SJ 50597.57-2003
基本信息
标准号： SJ 50597.57-2003
中文名称：半导体集成电路 JW584/JW584A型可编程电压基准详细规范
标准类别：电子行业标准(SJ)
标准状态：现行
出版语种：简体中文
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相关标签： 半导体 集成电路 可编程 电压 基准 详细 规范
标准分类号
关联标准
出版信息
相关单位信息
标准简介
SJ 50597.57-2003 半导体集成电路 JW584/JW584A型可编程电压基准详细规范
SJ50597.57-2003
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标准内容
中华人民共和国电子行业军用标准FL5962
半导体集成电路
SJ50597/57--2003
JW584/JW584A型可编程电压基准详细规范
Semiconductorintegrated circuitsDetail specification for type JW584/JW584A progammable voltage reference2003-06-04发布
2003-12-01实施
中华人民共和国信息产业部批准前言
1范围
引用文件
设计、结构和外形尺寸
引线材料和镀涂
电特性，
电试验要求
质量保证规定
检验分类
鉴定检验
质量一致性检验
检验方法
5交货准备..
包装要求.
说明事项
预定用途
订购文件应明确的内容
符号和定义
替代性
SJ50597/57—2003
本规范是GJB597A—1996《半导体集成电路总规范》的相关详细规范。本规范由信息产业部电子第四研究所归口。本规范起草单位：北京半导体器件五。本规范主要起草人：张宝华、沈琪。SJ50597/572003
1范围
半导体集成电路
JW584/JW584A型可编程电压基准详细规范
SJ50597/57—2003
本规范规定了硅单片集成电路JW584/JW584A型可编程电压基准（以下简称器件）的详细要求。2引用文件
下列文件中的有关条款通过引用而成为本规范的条款。凡注日期或版次的引用文件，其后的任何修改单（不包括勘误的内容）或修订版本都不适用于本部分：但提倡使用本规范的各方探讨使用其最新版本的可能性。凡不注日期或版次的引用文件净其最新版本适前于本规范GB3431.2半导体集成电路文字符号号通端功能得影GB/T7092—1993半导体集成电路外形尺寸GJB548A-1996。微电子器件试验方法和程序GJB597A—1996半导体集成电路总规范SJT10734半导体集成电路文疗符景电我数文宇符号3要求
3.1总则
各项要求应符合GJB597A
应以本规范为准。
3.2设计、结构和外形尺寸
3.2.1引出端排列
引出端排列应符合本规范
3.2.2外形尺寸和封装形式
-1996和本规范的规定。本规范的要求与GJB597A1996不一致时，外形尺寸和封装形式应符合GB/7092封装形式如下：
3.2.3功能框图
功能框图应符合本规范图2的规定。3.2.4绝对最大额定值
绝对最大额定值如下：
输入电压（V)：
输出电流（）：
最大耗散功率（Pp)：
1993中741和7.61的规定
下/1084金璃圆形封装，见图1）J08S2（陶瓷熔封双列封装，见图1)SJ50597/57—2003
贮存温度范围（Tt）：
-65℃~175℃
引线耐焊接温度(10s）（T）：
300℃
工作结温（T)：
-55℃~150℃
3.2.5推荐工作条件
推荐工作条件如下：
输入电压范围（V)：
输出电流（omx）：
工作环境温度(TA)：
3.2.6功率和热特性
功率和热特性如下：
封装型式
-55'℃~125℃
最大允许功耗“
Pp(T.=125℃)
所有的引线都被焊接或固定在PC板上。应用于T≥75℃。
3.3引线材料和镀涂
热阻（最大值）b
38℃W
引线材料和涂覆应按GJB597A-1996中3.5.6的规定。3.4电特性
电特性应符合本规范表1的规定。20
T08A4型（仰视图）
外形代号
输出10.0V
输出10.0V
输出5.0V
输出5.0V
输出2.5V
