SJ 20756-1999
基本信息
标准号： SJ 20756-1999
中文名称：半导体分立器件结构相似性应用指南
标准类别：电子行业标准(SJ)
英文名称： Application Guide for Structural Similarity of Discrete Semiconductor Devices
标准状态：现行
发布日期：1999-11-10
实施日期：1999-12-01
出版语种：简体中文
下载格式：.rar.pdf
下载大小：548305
标准分类号
中标分类号：>>>>L5961
关联标准
出版信息
出版社：电子工业出版社
页数：14页
标准价格：17.0 元
出版日期：1999-11-01
相关单位信息
起草人：蔡仁明、金毓铨、杨子江、余振醒、章海良、顾振球、黄玉英
起草单位：中国电子技术标准化研究所、电子工业部第五十五研究所、航天工业总公司第五一一研究所、电子部第五研究所、电子工业部第十三研究所、国营第八七三厂
归口单位：中国电子技术标准化研究所
发布部门：中华人民共和国信息产业部
标准简介
本指南为GJB33A-97《半导体分立器件总规范》中结构相似性的应用提供指导。本指南适用于结构相似的军用半导体分立器件(以下简称器件)的鉴定(含鉴定扩展)和质量一致性检验。 SJ 20756-1999 半导体分立器件结构相似性应用指南 SJ20756-1999 标准下载解压密码：www.bzxz.net
标准图片预览
标准内容
中华人民共和国电子行业军用标准FL.5961
SJ 20756--1999
半导体分立器件结构相似性
应用指南
Guideline for application of structruallysimilarity of discrete semiconductor deviees1999-11-10发布
1999-12-01实施
中华人民共和国信息产业部批准1范围
1.1主题内容
1.2适用范围·
1.3应用目的
2引用文件
3要求
一般要求
3.2详细要求
4结构相似性在鉴定扩展中的应用5结构相似器件判别规则…
6结构相似器件抽样示例
niKAoNrKAca-
1范围
中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件结构相似性应用指南Guideline for application of structruallysimilarity of discrete semiconductor devices1.1主题内容
SJ 20756—1999
本指南为GJB33A--97.《半导体分立器件总规范》中结构相似性的应用提供指导。1.2适用范围
本指南适用于结构相似的军用半导体分立器件（以下简称器件）的鉴定（含鉴定扩展）和质量一致性检验。
1.3应用自的
减少结构相似的器件应经受试验的检验批数量。2引用文件
GJB33A—97半导体分立器件总规范3要求
3.1—-般要求
3.1.1来用本指南必须以不降低产品质量保证水平为前提，并严格执行本指南规定的原则。
3.1.2作为结构相似器件应满足本指南为各检验分组规定的判别规则。3.1.3推荐作为结构相似性组合的器件，应在抽样检验之前以文件形式确定各分组所代表的器件型号、批次和批量（或时效），报有关主管部门认可后实施。对认证产品应在鉴定检验之前经鉴定机构认可后实施。上述文件需报标准化机构备案。3.2详细要求
3.2.1基本原则
组合在一起的结构相似器件，对一个检验分组随机抽取一组样品的检验结果，对该组样品所代表的其他型号器件均为有效。即检验合格，则该分组所代表的其他型号器件均为合格；撤验不合格，则该分组所代表的其他型号器件均为不合格：3.2.2自愿原则
符合表1判别规则的结构相似器件是否组合在一起进行检验，由承制方自行决定。承制方有权对结构相似器件中的部分或全部型号的器件单独抽样进行检验。3.2.3质量控制相同的原则
