔选后，若器牛的引
线论覆或返工，叫应再进
: 行 A1 分组测试。
在发贷前按批进行。
-TrKAONKAca-
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