SJ/T 11398-2009
基本信息
标准号： SJ/T 11398-2009
中文名称：功率半导体发光二极管芯片技术规范
标准类别：电子行业标准(SJ)
标准状态：现行
发布日期：2009-11-17
实施日期：2010-01-01
出版语种：简体中文
下载格式：.rar .pdf
下载大小：13533559
标准分类号
标准ICS号：电子学>>31.260光电子学、激光设备
中标分类号：电子元器件与信息技术>>半导体分立器件>>L45微波、毫米波二、三极管
关联标准
出版信息
出版社：电子工业出版社
页数：14页
标准价格：0.0 元
出版日期：2010-01-01
相关单位信息
起草人：崔波、张万生、蔡伟智、胡爱华
起草单位：中国电子科技集团公司第十二研究所、厦门三安电子有限公司、厦门华联电子有限公司
归口单位：工业和信息化部电子工业标准化研究所
发布部门：工业和信息化部
主管部门：工业和信息化部电子工业标准化研究所
标准简介
主要规定了功率半导体发光二极管芯片材料、尺寸、键合区、标志、外观质量、绝对最大额定值和光电特性、质量保证规定、交货准备、目检、静电放电敏感度测试和分级方法等。 SJ/T 11398-2009 功率半导体发光二极管芯片技术规范 SJ/T11398-2009 标准下载解压密码：www.bzxz.net
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标准内容
ICS31.260
备案号：
中华人民共和国电子行业标准
SJ/T11398—2009
功率半导体发光二极管芯片技术规范Technical speoificationfor
power light-emitting diode chips2009-11-17发布
2010-01-01实施
中华人民共和国工业和信息化部发布本规范的附录A和附录B是规范性附录，附录C是资料性附录本规范由工业和信息化部电子工业标准化研究所归口。本规范由半导体照明技术标准工作组组织起草SJ/T11398—2009
本规范起草单位：中国电子科技集团公司第十三研究所、厦门三安电子有限公司、厦门华联电子有限公司。
泰规参加单位：见附录CAND INFOR木规范主要起草人：崔波、张万生、蒙伟智、胡爱华SJ
权专有
版权专有
制无效
复制无交
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版权专有
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版权专有
复制无效
1、范围
功率半导体发光三极管芯片技术规范SJ/T：113982009
本规范规定了功率半导体发光二极管芯片产品（以下简称芯片）的技术要求、检验规则和检验方法芯片的具体规格和性能指标在相关的详细规范中规定2、规范性引用文件
下列文件中的条款通过本规范的引用而成为本规范的条款，凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本规范，然而，皱励根据本规范达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本规范。GB/T4937.1-2006人半导体器件机械和气候试验方法第1部分总则（（IEC60749-1：2002，IDT）GB/T4937-1995半导体器件机械和气候试验方法（idtIEC60749:1984)SJ/T11394--2009半导体发光二极管测试方法SJ/T113992009
3要求。
3.1通则
3.1..1，优先顺序
半导体发光二极管芯片测试方法芯片应符合本规范和相关详细规范的所有要求。本规范的要求与相关详细规范不一致时，应以相关详细规范为准。
3.1.2对详细规范的引用
本规范中使用“按规定”一词而未指明引用的文件时，即指引用相关详细规范。3.2材料、结构和工艺
3.2.1材料
应采用能使芯片符合本规范性能要求的半导体材料，且所用材料在规定的试验条件下，应不起泡、不开裂、不软化、不流动或不出现影响芯片贮存、工作和环境适应能力的缺陷。N