中华人民共和国信息产业部1999-11-10发布1999-12-01实施
SJ20756—1999
按结构相似性组合在一起进行检验的器件，必须是在相同生产线上生产的产品，而且不同型号器件所规定的材料质最要求，生产过程控制和检验要求的严格程度应该基本榈同。
3.2.4从严原则
对可组合在…起的结构相似器件，进行检验时应遵循从严原则，即从可能有最大失效风险的器件型号中抽取样品进行检验。例如：按分档的晶体管，测量特征频率行时，应抽取分组内HF最小的晶体管进行检验：鉴定检验时不同电压系列的器件应抽取具有最高电压和最低电压的器件进行检验。3.2.5轮换原则
按3.2.4条规定对可能有最大失效风险的器件检验合格以后，对随后提交检验的批和相继的周期检验，仍应遵循从严原则抽取未进行过检验的型号器件，以保证所有型号器件的轮换。
3.2.6多型号组合规定
对破坏性试验的各分组在不存在失效风险明显差异的情况下，需要时可从符合结构相似器件判别规则的不同型号器件中，抽取总数满足抽样方案要求的一组样品进行某一分组的检验。其检验条件和极限值应分别与该型号器件的要求相一致。3.2.7不一致时的规定
当检验分组的检验内容与GJB33A的规定不致时，应参照表1中相同检验内容对结构相似的要求确定判别规则
3.2.8其他检验分组的规定
除非另有规定，本指南判别规则中未列出的其他检验分组，就认为这类分组的检验不能互为代替，应单独抽取样品进行检验。4结构相似性在鉴定扩展中的应用结构相似性在鉴定扩展中的应用按GJB33A中4.5.2.5的规定并符合表1的要求。5结构相似器件判别规则
结构相似器件判别规期如表1所示。12-
TKANiKAca-
适用等级
全部等级
JP、JT、JCT
JP、JTJCT
金部等级
JP、JT、JCT
SJ20756-1999
表1结构相似器件判别规则
检验内容
25 ℃下的直流（静态）测试
在最高额定工作温度和最低额定工作温度下的直流（静态）测试25 °℃下的动态测试
安全工作区（对功率晶体管）
或电流降额曲线（对整流二极
管或整流器）
浪涌电流
选择的静态和动态试
物理尺寸
可焊性
耐溶剂
可焊性
耐溶剂
物理尺寸
温度循环(空气一空气）
开帽内部直观设计检验
扫描电子显微镜
键合强度
芯片粘附强度
温度循环（空气一空气）
热冲击（液体一液体）
开辑内部直观设计检验
高温寿命
恒定加速度
PIND（粒子碰撞噪声检验）
判别要求
相同设计、相同工艺，相同材料要求，并具有相同的试验条件和极限值（由详细规范规定）的器件。
相同的誉壳等部件及封装工艺、相同的引出端镀涂材料及工艺、相同的标志材料和打印方法以及相同的管壳键涂材料，基本相同的器件后道组装工艺。相间生产线、相同的管壳零部件及封装工艺、相同的镀涂材料及工艺、标志材料和打印方法以及相同的器件后避组装工艺。具有基本相同的内部结构及基本相同的芯片设计和工艺，但允许有不同的材料掺杂浓度、结深、光刻图形和不超过 1:2 的芯片面积差异。
适用等级
全部等级
JP、JT、JCT
全部等级
SJ 20756-1999
续表1
检验内容
热冲击（液体一菠体）
引线强度
外观检查
频据动
恒定加速度
温度循环（空气一空气）
低气压
间歇工作寿命
热冲击（液体一液体）
加速度稳态工作寿命
键合强度
稳态或间歌工作寿命或稳态宜流阻断寿命
键合强度
稳态或间歇工作寿命或阻断寿命动态交流间款工作寿命或稳态间歇工作寿命或稳态阻断寿命
破坏性物理分析
6结构相似器件抽样示例
结构相似器件抽样示例如下：
示例A：
A1涉及的器件
CS0529A型GaAs微波功率场效应晶体管：CS0529B型GaAs微波功率场效应晶体管：CS0530型GaAs 微波功率场效应晶体管：CS0531型GaAs微波功率场效应晶体管：CS0532型GaAs微波功率场效应晶体管；WP43 型 Si PIN 二极管。
A2执行的总规范
GJB33A半导体分立器件总规范
判别要求
