GA/T 1091-2019.Specifications for evaluation of environmental adaptability of integrated circuits on 13.56 MHz in electronic certificates.
1范围
GA/T 1091规定了基于13.56MHz的电子证件芯片电气、气候、机械环境和制卡工艺匹配性的试验项目、试验方法，以及环境适应性评测规则。
GA/T 1091适用于采用13.56MHz射频工作模式的电子证件芯片评测。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 2423.5- 1995 电工电 子产品环境试验第2 部分:试验方法试验 Ea和导则:冲击
GB/T2829-2002周期检验计数抽样程序及表(适用于对过程稳定性的检验)
GB/T 17554.1- -2006识别卡测试方法 第1部分:一般特性测试
GJB 150.4A- 2009军用装 备实验室环境试验方法第 4部分:低温试验
G]B548B-2005微电子器件试验方法和程序
ISO/IEC 10373-6:2016识别卡测试方 法第6部分:邻近式卡( Identification cards- Test methods- Part 6:Proximity cards)
ISO/EC 14443-1:2016识别卡无触点集成电路卡 邻近式卡 第1部分:物理特性( Identifi-cation cards- Contactless integrated circuit cards-Proximity cards-Part 1 : Physical characteristics)
ISO/IEC 14443-2:2016识别卡无触点集成电路卡 邻近式卡第2 部分:射频功率和信号接口(Identification cards-Contactless integrated circuit cards-Proximity cards-Part 2 : Radio frequency power and signal interface)

ICS35.020
中华人民共和国公共安全行业标准GA/T1091—2019
代替GA1091-2013
基于13.56MHz的电子证件芯片
环境适应性评测规范
Specifications for evaluation of environmental adaptability ofintegrated circuits on 13.56 MHz in electronic certificates2019-06-15发布
中华人民共和国公安部
2019-06-15实施
GA/T1091—2019
规范性引用文件
术语和定义
符号和缩珞语
一般要求
试验项目
交变磁场
静电放电敏感度
变化场强
变化频率
变化调制深度
红合状态副载波调制信号幅度
稳定性烘焙
低温存贮
温度循环
高压蒸煮
动态弯曲
动态扭曲
振动疲劳
模塑料与框架粘合强度
点压力
制卡工艺匹配性
评测规则
评测分类
抽样规则
判定规则
评测报告
本标准按照GB/T1.12009给出的规则起草。GA/T 1091—2019
本标准代替GA1091—2013《基于13.56MHz的电子证件芯片环境适应性评测规范》，与GA10912013相比主要变化如下：
修改为推荐性标准。
标准提出单位改为公安部治安管理局（见前言，2013年版的前言）修改了规范性引用文件ISO/IEC10373-6：2016（见第2章，2013年版的第2章）；修改了规范性引用文件IS()/IEC14443-1：2016（见第2章，2013年版的第2章）；修改了规范性引用文件ISO/IEC14443-2：2016（见第2章，2013年版的第2章）。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本标准由公安部治安管理局提出。本标准由公安部计算机与信息处理标准化技术委员会归口。本标准起草单位：公安部第一研究所。本标准主要起草人：隋洪波、周东平、肖婷婷、张文直、周鹏、韩鹏霄。本标准所代替标准的历次版本发布情况为：GA1091—2013。
1范围
基于13.56MHz的电子证件芯片
环境适应性评测规范
GA/T1091—2019
本标准规定了基于13.56MHz的电子证件芯片电气、气候、机械环境和制卡工艺匹配性的试验项目、试验方法，以及环境适应性评测规则。本标准适用于采用13.56MHz射频工作模式的电了证件芯片评测2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注口期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GB/T2423.5—1995电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验Ea和导则：冲击GB/T2829—2002周期检验计数抽样程序及表（适用于对过程稳定性的检验）GB/T17554.1一200G识别卡测试方法第1部分：一般特性测试GJB150.4A一2009军用装备实验室环境试验方法第4部分：低温试验GJB548B—2005微电子器件试验方法和程序ISO/IEC10373-6：2016识别卡测试方法第6部分：邻近式卡（Identificationcards一Testmethods—Part6:Proximitycards)ISO/1EC14443-1：2016识别卡无触点集成电路卡邻近式卡第1部分：物理特性（Identification cards-Contactless integrated circuit cardsProximity cards-Part l:Physical characteristics)ISO/1EC14443-2：2016识别卡无触点集成电路卡邻近式卡第2部分：射频功率和信号接(Identification cardsContactless integrated circuit cardsProximity cardsPart2:Radio frequencypowerand signal interface)
3术语和定义
下列术语和定义适用于本文件。3.1
样品sample
将芯片以规定的材料和工艺封装形成的构件。3.2
样品卡samplecard
含有样品和天线线圈，且能与射频读卡器通信的塑料卡3.3