3.2.2外形尺寸
芯片的外形尺寸应符合相关详细规范的规定。3.2.3键合区
键合区的大小、位置、顺序和电气功能应符合相关详细规范的规定。3.2.4芯片的背衬材料（背镀层）芯片的背衬材料和推荐的芯片附着方法应在相关详细规范中加以说明。3.2.5倒装芯片的载体材料
倒装芯片的载体材料和推荐的附着方法应在相关详细规范中加以说明3.3标志美
芯片上的标志应符合相关详细规范的规定。3.4外观质量
芯片的外观质量应符合附录A的要求。3.5绝对最大额定值和特性
SJ/T113982009
绝对最大额定值
章条号
3.5.2光、
贮存温度
工作环境温度或
焊接温度
（规定最长焊接时间
和/或距管壳的最小距离）
反向电压
环境温度为25℃下的直流正向电流环境温度为25℃下的峰值正向电流（规定的脉冲条件下）（适用时）静电敏感电压（适用时）宽
电及色度特性
芯片的光电及色度特性应符合相关详细规范的规定。条件
章条号
正向电压
反向电流
发光强度或
光通量或
光功率
主波长
3.5.3、热特性
考虑中。
3.6环境适应性
除非另有规定
7-25℃
工按规定
K按规定
按规定
按规定
工按规定
按规定
最成大
3.6.1键合强度
将芯片烧结在合格的封装外壳上，并按照芯片使用时的键合方式进行键合，进行键合拉力试验，键合拉力符合GB/T-4937-1995中I6的要求。3.6.2剪切力
将芯片烧结在合格的封装外壳上，进行剪切力试验，剪切力符合GB/T4937-1995中II7的要求。3.6.3温度循环
对封装后的样品，按最低和最高贮存温度进行空气-空气温度循环20次，试验后，性能参数符合表4的要求。
循环湿热（仅对空封器件）
对封装后的样品进行循环湿热试验，试验后，性能参数符合表4的要求专有
3.6.5振动
对封装后的样品试验后，性能参数符合表4的要求。3.6.6冲击
对封装后的样品进行冲击试验，试验后，性能参数符合表4的要求。3.6.7恒定加速度（仅对空封器件）对封装后的样品进行恒定加速度试验，试验后，性能参数符合表4的要求。3.7电耐久性
将芯片进行封装，加电工作168h和1000h后，电性能符合表3和表4的要求。3.8静电放电敏感度试验（适用时）SJ/T113982009
按照SJ/T11394一2009中规定的方法进行人体模式静电放电敏感度分级试验，分级标准见附录B。4检验方法
4.1测试条件
4.1.1标准大气条件
AND INFOR
本规范中规定的试验应在GB/T4937.1—2006中规定的标准大气条件下进行4.1.2加电工作条件，
加电工作条件按规定。
4.1.3试验条件和方法
如无特殊规定应按照GB/T4937-1995规定的条件和方法进行试验，如经试验证明由替代的电路和方法进行检验合格的产品用规定的方法检验也合格，则也可以用替代方法检验。进行探针测试时，应对放置LED芯片的探针台基底的大小、材质、表面反射率、表面接触性能和表面温度做出规定.
4.2、材料、结构和工艺
4.2.1材料
在垂直照明条件下进行目检，应符合3.2.1的要求。4.2.2外形尺寸
使用准确度符合要求的量具测量芯片的尺寸，应符合3.2.2的要求4.2.3键合区
在垂直照明条件下进行目检，应符合3.2.3的要求。4.2.4芯片的背村材料（背镀层）在垂直照明条件下进行目检，应符合3.2.4的要求。4.2.5倒装芯片的载体材料
按规定的载体材料和推荐的附着方法进行样品制备，应符合3.6.1和3.6.2的要求4.3标志
在40倍～200倍的放大镜下检查芯片上的标志，应符合3.3的要求4.4外观质量
按本规范附录A规定的方法进行检验，应符合附录A中的要求。4.5光、电、色度及热特性
4.5.1，正向电压
按照SJ/T113942009中规定的方法测量正向电压，应符合3.5.2.1的要求。4.5.2：反向电流
按照SJ/T11394-2009中规定的方法测量反向电流，应符合3.5.2.2的要求。4.5.3发光强度或光通量或光功率按照SJ/T11394一2009中规定的方法测量发光强度、光能量或光功率，应符合3.5.2.3的要求。SJ/T11398—2009