相同生产线、相同的管壳零部件及封装工艺、相同的镀涂材料及工艺、标志材料和打印方法以及相同的器件后道组装工艺。具有基本相同的内部结构及基本相同的芯片设计和工艺，但允许有不同的材料掺杂浓度、结深、光刻图形和不超过 1:2 的芯片面积差异。
相同设计、相同工艺、相同材料要求，或仅由材料掺杂浓度和结深不同而组成的不同电压系列的器作。
生产的器件为同一质量等级（JP、JT或JCT级之）。-4-
KArKAca-
A3涉及的详细规范
SJ 20756—1999
SJ50033.52—94CS0529型神化镓微波功率场效应晶体管详细规范SJ50033.53—94CS0530、CS0531型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范SJ50033.54—94CS0532型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范；Q/UD20327—94WP43型大功率PIN极管详细规范。A4器件的设计和工艺说明
A4.1六个型号的器件均采用相同的封装，企业型号为C406型。管壳等件的制造和器件的密封均在同一条管壳封装线上进行。所执行的原材料要求、工序控制和检验标准等均相同。这些器件在同一设备上用相同材料和严艺打印标志，A4.2五个型号的GaAs场效应晶体管均按相同工艺和质量控制要求，在同一条2英寸GaAs器件生产线.上制造。器件单胞设计相同。GS0529A和CS0S29B为单胞，CS0530和CS0531为双胞，CS0532为四胞。每个器件由单一芯片构成。芯片面积比与胞数比相同为1:2:4.
A4.3WP43型SiPIN二极管在3英寸Si二极管生产线上制造。A5器件的主要特性
A5.1CS0529A和CS0529B型器件设计相同只因在不同频率下测试微波特性而分为两个型号。
A5.2CS0530和CS0531型器件设计相同只因测得的微波输出功率和增益不同而分为两个型号。
A5.3各器件主要特性如表2和表3所示表2示例中各器件的土要特性
CS0529A
CS0529B
CS0530
CS0531
CS0532
150~400
250~-700
500~1400
YGstof)
Rcthij-e
(GHz)）
表3例中大功率PIN二极管的主要特性Yiski
A6抽样组合
Po(idB)
Gp(laB)
各检验分组抽样检验的组合办法见表4。表中批样组合类型中的字母涵义如下：A——每一型号单独抽取样品进行检验。SJ 20756—1999
B一从CS0529A或CS0529B型器件中抽取一组样品代表这两个型号的器件进行检验：
从CS0530或CS0531型器件中抽取一组样品代表这两个型号的器件进行检验：
对CS0S32型器件单独抽样进行检验：对WP43型器件单独抽样进行检验。C从六个型号中的一个型号中抽取一组样品代表六个型号的器件进行检验，从CS0530或CS0531中抽取一组样品代表CS0529A、CS0529B、CS0530CS0531和CS0532型器件进行检验；WP43型器件单独抽取一组样品进行检验。表4各检验分组抽样检验的组成
目检和机械检验
检验内容
25°℃下的直流（静态）测试
在最高和最低额定工作温度下的直流（静态）測试25℃下的动态（微被）试
可焊性
耐溶剂性
温度循环（空气一空气）
热冲击（液体液体）
终点测试
稳态工作寿命
终点测试
键合强度
开帽内部目检
高温寿命
终点测试
恒定加速度
终点测试
物理尺寸
热冲击（液体·-液体）
引线强度
外观检查
终点测试
TKAoNrKAca-
抽样组合办法
示例B：
抖频据动
恒定加速度
终点测试
稳态工作寿命
终点测试
各检验分组抽样检验见表5。
SJ 20756--1999
续表4
检捡验内容
表5各检验分组抽样检验可包容的器件型号适用等级
全部等级
JP、FT,JCT
检验内容
自检和机械检验
25°℃下的直流（静态）
在最高额定工作温度
和最低额定工作温度
下的直流（静态）测试
