本标准规定了用波长为632.8nm的光波，沿铌酸锂、磷酸二氢钾和磷酸二氘钾晶体光轴方向消光比的测量方法。本标准适用于测量100000:1的消光比。 GB 11297.12-1989 电光晶体铌酸锂、磷酸二氢钾和磷酸二氘钾消光比的测量方法 GB11297.12-1989 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国国家标准
电光晶体锯酸锂、磷酸二氢钾和磷酸二氛钾消光比的测量方法
Test method for extinctlon ratio of LN,KDP and KD'P electrooptic crystalGB 11297. 12-: 89
本标准规定了用波长为632.8 nm的光波，沿锟酸锂、磷酸二氢钾和磷酸.二氛钾晶体光轴方向消光比的测量方法。
本方法适用于测量100 000:1的消光比。1名词术语
本标准所用名词术语的定义符号符合GB11293固体激光材料名词术语》。2测量原理bZxz.net
一束波长为632.8nm的光波沿被测晶体光轴方向透过一个置于正交偏光系统中被测晶体时，以光轴为轴旋转晶体，取透射光强为最小值「叫。然后转动检偏器放平行偏光系统，测敏透射光强的最大值Imx。光强Ix和In的比值定义为被测晶体的消光比E，·R。。如式(1)所示：E..R
3 测量装置与测量条件
消光比测量装置由如图1所示的元件和仪器组成。1ma
1—氮泵激光光源;2—扩束平行光管;3—可调光栏:4—起偏器:5--被测晶体;6--检偏器17—光电接收元件;8—显示仪器3.1氨氛激光光源：单横模，光源功率波动应小于或等于1%发散度应小于或等于3mrad。3.2起偏器和检偏器：偏振度应大于或等于99.9%，检偏器的转角精度为5'。3.3光电接收元件：硅光电池或其他光电接收元件。要求元件在线性区工作。3.4显尔仪器：用0.1级的微伏表或微安表，或其他同等精度的仪表。中华人民共和国机械电子工业部1988-10-09批准)
1990-01-01实施
3.5载物台：有转动角度的微调机构。CB11297.12—89
3. 6被测品体的折射率温度系数将影响消光比的测试精度。规定测量环境温度变化应小于士1 C。3.7通光孔径的大小极大地影响测量数据。规定测量光束通光孔径为1mm。3.8被测品体的定向和光加工精度会影响消光比的测量精度，规定：3.8.1被测晶体的光轴与通光面垂白度的偏差应小于2。3.8.2被测品体两端面的不平行度应小下30\3.8.3被测晶体两端面的平面度应优于四分之光圈3.8.4被测品体两端面的光洁度应优于BII级(GB 1185中的B级）。测量步骤
4.1开启氮氛激光光源。为保证测鹿稳定，预热15~-30min。4.2每次进行测毋之前须对系统消光比校准，以保证达到测量系统的精度。4.2.1系统中不放被测晶体，将系统调成正交偏光系统，测量1mim；然后调成平行偏光系统，测量1max。利用式(1可以得到系统消光比,
4.2.2若测量系统消光比低于100000:1，需调整和检查各元件，使测量系统达到系统消光比的要求。4.3清洗被测晶体的通光。
4.4将被测品体放在载物台的夹具上，须避免任何引起晶体受应力的因素。4. 5 格被测晶体放在光群中预置30 min,使晶体与环境温度相同。4.6调节各元件，使之与测量光束同轴，至使晶体光轴与光束同轴。4.7以光轴为轴旋转晶体,测出晶体的正交偏光系统中透过光强的最小值 1元i 。4. 8转动检偏器,使测量系统成平行偏光系统,测量透射光强的最大值 Inx4. 9将1,α、和 1min代人式(1),求出被测晶体的消光比。5
测量精度
本方法的测量精度为士5%
6测量报告内容
6.1操作者姓名。
6, 2 测试H期。
6.3被测晶体编号和尺寸小。
6.4测量环境温度。
6.5测量光束直径。
6. 6 测鼠系统消光比。
6.7被测晶体消光比。
附加说明：
木标准由机械电了工业部第十研究所和山东人学晶体所负贵起草。本标准主要起草人张培河、邵宗书。随
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