输出2.5V
引出端
公共端
公共端
J08S2型（府视图）
选通端
选通端
引出端排列
基准端
基准端
热阻（最大值）
150℃/
100℃W
补偿端
补偿端
输入端
输入端
电源电流
输出电压
电压调整率
电流调整率
短路电流
输出电压
温度系数
输出噪声
输出白噪声
图2功能框图
表1-1
JW584电特性
（除另规是）
15-0mA
1cN-38-,Vo-10V,TA-25℃
V-10V,TA=25℃
Vo=7.5 V, TA-25~℃C
Y05.0#25℃
125VK15Vo-10V,T=25℃
15V≤VN≤30V-10T-25℃
125V≤WNE15V-Vo-10V
V0Va10V
VA10V.A5mA0MA7-25℃
Vo-7.5V.-5m-o-25c
SJ50597/57—2003
极限值
244925
so-soV-mAco53cm
L562sv.mehe0m76250
ShsPo-IdVA SmArSOmACe
SVo-7.5V,-5mA≤≤0mA
35.0V,-5mA≤I≤0mA
NoiP-P
Nozmns
建立时间（从V开始到
V为90%时的时间）
Vo-2.5V-5mA≤≤0mA
Vot1overs
Vaalov
Vo-10V,0.1Hz≤BW≤10Hz
见图4).TA=25℃
Vo=10V,10HzBW≤100kHz
（见图5），TA-25℃
Vo=10V，h=0mA，（见图6)，T=25℃Vo=10V，=-5mA，见图6)，T=25℃5x.10
5:0150
1×104
SJ50597/57—2003
电源电流
输出电压
电压调整率
电流调整率
短路电流
输出电压
温度系数
输出噪声
输出白噪声
建立时间(从И开始到V
为90%时的时间）
3.5电试验要求
No2rts
表1-2JW584A电特性
（除另有规定外TA：55℃~125℃，V=15V,=0 mA)
VN=38V,Vo=10V,Ta-25℃
Vo=10 V, TA-25℃
Vo-7.5V,TA-25℃
Vo=5.0 V, TA=25C
Vo=2.5V,TA=25℃bzxZ.net
12.5≤V≤15,o=10,=25c
15VV≤30,Vo-10,TA-25℃
12.5V≤V≤15V,Vo=10V
15V≤V30VVo=10V
Vo-10V,-5mA≤/≤0mA,T^=25℃
Vo-7.5V.-5mA≤/≤0mA,TA=25°℃Vo=5.0V,-5mA≤≤0mA,TA-25C
Vo-2.5V.-5mA≤/<0mA,TA-25C
Vo10V,-5mA≤/≤0mA
Vo-7.5 V, -5mA≤h≤0 mA
Vo=5.0V,5mAh≤0mA
V=2.5 V,-5mA≤1≤0mA
Vo=10y
Vo=10V
Vo=2.5V,7^=125℃
Vo-2.5V,TA--55C
Vo=10V,0.1Hz≤BW≤10Hz,
（见图4)，TA=25℃
Vo=10V,10Hz≤BW≤100kHz,
（见图5），TA-25℃
Vo-10V,l=0mA，（见图6)，TA=25℃Vo-10V，h=-5mA，（见图6)，T=25℃极限值
-5×10-5
-1×10-4
器件的电试验要求应按表2所规定的有关分组，各分组的电测试按表3的规定。表2电试验要求
中间（老炼前）电测试
中间（老炼后）电测试
最终电测试
A组电试
C组终点电测试
D组终点电测试
该分组要求PDA计算。
B级器件
A2，A3
AI, A2, A3, A4, A9
A1分组和表84极限
分组（见表3）
5×10-5
B1级器件
A2，A3
A1.A2. A3, A4. A9
A1分组和表84极限
SJ50597/57-2003
s-o1xs
g-01xs
s-o1xs
OstO's
S00'0-
s-o1xs
5-01xs
-01xs-
s-01xS-
wask,oxoap
cainon
一装用
SJ50597/57--2003
TA=-55°℃C
TA-25℃
TA=25℃
NoIP-P
Noznns
测试条件（见图3）
适用的电压和电流（参见10端）ViN(V)h(mA)
17(mA)
表3-1（续）
测量值（参见11端）
引出端数值
Sm-(E1-E21X10°yE1