25°℃下的动态测试
安全工作区（仅对功率bzxz.net
晶体管）或电流降额曲
线（仅对整流二极管或
整流器）
浪涌电流
选择的静态和动态测
判别规则
相间设计、相同工
艺、相同材料（可
以是不同的电阻
率)，并具有相阅
的试验条件和主要
极限值的器件（有
详细规范规定，比
如：相同的功率耗
抽样组合办法
结构相似的器件
封装代号为 D2-10A 的
0.25 W、0.5 W、1 W 玻璃钝
化封装电压调整二极管。包
括：BWA50~78、BWB2V4~
110.,BWC50~64、BWC100~
121。
封装代号为 D2--10啪 的 3
W、5W玻璃钝化封装电压调
整二极管。包括：BWD129
~149,BWD80~94,2CW5341
5379。
封装代号为 D2 05D
（DO13）金属封装瞬变电压
抑制二极管。包括：YS5629~
5665、YS5636A~6066A、
适用等级
3P、JT、JCT
全部等级
检验内容
物理尺寸
可焊性
耐溶剂性
可焊性
耐溶剂性
物理尺寸
SJ 20756--1999
续表5
判别规则
相同的管壳，相
同的零部件及相
同的封装工艺，
相同的引线镀涂
材料及工艺，相
同的标志材料，
打印方法以及相
同的打印衬底涂
结构相似的器件
封装代号为D2—10A的被
璃钝化封装二极管，如 D.3 A,
0.5 A、1 A、1.5 A 的整流管和0.25 W、0.5 W、1 W的电压调
整二极管。包括：BZ03、BZ05、BZI,BZG03.BZG05. BZG1,
BZU15、2CZ32. BWA50~78.
BWB2V4 -~ 110, BWC100 ~-
121、BWC50~64。
b. 封装代号为 D2—10B 的玻
璃钝化封装二极管，如2A、3A
整流二极管和3W、5W的电
压调整二极管。包括RZ2、
BZ3. BZG2.BZG3.BWD129~
149.BWD80~~94.2CW5341~
C.封装代号为B2-01B（F-
1）封装的功率开关晶体管。
包括：3DK104.3CK104、FH205
d.封装代号为B2-0IC（F
2）封装功率开关晶体管。
包括：3DK105、3DK106
CK105、3CK106、3DK108.
3DK109。
iKAoNrKAca
适用等级
JP、JT,JCT
全部等级
SJ20756—1999
续表5
检验内容
温度循环（空气一空气）
终点测试
开帽内部目视设计捡验
扫描电子显微镜
键合强度
芯片粘附强度
温度循环（空气一空气）
热冲击（液体一液体）
终点测试
开辑内部目验
高温寿命
终点测试
恒定加速度
PIND（粒子碰接噪声检
终点测试
温度循环（空气一空气）
引线强度
外观检查
终点测试
扫频搬动
恒定加速度
终点测试
温度循环（空气一空气）
破坏性物理分相
【低气压
翔别规则
具有基本相同的
结构形式、相同
的生产线、相同
的管壳零部件及
工艺、相同的镀
涂材料及工艺
（例：基本相同
的芯片面积、
狗的后部组装工
艺)。
结构相似的器件
金封装功率开关晶体
管。封装代号为 B2—01C 型
NPN 功率晶体管。包括：
3DK108.3DK1093DK105、
3DK10G。封装代号为B2—01C
型PNP功率晶体管。包括：
3CK105、3CK106
b．玻璃钝化封装二极管。封
装代号为I2—10A玻璃钝化
封装 0.25 W、0.5 W、.1 W 电
压调整极管。包括 BWAS0~
78.BWB2V4~110.BWC100~
121、BWC50~64，封装代号
为 D210B 玻璃钝化封装 3
W、5 W 电压调整二极管。包
括: BWD129~149、BWD80~
94、2CW5341~5379。封装代
号为D2—10A玻璃钝化封装
0.3 A, 0.5 A,1 A, 1.5 A 整
流二极管。包括：BZ03、BZ05、BZ1、BZG03. BZG05.BZG1、
2CZ32、 BZU5.