版权专有
4.5.4主波长
按照SJ/T：11394-2009中规定的方法测量主波长，应符合3:5.2.4的要求。4.5.5热特性
考虑中。
4.6环境适应性
4.6.1键合强度
键合强度试验按GB/T.4937-1995的规定进行，应符合3.6.1的要求。4.6.2剪切力，
剪切力试验按GB/T49371995的规定进行，应符合3.6.2的要求。#4.6.3、温度循环
温度循环试验按GB/T4937-1995的规定进行，试验后，性能参数符合3.6.3的要求。4.6.4循环湿热（仅对空封器件）遇循环湿热试验按GB/T4937-1995的规定进行，试验后，性能参数符合3.6.4的要求：4.6.5振动#
振动试验按GB/T4937—1995的规定进行，试验后，性能参数符合3.6.5的要求。4.6.6冲击换
送冲击试验按GB/T4937—1995的规定进行，试验后，性能参数符合3.6.6的要求。4.6.7恒定加速度（仅对空封器件）恒定加速度试验按GB/T4937-1995的规定进行，试验后，性能参数符合3.6.7的要求。4.7电耐久性
施加规定的工作电压，到规定的时间后，去掉工作电压，试验后，性能参数符合3.7的要求。4.8静电放电敏感度试验
按照SJ/T11394-2009中规定的方法进行人体模式静电放电敏感度分级试验，试验后，性能参数符合详细规范的规定。
5*检验规则
5.1检验职责
由鉴定检验机构批准的试验室或承制方的检验、试验部门负责执行本规范规定的全部检验要求。5.2检验分类
本规范规定的检验分为：
a)筛选（见5.6）：
6）鉴定检验（见5.7）
c）质量一致性检验（见5.8）。5.3批的组成
5.3.1晶圆批
从晶圆加工开始经受同一组工艺过程的晶圆构成一个品圆批，每个晶圆批应给定一个能追溯到所有晶圆加工步骤的识别代码。专有
5.3.2检验批
一个检验批出同时提交检验的一个或多个晶圆批中同一型号的芯片组成。5.4.抽样
鉴定检验和质量一致性检验的抽样应按本规范和相关详细规范的规定进行。5.5重新提交
复制无效
SJ/T11398-2009
当提交鉴定检验和质量一致性检验的任一检验批不符合要求时，应进行失效分析并确定失效机理。如确认该失效是可以通过对整批晶圆的芯片重新筛选而有效剔除的缺陷；或者该失效并不反映产品具有基本设计或基本生产工艺间题的缺陷，则允许对该分组采用加严检验（按双倍样品量及合格判定数为零的方案）的方法重新提交一次。重新提交的批不得与其他的批相混。如果失效分析表明失效是由于基本工艺程序不良、基本设计缺陷或是无法通过筛选剔除的缺陷，则该批不得重新提交。5.6筛选
在提交鉴定检验和质量一致性检验前，检验批的全部芯片应按表1的规定进行筛选，筛选可在晶圆上进行，对不符合要求的芯片进行标识，芯片分离时剔除不合格品。剔除的芯片不能作为合格产品交货。表1筛选
检验或试验
特性测试
正向电压
反向电流理
发光强度'I,或
光通量中或
光功率
主波长
鉴定检验
方法章条号加
2一放大20倍40倍
SJ/T11394-2009
方法1001
方法1003
方法2001
方法2003
方法2004
方法4003
附录A（规范性附录）
1按规定
按规定
巧按规定
1按规定
按规定
按规定
抽样要求
鉴定检验应在鉴定机构批准的试验室按本规范表2、表3和表4规定的检验项目和要求进行。5.8质量一致性检验
5.8.1通则
每一检验批的芯片在交付前应按本规范的规定进行质量一致性检验。质量致性检验包括A组、B组和C组检验A组和B组为逐批检验，C组为周期检验。在C组检验合格的周期内，A组、B组检验合格的批可以交付，在C组检验不合格的情况下应停止交付，待按5：5规定对C组重新检验合格后方可恢复交付。
5.8.2A组检验
从筛选合格的检验批中随机抽取芯片，按本规范表2的规定进行A组检验。各分组的测试可按任意顺序进行。
A1分组
外形尺寸
A2分组
特性测试
检验或试验
正向电压%
反向电流五
发光强度工或
光通量0或
光功率@，
主波长入。
A组检验（逐批）
方法章条号
放大20倍~40倍