Si2-(E2-E22X10*VE2
Srp-(E3-E23X10°VE3
ST4-(E4-E24)(10\VE4
Svi=100(E21-E25)/2.SE21
Sv2-100(E26-E21)15E2)
Su=(E21-E27X10VSE21
S2=(E22-E28X10V5E22
St(E23-E29)10-/SE23
S-(E24-E30X10*y5E24
los=15
NoIP-P=E31(见图4)
Noz2m=E32(见图5)
t=(见图6)
t=1(见图6)
极限值
-1×104
-1X104
-1×104
-1×10-4
1×104
1X10-4
1×104
1×104
SJ50597/57--2003
s-otxs
s-otxs
0900's
oo1oot
+01XI-
r-o1x1
010°0-
s-o1xs-
s01xs-
s01xs-
so1xs-
askootas
(Vu)(A
SJ50597/57--2003
TA--55℃
Nozmna
TA-25℃
TA=25℃
测试条件（见图3）
适用的电压和电流（参见10端）V(V)(mA)Vo(V)/(V)(mA)
表3-2（续）
测量值（参见11端）
引出嘴
St(B1-B21X10\E)
Sm-(E2-E22X10VE2
Sr=(E3-E23X10°VE3
Sr-(E4-E24)X10)E4
Svi=100(E21-E25)2.5E21
Sv2=100(E26-B21)15E21
Su-(E21-E27(10VSE21
Si2-(E22-E28)(10V5E22
Sts(E23-E29X10V/5E23
S14-(E24-E30)(10/5E24
los=15
NoIP-P=E31(见图4)
No2m=E32(见图5)
=(见图6)
=(见图6)
极限值
-×10-
-1×10-4
-1X10-
-1×104
1×104
1×10-4
Vy检测
钼电容
用于负载调整率测试，加载脉冲最大值为100ms，占空比最大为1%。所有电容器精度为士10%。
图3静态测试电路
Yo检测
基准。
GND。10
GND检测
SJ50597/57-2003
示波器
所有电容器为47uF的钮电容器和6.T证的酶资电容器并联，所有电阻器精度为素1%：所有电容器精度为士10%。INFORM
运算放大器AI是直流电压比较器。示波器基准时间设置为1s/cm。
输出噪声测试电路
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半导体集成电路
SJ50597/57--2003
JW584/JW584A型可编程电压基准详细规范
Semiconductorintegrated circuitsDetail specification for type JW584/JW584A progammable voltage reference2003-06-04发布
2003-12-01实施
中华人民共和国信息产业部批准前言
1范围
引用文件
设计、结构和外形尺寸
引线材料和镀涂
电特性，
电试验要求
质量保证规定
检验分类
鉴定检验
质量一致性检验
检验方法
5交货准备..
包装要求.
说明事项
预定用途
订购文件应明确的内容
符号和定义
替代性
SJ50597/57—2003
本规范是GJB597A—1996《半导体集成电路总规范》的相关详细规范。本规范由信息产业部电子第四研究所归口。本规范起草单位：北京半导体器件五。本规范主要起草人：张宝华、沈琪。SJ50597/572003
1范围
半导体集成电路
JW584/JW584A型可编程电压基准详细规范
SJ50597/57—2003
本规范规定了硅单片集成电路JW584/JW584A型可编程电压基准（以下简称器件）的详细要求。2引用文件
下列文件中的有关条款通过引用而成为本规范的条款。凡注日期或版次的引用文件，其后的任何修改单（不包括勘误的内容）或修订版本都不适用于本部分：但提倡使用本规范的各方探讨使用其最新版本的可能性。凡不注日期或版次的引用文件净其最新版本适前于本规范GB3431.2半导体集成电路文字符号号通端功能得影GB/T7092—1993半导体集成电路外形尺寸GJB548A-1996。微电子器件试验方法和程序GJB597A—1996半导体集成电路总规范SJT10734半导体集成电路文疗符景电我数文宇符号3要求