C.金属封装整流二极管。封
装代号为 C1—0IA（D04）包
括：YZ6、YZ12、YZG6、
适用等级
JP、JT 和 JCT
全部等级
SJ 20756—1999
续表5
检验内容
稳态工作寿命或间工
作寿命
终点试
键合强度（仅对引线或
来片键合器件）
稳态直流阻断寿命（仅
对整流器）
终点测试
键合强度（仅对引线或
来片键合器件）
稳态或间歇工作寿命或
阻断寿命
终点测试
动态交流间歇工作寿命
或稳态间歇工作寿命或
稳态阳断寿命
终点测试
说明；示例中涉及的器件补充说明如下：判别规则
相同设计、相间
工艺、相同材料、
或从同一产品中
结构相似的器件
封装代号为 D2-10A 玻
璃钝化封装0.3A，0.5A，1
A、15 A整流二极管。包括:
派生出来的不同BZ03、BZ05、BZ1；EZG03、的P或1g的产品
BZG05、BZG1BZU15、
2CN3、 2CN4.
b.封装代号为D2—10B玻
璃钝化封装2A、3A整流二
极管，包括：BZ2、BZ3、
BZG2、BZG3.
c.封装代号为D2—10A玻
璃钝化封装0.25W、0.5W、
1W电压调整二极管。包括：
BWA50 ~ 78 、BWB2V4 --
110 BWC100 ～ 121
BWC50~64.
d．封装代号为D2—10B珑
璃钝化封装3W、5W电压
调整二极管。包括：BWD129~
149 BWD80 ~ 94
2CW5341~5379。
e：封装代号为 B2--01C（F
—2）金属封装功率晶体管。
包括：3DK105、3DK106。
f封装代号为B2—01C（F
-2）金属封装功率晶体管.
包括：3DK108、3DK109.
第一类：玻璃钝化封装扩散台面工艺生产的0.3A1.5A整流二极管分带有恢复时间和不带恢复时间两种，其封装代号为D2一10A，它们具有相同的封装、相同的外形尺寸、相同的工艺和相同的芯片尺寸，在相同的生产线上生产，主要参数如下：- 10 -
KAoNrKAca-
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半导体分立器件结构相似性
应用指南
Guideline for application of structruallysimilarity of discrete semiconductor deviees1999-11-10发布
1999-12-01实施
中华人民共和国信息产业部批准1范围
1.1主题内容
1.2适用范围·
1.3应用目的
2引用文件
3要求
一般要求
3.2详细要求
4结构相似性在鉴定扩展中的应用5结构相似器件判别规则…
6结构相似器件抽样示例
niKAoNrKAca-
1范围
中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件结构相似性应用指南Guideline for application of structruallysimilarity of discrete semiconductor devices1.1主题内容
SJ 20756—1999
本指南为GJB33A--97.《半导体分立器件总规范》中结构相似性的应用提供指导。1.2适用范围
本指南适用于结构相似的军用半导体分立器件（以下简称器件）的鉴定（含鉴定扩展）和质量一致性检验。
1.3应用自的
减少结构相似的器件应经受试验的检验批数量。2引用文件
GJB33A—97半导体分立器件总规范3要求
3.1—-般要求
3.1.1来用本指南必须以不降低产品质量保证水平为前提，并严格执行本指南规定的原则。