按规定
SJ/T 113942009中
方法1001
方法1003
方法2001
方法2003
方法2004
方法4003
除非另有规定，
T=25℃
附录A（规范性附录）
按规定
按规定
石按规定
石按规定
石按规定
工按规定
抽样方案
20 (0)
SJ/T113982009
5.8.3B组检验
从筛选合格的检验批中随机抽取芯片，按使用方认可的标准封装程序进行封装，首先将芯片安装在管壳的底座上并进行引线键合，使裸露（未灌胶）的芯片形成导电和导热通路，这样的组装半成品用于进行B1分组和B2分组检验，封装成品进行B3和B4分组检验。表3B组检验（逐批）
检验或试验
B1分组
键合强度
B2分组
芯片剪切强度
B3分组
特性测试
正向电压
反向电流备
发光强度工或
光通量?或
光功率中
主波长入
B4分组
电耐久性
终点测试
正向电压%
反向电流工
发光强度或
光通量或
光功率中
主波长入。
GB/T4937-1995,I,6
GB/T4937-1995.I7
SJ/T11394-2009
方法1001
方法1003
方法2001
方法2003
方法2004
方法4003
SJ/T-11394-2009
方法1001
方法1003
方法2001
方法2003
方法2004
方法4003
除非另有规定，
T或-25℃
按规定象
按规定
工按规定
收按规定
工按规定
工按规定
按规定
按规定
加电工作168h
五按规定
K按规定
工按规定
后按规定
按规定
工按规定
注：LSL一规范下限值、USL一规范上限值、IVD初始值抽样方案
样品数（接收数）
10（0)或20（1)
10:(0)
100）
极限值
按规定
按规定
指被试键合引线数，至少应从3个样品中抽取。当有一根键合引线拉力不合格时，可增加抽样，抽样方案为20（1）对倒装芯片（同侧电极结构）应依次检验芯片载体与管壳底盘、芯片载体与外延层的粘附性。5.8.4.C组检验
从筛选合格的检验批中随机抽取芯片，按使用方认可的标准封装程序进行封装。按本规范表4进行C组检验，C组检验每六个月进行一次。版权专有
金制无
C1分组
检验或试验
温度循环(空气-空气）
湿热循环（仅对空封器件）
终点测试
正向电压K
反向电流工
发光强度或·
光通量Φ或
光功率中
主波长入：
C2分组
报动或
恒定加速度（仅对空封器件）
终点测试
按C1分组
C3分组
电耐久性
终点测试
正向电压K
反向电流五
发光强度工或
光通量或
光功率中。
主波长入。
C4分组（仅在鉴定时进行）
静电敏感电压
a)电参数测试
b)静电放电敏感度试验
c）电参数测试
表4.C组检验（周期）
GB/T 49371995, I, 1
GB/T 49371995, I, 4
SJ/T 11394—2009
方法1001
方法1003
方法2001
方法2003
方法2004
方法4003
GB/T 4937—1995,II,3
或GB/T4937—1995,II；4
GB/T 4937—1995, 1,5
SJ/T11394—2009
方法1001
方法1003
方法2001
方法2003
方法2004
方法4003
SJ/T11394—2009
方法6001
除非另有规定，
T或T=25℃
按规定，20次
按规定
石按规定
限按规定
工按规定
按规定
石按规定
石按规定
按规定
加电工作1000h
工按规定
按规定
工按规定
按规定
工按规定
工按规定
按规定
静电电压按规定
按规定
注：LSL一规范下限值、USL、一规范上限值、IVD一初始值。5.9样品的处理
抽样方案
样品数（接收数）
SJ/T11398—2009
极限值
签称牌道
按C1分组
按规定
按规定
经过A组检验合格的样品可以按合格产品交付，经过B组和C组检验的样品不能按合格产品交付。
5.10不合格
当提交鉴定和质量一致性检验的任一检验批不符合A，B或C组检验中任一分组要求，且不再提交或者不能再次提交时，或者再次提交（见5.5）仍不合格时，则判该批产品不合格。5.11检验记录
SJ/T113982009