3.1总则
各项要求应符合GJB597A
应以本规范为准。
3.2设计、结构和外形尺寸
3.2.1引出端排列
引出端排列应符合本规范
3.2.2外形尺寸和封装形式
-1996和本规范的规定。本规范的要求与GJB597A1996不一致时，外形尺寸和封装形式应符合GB/7092封装形式如下：
3.2.3功能框图
功能框图应符合本规范图2的规定。3.2.4绝对最大额定值
绝对最大额定值如下：
输入电压（V)：
输出电流（）：
最大耗散功率（Pp)：
1993中741和7.61的规定
下/1084金璃圆形封装，见图1）J08S2（陶瓷熔封双列封装，见图1)SJ50597/57—2003
贮存温度范围（Tt）：
-65℃~175℃
引线耐焊接温度(10s）（T）：
300℃
工作结温（T)：
-55℃~150℃
3.2.5推荐工作条件
推荐工作条件如下：
输入电压范围（V)：
输出电流（omx）：
工作环境温度(TA)：
3.2.6功率和热特性
功率和热特性如下：
封装型式
-55'℃~125℃
最大允许功耗“
Pp(T.=125℃)
所有的引线都被焊接或固定在PC板上。应用于T≥75℃。
3.3引线材料和镀涂
热阻（最大值）b
38℃W
引线材料和涂覆应按GJB597A-1996中3.5.6的规定。3.4电特性
电特性应符合本规范表1的规定。20
T08A4型（仰视图）
外形代号
输出10.0V
输出10.0V
输出5.0V
输出5.0V
输出2.5V
输出2.5V
引出端
公共端
公共端
J08S2型（府视图）
选通端
选通端
引出端排列
基准端
基准端
热阻（最大值）
150℃/
100℃W
补偿端
补偿端
输入端
输入端
电源电流
输出电压
电压调整率
电流调整率
短路电流
输出电压
温度系数
输出噪声
输出白噪声
图2功能框图
表1-1
JW584电特性
（除另规是）
15-0mA
1cN-38-,Vo-10V,TA-25℃
V-10V,TA=25℃
Vo=7.5 V, TA-25~℃C
Y05.0#25℃
125VK15Vo-10V,T=25℃
15V≤VN≤30V-10T-25℃
125V≤WNE15V-Vo-10V
V0Va10V
VA10V.A5mA0MA7-25℃
Vo-7.5V.-5m-o-25c
SJ50597/57—2003
极限值
244925
so-soV-mAco53cm
L562sv.mehe0m76250
ShsPo-IdVA SmArSOmACe
SVo-7.5V,-5mA≤≤0mA
35.0V,-5mA≤I≤0mA
NoiP-P
Nozmns
建立时间（从V开始到
V为90%时的时间）
Vo-2.5V-5mA≤≤0mA
Vot1overs
Vaalov
Vo-10V,0.1Hz≤BW≤10Hz
见图4).TA=25℃
Vo=10V,10HzBW≤100kHz
（见图5），TA-25℃
Vo=10V，h=0mA，（见图6)，T=25℃Vo=10V，=-5mA，见图6)，T=25℃5x.10
5:0150
1×104
SJ50597/57—2003
电源电流
输出电压
电压调整率
电流调整率
短路电流
输出电压
温度系数
输出噪声
输出白噪声
建立时间(从И开始到V
为90%时的时间）
3.5电试验要求
No2rts
表1-2JW584A电特性
（除另有规定外TA：55℃~125℃，V=15V,=0 mA)
VN=38V,Vo=10V,Ta-25℃
Vo=10 V, TA-25℃
Vo-7.5V,TA-25℃
Vo=5.0 V, TA=25C
Vo=2.5V,TA=25℃bzxZ.net
12.5≤V≤15,o=10,=25c
15VV≤30,Vo-10,TA-25℃
12.5V≤V≤15V,Vo=10V
15V≤V30VVo=10V
Vo-10V,-5mA≤/≤0mA,T^=25℃
Vo-7.5V.-5mA≤/≤0mA,TA=25°℃Vo=5.0V,-5mA≤≤0mA,TA-25C
Vo-2.5V.-5mA≤/<0mA,TA-25C
