SJ 50597.33-1995 半导体集成电路 JB200型CMOS双路单刀单掷模拟开关详细规范 SJ50597.33-1995 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国电子行业军用标准FL5962
SJ50597/33-1995
半导体集成电路
JB200型CMOS双路单刀单模拟
开关详细规范，
Semiconductor integrated circuitsDetail specification of type JB 200 CMOSdual SPST analog switeh
1995-05-25发布
1995-12-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体集成电路
JB200型CMOS双路单刀单掷模拟开关详细规范
Semiconductor iniegrated cfrcuitsDetail speeificatlon of type JB 200 CMosdual SPST analog swltch
1范围
1.1主题内容
SJ 50597/33-1995
本规范规定了半导体集成电路JB200型CMOS双路单力单掷模拟开关（以下简称器件）的详细求。
1.2适用范围
本规范适用于器件的研制，生产和采购。1.3分类免费标准bzxz.net
本规范给出的器件按器件型号、器件等级、封装形式、功率和热特性分类。1.3.1 器件编号
器件编号应按GJB597(微电路总规范》第3.6.2条的规定。1.3.1.1器件型号
器件型号如下：
器件型号
JR 200
1.3.1.2件等级
器件名称
CMOS双路单刀单掷模拟开关
器件等级应为GJB597第3.4条规定的B级和本规范规定的B,级。1.3.1.3封装形式
封装形式应按GB7092(半导体集成电路外形尺寸>的规定。封装形式如下：
中华人民共和国电子工业部1995-05-25发布外形代号
D14S3(陶瓷双列封装)
J[4S3(陶瓷熔封双列封装)
T10B4【带支柱、金属园形封装】1995-12-01实施
rKAONKAca-
1.3.1.4功率和热特性
功率和热特性如下：
封装形式
绝对最大额定值
绝对最大额定值如下：
V,至 V_电源电压(V.~V.)
数字输入电压
模拟输入电压
最大电流
乾存温度
引线耐焊接度(10s)
1.5 推荐工作条件
SJ50597133-1995
最大允许功耗(mW)
TA= 125t
S或D端
推荐工作条件下：
正电源电压：V=15V
负电源电压：V_=-15V
输人高电平电压：V≥2.4V
输人低电平电压：V≤0.8V
工作环境温度：-55≤T≤125℃
2引用文件
最大值(t/w)
GB3431.1—86半导体集成电路文字符号电参数文字符号GB3431.2一86半导体集成电路文字符号引出端功能符号GB 4590—84
平半导体集成电路机械和气候试验方法GB/T 7092—93
平导体集成电路外形尺寸
GJB 548—88
GJB 597-88
GIB 164993
3要求
微电子器件试验方法和程序
微电路总规范
电子产品防静电放电控制大纳
3.1详细要求
SI50597/33—1995
各项要求应按GJB 597和本规范的规定。本规范规定和B，级器件仅在产品保证规定的筛选、鉴定和质量一致性检验的某些项口和要求不同于 R级。
3.2设计结构和外形尺寸
设计结构和外形尺寸应符合GJR 597和本规范的规定3.2.1引出端拌列
引出端排列应符合图1的规定。引出端排列为俯规图。D14S3.J14S3引出端排列：
T10B4引出端排列：
3.2.2功能表
图1引出端排列
TKAONKAca
功能表如下：
3.2.3功能框图
输人电压
2.4VS V≤15V
v v,0.8 V
功能框图应符合图2的规定。
3.2.4电路图
SJ50597/33—1995
及驱动
图2功能框图（+
开关状态
制造厂在监定前应将电路图提交给鉴定机构，各制造厂的电路图应由鉴定机构行挡备查。3.2.5封装形式
封装形式应按本规范1.3.1.3条的规定。3.3引线材料和涂覆
引线材料和涂覆应按GIB597第3.5.6条的规定。3.4电特性
电特性应符合表1的规定。
3.5键合
键合应按GJB597第3.7.1.1条的规定。特
导通电阻
输人蜡关断漏电演
输出端关断电流
开关导通潜电流
输入低电平电流
翰入高电平电施
正电源电流
负电源电缆
控制端输人电容
开关输入电容
开关输出电容
开关导通时间
开关关断时间
关断隔高度2
通道串扰3
SJ50597/33-1995
表1电特性
(若无其他规定, Y+= 15V, V_= -15V)YL-0.8V
Vas=10V
II = 1mA
Vus=-10V
rDy= ImA
Vis=14V
Vi(m= - 14V
Vxs = -14V
VKm=14V
Vx=14V
Vus = -14V
Vkp) -- 14
Vhs - 14V
TA-25C, -55C
IA=125
T,-25C. - 55
TA=125r
Ta=25t
TA=125C, -55C
TA-125, ~ 55C
Ta=25t
TA-125.-55
TA-25C
TA= 125t, - 33t
Vkm=Vg=1
TA-25t
voyeoVs
= — 14V
Vr-15V
Va=oV或
Va=0V或
TA=125C, -55C
Ta-25r
TA=125C, -55C
Ta=25℃
TA= I25C, -55C
TA=2sC
T.- 125.-55
TA-2r.125c
T,= 5st
Ta-25.125t
Ta= -sst
Ta=25t,GND=0V, V=0V,F= IMH
TA -25C,CND- OV, ViH- 5V,f- 1MHTA= 25C,CND= DV, VH - 5V, f- 1MHCt.= 100pF
CL=100pF
R,=ikn
TA=25,-55C
Ta-125t
TA=25C. -55C
I,= 125t
TA -25, V,. =1V, f- 200kHz
TA= 25C. V,.- 1V, f= 200kFz
规范值
小最大
注：1)仅在初始监定及当工艺和设计发生变化有可能影响输入电容时进行测试。2
-TrKAONKAa-
SJ50597/33-1995
2)仅在韧始监定改当工艺和设计发生变化时进行训试。3.6电试验要求
器件的电试验要求应为表2所规定的有关分组，各分组的电测试按表3的规定。表2电试验要求
中间(老化前)电测试
中间(老化后)电测试
最凝电测试
A组试验要求
C组终点电测试
C组检验增加的电试验分组
D组终点电测试
B纽器件
A2.A3、A42)、A9
分组 (见表3)
B,级器件
A2.A3、A42) A9
Al.A2. A3,A42).A9.A10.A11
A1和表4的4极限
不要求
A1.AZ.A3.A42) A9
AI和表4的4极限
注：1)该分组要求IDA计算(见本规范4.2条)。2)该分级仅在初始鉴定和当工艺或设计改变时进行。对Ci、Cs和Cc进行测尽时.在被测置的输入端和地之间迷接电容电桥.f-1MHzs-TrKAONTKAa-
SJ 50597/33-1995
-atl -
测试号
SJ 50597/33—1995
被测端
医医医院
刺试母
-TrKAONTKAa-
SJ 50597/33-1995
被測端
AsI -AtI -
SJ 50597/33-1995
被测群
AT-[al--
Asr-Apl-A -
测试号
hss--l
-TrKAONKAca
SJ 50597/33-1995
被测端
测试号
pss--l
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