筛选、鉴定检验和质量一致性检验记录以及失效分析报告、不合格、重新提交及其它问题的处理记录至少保存5年。
6包装、运输、购存
6.1包装要求
6.1.1内包装要求
芯片应按合同要求包装，使用防静电的包装材料。6.1.2包装容器上的标志
芯片包装容器上的标志应包括下列内容：a）芯片型号、规格及参数：
b）详细规范号：www.bzxz.net
c）承制方名称或商标：
d)）检验批识别代码：
e）数量：
f）ESDS等级标志（见附录B，适用时）6.2运输要求
芯片运输过程中应避免受到高温、机械损伤、静电放电和沾污。6.3购存要求
芯片应贴存在10.℃
有效贮存期为36个月。
权专有
制无效
30℃相对湿度不大于30%的充氮干燥箱或干燥塔中。满足以上条件的芯片
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备案号：
中华人民共和国电子行业标准
SJ/T11398—2009
功率半导体发光二极管芯片技术规范Technical speoificationfor
power light-emitting diode chips2009-11-17发布
2010-01-01实施
中华人民共和国工业和信息化部发布本规范的附录A和附录B是规范性附录，附录C是资料性附录本规范由工业和信息化部电子工业标准化研究所归口。本规范由半导体照明技术标准工作组组织起草SJ/T11398—2009
本规范起草单位：中国电子科技集团公司第十三研究所、厦门三安电子有限公司、厦门华联电子有限公司。
泰规参加单位：见附录CAND INFOR木规范主要起草人：崔波、张万生、蒙伟智、胡爱华SJ
权专有
版权专有
制无效
复制无交
权专有
版权专有
复制无效
版权专有
制无效
复制无效
版权专有
复制无效
1、范围
功率半导体发光三极管芯片技术规范SJ/T：113982009
本规范规定了功率半导体发光二极管芯片产品（以下简称芯片）的技术要求、检验规则和检验方法芯片的具体规格和性能指标在相关的详细规范中规定2、规范性引用文件
下列文件中的条款通过本规范的引用而成为本规范的条款，凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本规范，然而，皱励根据本规范达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本规范。GB/T4937.1-2006人半导体器件机械和气候试验方法第1部分总则（（IEC60749-1：2002，IDT）GB/T4937-1995半导体器件机械和气候试验方法（idtIEC60749:1984)SJ/T11394--2009半导体发光二极管测试方法SJ/T113992009
3要求。
3.1通则
3.1..1，优先顺序
半导体发光二极管芯片测试方法芯片应符合本规范和相关详细规范的所有要求。本规范的要求与相关详细规范不一致时，应以相关详细规范为准。
3.1.2对详细规范的引用
本规范中使用“按规定”一词而未指明引用的文件时，即指引用相关详细规范。3.2材料、结构和工艺
3.2.1材料
应采用能使芯片符合本规范性能要求的半导体材料，且所用材料在规定的试验条件下，应不起泡、不开裂、不软化、不流动或不出现影响芯片贮存、工作和环境适应能力的缺陷。N
3.2.2外形尺寸
芯片的外形尺寸应符合相关详细规范的规定。3.2.3键合区
键合区的大小、位置、顺序和电气功能应符合相关详细规范的规定。3.2.4芯片的背衬材料（背镀层）芯片的背衬材料和推荐的芯片附着方法应在相关详细规范中加以说明。3.2.5倒装芯片的载体材料
倒装芯片的载体材料和推荐的附着方法应在相关详细规范中加以说明3.3标志美
芯片上的标志应符合相关详细规范的规定。3.4外观质量
芯片的外观质量应符合附录A的要求。3.5绝对最大额定值和特性
SJ/T113982009
绝对最大额定值
章条号
3.5.2光、
贮存温度
工作环境温度或
焊接温度
（规定最长焊接时间
和/或距管壳的最小距离）
反向电压
环境温度为25℃下的直流正向电流环境温度为25℃下的峰值正向电流（规定的脉冲条件下）（适用时）静电敏感电压（适用时）宽