Vo10V,-5mA≤/≤0mA
Vo-7.5 V, -5mA≤h≤0 mA
Vo=5.0V,5mAh≤0mA
V=2.5 V,-5mA≤1≤0mA
Vo=10y
Vo=10V
Vo=2.5V,7^=125℃
Vo-2.5V,TA--55C
Vo=10V,0.1Hz≤BW≤10Hz,
（见图4)，TA=25℃
Vo=10V,10Hz≤BW≤100kHz,
（见图5），TA-25℃
Vo-10V,l=0mA，（见图6)，TA=25℃Vo-10V，h=-5mA，（见图6)，T=25℃极限值
-5×10-5
-1×10-4
器件的电试验要求应按表2所规定的有关分组，各分组的电测试按表3的规定。表2电试验要求
中间（老炼前）电测试
中间（老炼后）电测试
最终电测试
A组电试
C组终点电测试
D组终点电测试
该分组要求PDA计算。
B级器件
A2，A3
AI, A2, A3, A4, A9
A1分组和表84极限
分组（见表3）
5×10-5
B1级器件
A2，A3
A1.A2. A3, A4. A9
A1分组和表84极限
SJ50597/57-2003
s-o1xs
g-01xs
s-o1xs
OstO's
S00'0-
s-o1xs
5-01xs
-01xs-
s-01xS-
wask,oxoap
cainon
一装用
SJ50597/57--2003
TA=-55°℃C
TA-25℃
TA=25℃
NoIP-P
Noznns
测试条件（见图3）
适用的电压和电流（参见10端）ViN(V)h(mA)
17(mA)
表3-1（续）
测量值（参见11端）
引出端数值
Sm-(E1-E21X10°yE1
Si2-(E2-E22X10*VE2
Srp-(E3-E23X10°VE3
ST4-(E4-E24)(10\VE4
Svi=100(E21-E25)/2.SE21
Sv2-100(E26-E21)15E2)
Su=(E21-E27X10VSE21
S2=(E22-E28X10V5E22
St(E23-E29)10-/SE23
S-(E24-E30X10*y5E24
los=15
NoIP-P=E31(见图4)
Noz2m=E32(见图5)
t=(见图6)
t=1(见图6)
极限值
-1×104
-1X104
-1×104
-1×10-4
1×104
1X10-4
1×104
1×104
SJ50597/57--2003
s-otxs
s-otxs
0900's
oo1oot
+01XI-
r-o1x1
010°0-
s-o1xs-
s01xs-
s01xs-
so1xs-
askootas
(Vu)(A
SJ50597/57--2003
TA--55℃
Nozmna
TA-25℃
TA=25℃
测试条件（见图3）
适用的电压和电流（参见10端）V(V)(mA)Vo(V)/(V)(mA)
表3-2（续）
测量值（参见11端）
引出嘴
St(B1-B21X10\E)
Sm-(E2-E22X10VE2
Sr=(E3-E23X10°VE3
Sr-(E4-E24)X10)E4
Svi=100(E21-E25)2.5E21
Sv2=100(E26-B21)15E21
Su-(E21-E27(10VSE21
Si2-(E22-E28)(10V5E22
Sts(E23-E29X10V/5E23
S14-(E24-E30)(10/5E24
los=15
NoIP-P=E31(见图4)
No2m=E32(见图5)
=(见图6)
=(见图6)
极限值
-×10-
-1×10-4
-1X10-
-1×104
1×104
1×10-4
Vy检测
钼电容
用于负载调整率测试，加载脉冲最大值为100ms，占空比最大为1%。所有电容器精度为士10%。
图3静态测试电路
Yo检测
基准。
GND。10
GND检测
SJ50597/57-2003
示波器
所有电容器为47uF的钮电容器和6.T证的酶资电容器并联，所有电阻器精度为素1%：所有电容器精度为士10%。INFORM
运算放大器AI是直流电压比较器。示波器基准时间设置为1s/cm。
输出噪声测试电路
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