TypeA芯片TypeA intcgrated circuit采用ISO/IEC14443-2：2016中定义的TypeA通信协议工作的芯片。3.4
TypeB integratedcircuit
TypeB芯片
采用ISO/IEC14443-2：2016中定义的TypeB通信协议工作的芯片。1
GA/T 1091—2019
4符号和缩略语
下列符号和缩路语适用于本文件。H：卡体短边位移。
H：卡体长边位移。
α：卡体扭转角度。
RF：射频（RadioFrequency)。
5一般要求
般要求为：
a）依据评测目标选择本文件规定的试验项目；样品提供方应向评测机构提供样品通信的传输协议：b)
本文件所述样品或样品卡读写功能测试是指：先向样品或样品卡中写人数据，然后读取数据，若读出数锯与写入数据一致，视为样品或样品卡读写功能正常；否则，视为样品或样品卡读写功能异常；
d）对样品测试时，应先将样品连接在与其匹配的天线线圈上，然后使用射频读卡器进行测试；对样品卡测试时，直接使用射频读卡器进行测试：e)
样品或样品卡读写测试失效不应包含天线失效、样品卡的卡体失效试验项目
交变磁场
确定交变磁场对样品读写功能的影响。6.1.2
试验要求
试验要求为：
a）将样品封装成样品卡：
b）额率：13.56MHz；
磁场强度：平均10A/m（rms）.最大不超过12A/mrms)；e)
暴露时间：30s。
6.1.3试验方法
按照ISO/IEC14443-1：2016中4.4的要求执行后对样品卡进行读写功能测试。6.1.4
失效判据
样品卡读写功能异常视为样品失效。6.2静电放电敏感度
6.2.1目的
确定静电对样品读写功能的影响，2
6.2.2试验要求
试验要求为：
a）电压等级：不小于3.000V；
b）放电方式：
1）端子1对端子2进行放电：
端子2对端子1进行放电：
端子1对底\进行放电；
端子2对“底进行放电；
“底”对端子1进行放电：
“底”对端子2进行放电。
放电次数及间隔：每种方式放电3次.间隔1s以上。6.2.3
试验方法
GA/T1091—2019
按照GJB548B—2005中方法3015中3.1~3.3的要求执行后对样品进行读写功能测试6.2.4失效判据
样品读写功能常视为失效。
变化场强
确定场强变化对样品读写功能的影响。6.3.2
试验要求
试验要求为：
a）将样品封装成样品卡：
按照IS0/1EC14443-2:2016中6.2规定.产生场强值分别为1.5A/m、3.5A/m、5.5A/m、b）
7.5A/m的RF工作场；
按照ISO/1EC14443-2:2016中8.1和9.1规定分别产生TypeA芯片和TypeB芯片通信信号调制波形，
6.3.3试验方法
在每个试验点上对样品卡进行读写功能测试（见表1和表2）。表1TypeA芯片变化场强测试
工作场强
调制深度
GA/T1091—2019
失效判据
工作场强
表2TypeB芯片变化场强测试
在任何一个试验点上，样品卡读写功能异常视为样品失效。6.4
变化频率
确定载波题率变化对样品读写功能的影响。6.4.2
试验要求
试验要求为：
将样品封装成样品卡；
调制深度
设置载波频率分别为13.567MHz、13.56MHz和13.553MHz；按照ISO/1EC14443-2:2016中8.1和9.1规定分别产生TypeA芯片和TypeB芯片通信信号调制波形。
试验方法
在每个试验点上对样品卡进行读写功能测试（见表3和表4)。表3TypeA芯片变化频率测试
载波颜率
截波斑率
TypeB芯片变化频率测试
调制深度
调制深度
6.4.4失效判据
在任何一个试验点主，样品卡读写功能异常视为样品失效变化调制深度
6.5.1目的
确定调制深度变化对TypeB芯片样品读写功能的影响。6.5.2试验要求
试验要求为：
a）将样品封装成样品卡：
GA/T1091—2019
b）按照ISO/IEC14443-2:2016中9.1规定产生TypeB芯片通信信号调制波形。6.5.3试验方法
在每个试验点上对样品卡进行读写功能测试（见表5）。表5变化调制深度测试
调制深度
失效判据
载波频率
在任何一个试验点上，样品卡读写功能异常视为样品失效。组合状态副载波调制信号幅度
6.6.1目的
确定频率，场强和调制深度组合变化对样品电性能的影响。6.6.2试验要求
试验要求为：
a）将样品封装成样品卡：
工作场强
b）按照ISO/IEC14443-2：2016中8.1和9.1规定分别产生TypeA芯片和TypeB芯片通信信号调制波形。
6.6.3试验方法
按照1SO/IEC10373-6:2016中7.2.1.2进行试验，在每个试验点上测试样品卡返回信号的副载波调制信号幅度（见表6和表7)。
GA/T1091—2019
载波颊率
载波颜率
6TypeA芯片组合状态副载波调制信号幅度测试表6
调制探度
TypeB芯片组合状态副载波调制信号幅度测试诞制深度
工作场强
工作场强
载波频率
6.6.4失效判据
表7(续）
调制深度bzxZ.net
GA/T1091—2019
工作场强
样品卡返回信号副载波调制信号幅度应至少为3.0/H12mV（峰值），其中H是以A/m为单位的磁场强度的(rms)值，若测试结果不满足此条件，视为样品失效6.7
稳定性烘焙
确定高温贮存对样品读写功能的影响。6.7.2
试验要求
试验要求为：
温度：175℃
时间：6h。
试验方法
2005中方法10C8.1中第3章的要求执行后对样品进行读写功能测试按照GJB548B
GA/T 1091—2019
失效判据
样品读写功能异常视为失效。
低温存贮
确定低温贮存对样品读写功能的影响。6.8.2
试验要求
试验要求为：
a）温度：-40℃；
b）时间：试验样品温度达到稳定后，再保持24h6.8.3试验方法
按照GJB150.4A—2009中7.2.1的要求执行后对样品进行读写功能测试。失效判据
样品读写功能异常视为失效。
温度循环
确定极端高温和极端低温以及极端高温与极端低温交替变化对样品读写功能的影响。6.9.2
试验要求
试验要求为：
循环次数：10次；
高低温转换时间：不超过30；
停留时间：30min；
温度：高温125℃，低温一55℃。试验方法
按照GJB548B一2005中方法1010.1中第3章的要求执行后对样品进行读写功能测试。6.9.4
失效判据
样品读写功能异常视为失效。
6.10高压蒸煮
6.10.1目的
确定在一定湿度的高压高温条件下对样品读写功能的影响。6.10.2
试验要求
试验要求为：
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