电及色度特性
芯片的光电及色度特性应符合相关详细规范的规定。条件
章条号
正向电压
反向电流
发光强度或
光通量或
光功率
主波长
3.5.3、热特性
考虑中。
3.6环境适应性
除非另有规定
7-25℃
工按规定
K按规定
按规定
按规定
工按规定
按规定
最成大
3.6.1键合强度
将芯片烧结在合格的封装外壳上，并按照芯片使用时的键合方式进行键合，进行键合拉力试验，键合拉力符合GB/T-4937-1995中I6的要求。3.6.2剪切力
将芯片烧结在合格的封装外壳上，进行剪切力试验，剪切力符合GB/T4937-1995中II7的要求。3.6.3温度循环
对封装后的样品，按最低和最高贮存温度进行空气-空气温度循环20次，试验后，性能参数符合表4的要求。
循环湿热（仅对空封器件）
对封装后的样品进行循环湿热试验，试验后，性能参数符合表4的要求专有
3.6.5振动
对封装后的样品试验后，性能参数符合表4的要求。3.6.6冲击
对封装后的样品进行冲击试验，试验后，性能参数符合表4的要求。3.6.7恒定加速度（仅对空封器件）对封装后的样品进行恒定加速度试验，试验后，性能参数符合表4的要求。3.7电耐久性
将芯片进行封装，加电工作168h和1000h后，电性能符合表3和表4的要求。3.8静电放电敏感度试验（适用时）SJ/T113982009
按照SJ/T11394一2009中规定的方法进行人体模式静电放电敏感度分级试验，分级标准见附录B。4检验方法
4.1测试条件
4.1.1标准大气条件
AND INFOR
本规范中规定的试验应在GB/T4937.1—2006中规定的标准大气条件下进行4.1.2加电工作条件，
加电工作条件按规定。
4.1.3试验条件和方法
如无特殊规定应按照GB/T4937-1995规定的条件和方法进行试验，如经试验证明由替代的电路和方法进行检验合格的产品用规定的方法检验也合格，则也可以用替代方法检验。进行探针测试时，应对放置LED芯片的探针台基底的大小、材质、表面反射率、表面接触性能和表面温度做出规定.
4.2、材料、结构和工艺
4.2.1材料
在垂直照明条件下进行目检，应符合3.2.1的要求。4.2.2外形尺寸
使用准确度符合要求的量具测量芯片的尺寸，应符合3.2.2的要求4.2.3键合区
在垂直照明条件下进行目检，应符合3.2.3的要求。4.2.4芯片的背村材料（背镀层）在垂直照明条件下进行目检，应符合3.2.4的要求。4.2.5倒装芯片的载体材料
按规定的载体材料和推荐的附着方法进行样品制备，应符合3.6.1和3.6.2的要求4.3标志
在40倍～200倍的放大镜下检查芯片上的标志，应符合3.3的要求4.4外观质量
按本规范附录A规定的方法进行检验，应符合附录A中的要求。4.5光、电、色度及热特性
4.5.1，正向电压
按照SJ/T113942009中规定的方法测量正向电压，应符合3.5.2.1的要求。4.5.2：反向电流
按照SJ/T11394-2009中规定的方法测量反向电流，应符合3.5.2.2的要求。4.5.3发光强度或光通量或光功率按照SJ/T11394一2009中规定的方法测量发光强度、光能量或光功率，应符合3.5.2.3的要求。SJ/T11398—2009
版权专有
4.5.4主波长
按照SJ/T：11394-2009中规定的方法测量主波长，应符合3:5.2.4的要求。4.5.5热特性
考虑中。
4.6环境适应性
4.6.1键合强度
键合强度试验按GB/T.4937-1995的规定进行，应符合3.6.1的要求。4.6.2剪切力，
剪切力试验按GB/T49371995的规定进行，应符合3.6.2的要求。#4.6.3、温度循环
温度循环试验按GB/T4937-1995的规定进行，试验后，性能参数符合3.6.3的要求。4.6.4循环湿热（仅对空封器件）遇循环湿热试验按GB/T4937-1995的规定进行，试验后，性能参数符合3.6.4的要求：4.6.5振动#
振动试验按GB/T4937—1995的规定进行，试验后，性能参数符合3.6.5的要求。4.6.6冲击换
送冲击试验按GB/T4937—1995的规定进行，试验后，性能参数符合3.6.6的要求。4.6.7恒定加速度（仅对空封器件）恒定加速度试验按GB/T4937-1995的规定进行，试验后，性能参数符合3.6.7的要求。4.7电耐久性
施加规定的工作电压，到规定的时间后，去掉工作电压，试验后，性能参数符合3.7的要求。4.8静电放电敏感度试验
按照SJ/T11394-2009中规定的方法进行人体模式静电放电敏感度分级试验，试验后，性能参数符合详细规范的规定。
5*检验规则
5.1检验职责
由鉴定检验机构批准的试验室或承制方的检验、试验部门负责执行本规范规定的全部检验要求。5.2检验分类
本规范规定的检验分为：
a)筛选（见5.6）：
6）鉴定检验（见5.7）
c）质量一致性检验（见5.8）。5.3批的组成
5.3.1晶圆批
从晶圆加工开始经受同一组工艺过程的晶圆构成一个品圆批，每个晶圆批应给定一个能追溯到所有晶圆加工步骤的识别代码。专有
5.3.2检验批
一个检验批出同时提交检验的一个或多个晶圆批中同一型号的芯片组成。5.4.抽样
鉴定检验和质量一致性检验的抽样应按本规范和相关详细规范的规定进行。5.5重新提交
复制无效
SJ/T11398-2009
当提交鉴定检验和质量一致性检验的任一检验批不符合要求时，应进行失效分析并确定失效机理。如确认该失效是可以通过对整批晶圆的芯片重新筛选而有效剔除的缺陷；或者该失效并不反映产品具有基本设计或基本生产工艺间题的缺陷，则允许对该分组采用加严检验（按双倍样品量及合格判定数为零的方案）的方法重新提交一次。重新提交的批不得与其他的批相混。如果失效分析表明失效是由于基本工艺程序不良、基本设计缺陷或是无法通过筛选剔除的缺陷，则该批不得重新提交。5.6筛选
在提交鉴定检验和质量一致性检验前，检验批的全部芯片应按表1的规定进行筛选，筛选可在晶圆上进行，对不符合要求的芯片进行标识，芯片分离时剔除不合格品。剔除的芯片不能作为合格产品交货。表1筛选
检验或试验
特性测试
正向电压
反向电流理
发光强度'I,或
光通量中或
光功率
主波长
鉴定检验
方法章条号加
2一放大20倍40倍
SJ/T11394-2009
方法1001
方法1003
方法2001
方法2003
方法2004
方法4003
附录A（规范性附录）
1按规定
按规定
巧按规定
1按规定
按规定
按规定
抽样要求
鉴定检验应在鉴定机构批准的试验室按本规范表2、表3和表4规定的检验项目和要求进行。5.8质量一致性检验
5.8.1通则
每一检验批的芯片在交付前应按本规范的规定进行质量一致性检验。质量致性检验包括A组、B组和C组检验A组和B组为逐批检验，C组为周期检验。在C组检验合格的周期内，A组、B组检验合格的批可以交付，在C组检验不合格的情况下应停止交付，待按5：5规定对C组重新检验合格后方可恢复交付。
5.8.2A组检验
从筛选合格的检验批中随机抽取芯片，按本规范表2的规定进行A组检验。各分组的测试可按任意顺序进行。
A1分组
外形尺寸
A2分组
特性测试
检验或试验
正向电压%
反向电流五
发光强度工或
光通量0或
光功率@，
主波长入。
A组检验（逐批）
方法章条号
放大20倍~40倍
按规定
SJ/T 113942009中
方法1001
方法1003
方法2001
方法2003
方法2004
方法4003
除非另有规定，
T=25℃
附录A（规范性附录）
按规定
按规定
石按规定
石按规定
石按规定
工按规定
抽样方案
20 (0)
SJ/T113982009
5.8.3B组检验
从筛选合格的检验批中随机抽取芯片，按使用方认可的标准封装程序进行封装，首先将芯片安装在管壳的底座上并进行引线键合，使裸露（未灌胶）的芯片形成导电和导热通路，这样的组装半成品用于进行B1分组和B2分组检验，封装成品进行B3和B4分组检验。表3B组检验（逐批）
检验或试验
B1分组
键合强度
B2分组
芯片剪切强度
B3分组
特性测试
正向电压
反向电流备
发光强度工或
光通量?或
光功率中
主波长入
B4分组
电耐久性
终点测试
正向电压%
反向电流工
发光强度或
光通量或
光功率中
主波长入。
GB/T4937-1995,I,6
GB/T4937-1995.I7
SJ/T11394-2009
方法1001
方法1003
方法2001
方法2003
方法2004
方法4003
SJ/T-11394-2009
方法1001
方法1003
方法2001
方法2003
方法2004
方法4003
除非另有规定，
T或-25℃
按规定象
按规定
工按规定
收按规定
工按规定
工按规定
按规定
按规定
加电工作168h
五按规定
K按规定
工按规定
后按规定
按规定
工按规定
注：LSL一规范下限值、USL一规范上限值、IVD初始值抽样方案
样品数（接收数）
10（0)或20（1)
10:(0)
100）
极限值
按规定
按规定
指被试键合引线数，至少应从3个样品中抽取。当有一根键合引线拉力不合格时，可增加抽样，抽样方案为20（1）对倒装芯片（同侧电极结构）应依次检验芯片载体与管壳底盘、芯片载体与外延层的粘附性。5.8.4.C组检验
从筛选合格的检验批中随机抽取芯片，按使用方认可的标准封装程序进行封装。按本规范表4进行C组检验，C组检验每六个月进行一次。版权专有
金制无
C1分组
检验或试验
温度循环(空气-空气）
湿热循环（仅对空封器件）
终点测试
正向电压K
反向电流工
发光强度或·
光通量Φ或
光功率中
主波长入：
C2分组
报动或
恒定加速度（仅对空封器件）
终点测试
按C1分组
C3分组
电耐久性
终点测试
正向电压K
反向电流五
发光强度工或
光通量或
光功率中。
主波长入。
C4分组（仅在鉴定时进行）
静电敏感电压
a)电参数测试
b)静电放电敏感度试验
c）电参数测试
表4.C组检验（周期）
GB/T 49371995, I, 1
GB/T 49371995, I, 4
SJ/T 11394—2009
方法1001
方法1003
方法2001
方法2003
方法2004
方法4003
GB/T 4937—1995,II,3
或GB/T4937—1995,II；4
GB/T 4937—1995, 1,5
SJ/T11394—2009
方法1001
方法1003
方法2001
方法2003
方法2004
方法4003
SJ/T11394—2009
方法6001
除非另有规定，
T或T=25℃
按规定，20次
按规定
石按规定
限按规定
工按规定
按规定
石按规定
石按规定
按规定
加电工作1000h
工按规定
按规定
工按规定
按规定
工按规定
工按规定
按规定
静电电压按规定
按规定
注：LSL一规范下限值、USL、一规范上限值、IVD一初始值。5.9样品的处理
抽样方案
样品数（接收数）
SJ/T11398—2009
极限值
签称牌道
按C1分组
按规定
按规定
经过A组检验合格的样品可以按合格产品交付，经过B组和C组检验的样品不能按合格产品交付。
5.10不合格
当提交鉴定和质量一致性检验的任一检验批不符合A，B或C组检验中任一分组要求，且不再提交或者不能再次提交时，或者再次提交（见5.5）仍不合格时，则判该批产品不合格。5.11检验记录
SJ/T113982009
筛选、鉴定检验和质量一致性检验记录以及失效分析报告、不合格、重新提交及其它问题的处理记录至少保存5年。
6包装、运输、购存
6.1包装要求
6.1.1内包装要求
芯片应按合同要求包装，使用防静电的包装材料。6.1.2包装容器上的标志
芯片包装容器上的标志应包括下列内容：a）芯片型号、规格及参数：
b）详细规范号：www.bzxz.net
c）承制方名称或商标：
d)）检验批识别代码：
e）数量：
f）ESDS等级标志（见附录B，适用时）6.2运输要求
芯片运输过程中应避免受到高温、机械损伤、静电放电和沾污。6.3购存要求
芯片应贴存在10.℃
有效贮存期为36个月。
权专有
制无效
30℃相对湿度不大于30%的充氮干燥箱或干燥塔中。满足以上条件的芯片
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