3.1.2作为结构相似器件应满足本指南为各检验分组规定的判别规则。3.1.3推荐作为结构相似性组合的器件，应在抽样检验之前以文件形式确定各分组所代表的器件型号、批次和批量（或时效），报有关主管部门认可后实施。对认证产品应在鉴定检验之前经鉴定机构认可后实施。上述文件需报标准化机构备案。3.2详细要求
3.2.1基本原则
组合在一起的结构相似器件，对一个检验分组随机抽取一组样品的检验结果，对该组样品所代表的其他型号器件均为有效。即检验合格，则该分组所代表的其他型号器件均为合格；撤验不合格，则该分组所代表的其他型号器件均为不合格：3.2.2自愿原则
符合表1判别规则的结构相似器件是否组合在一起进行检验，由承制方自行决定。承制方有权对结构相似器件中的部分或全部型号的器件单独抽样进行检验。3.2.3质量控制相同的原则
中华人民共和国信息产业部1999-11-10发布1999-12-01实施
SJ20756—1999
按结构相似性组合在一起进行检验的器件，必须是在相同生产线上生产的产品，而且不同型号器件所规定的材料质最要求，生产过程控制和检验要求的严格程度应该基本榈同。
3.2.4从严原则
对可组合在…起的结构相似器件，进行检验时应遵循从严原则，即从可能有最大失效风险的器件型号中抽取样品进行检验。例如：按分档的晶体管，测量特征频率行时，应抽取分组内HF最小的晶体管进行检验：鉴定检验时不同电压系列的器件应抽取具有最高电压和最低电压的器件进行检验。3.2.5轮换原则
按3.2.4条规定对可能有最大失效风险的器件检验合格以后，对随后提交检验的批和相继的周期检验，仍应遵循从严原则抽取未进行过检验的型号器件，以保证所有型号器件的轮换。
3.2.6多型号组合规定
对破坏性试验的各分组在不存在失效风险明显差异的情况下，需要时可从符合结构相似器件判别规则的不同型号器件中，抽取总数满足抽样方案要求的一组样品进行某一分组的检验。其检验条件和极限值应分别与该型号器件的要求相一致。3.2.7不一致时的规定
当检验分组的检验内容与GJB33A的规定不致时，应参照表1中相同检验内容对结构相似的要求确定判别规则
3.2.8其他检验分组的规定
除非另有规定，本指南判别规则中未列出的其他检验分组，就认为这类分组的检验不能互为代替，应单独抽取样品进行检验。4结构相似性在鉴定扩展中的应用结构相似性在鉴定扩展中的应用按GJB33A中4.5.2.5的规定并符合表1的要求。5结构相似器件判别规则
结构相似器件判别规期如表1所示。12-
TKANiKAca-
适用等级
全部等级
JP、JT、JCT
JP、JTJCT
金部等级
JP、JT、JCT
SJ20756-1999
表1结构相似器件判别规则
检验内容
25 ℃下的直流（静态）测试
在最高额定工作温度和最低额定工作温度下的直流（静态）测试25 °℃下的动态测试
安全工作区（对功率晶体管）
或电流降额曲线（对整流二极
管或整流器）
浪涌电流
选择的静态和动态试
物理尺寸
可焊性
耐溶剂
可焊性
耐溶剂
物理尺寸
温度循环(空气一空气）
开帽内部直观设计检验
扫描电子显微镜
键合强度
芯片粘附强度
温度循环（空气一空气）
热冲击（液体一液体）
开辑内部直观设计检验
高温寿命
恒定加速度
PIND（粒子碰撞噪声检验）
判别要求
相同设计、相同工艺，相同材料要求，并具有相同的试验条件和极限值（由详细规范规定）的器件。
相同的誉壳等部件及封装工艺、相同的引出端镀涂材料及工艺、相同的标志材料和打印方法以及相同的管壳键涂材料，基本相同的器件后道组装工艺。相间生产线、相同的管壳零部件及封装工艺、相同的镀涂材料及工艺、标志材料和打印方法以及相同的器件后避组装工艺。具有基本相同的内部结构及基本相同的芯片设计和工艺，但允许有不同的材料掺杂浓度、结深、光刻图形和不超过 1:2 的芯片面积差异。
适用等级
全部等级
JP、JT、JCT
全部等级
SJ 20756-1999
续表1
检验内容
热冲击（液体一菠体）
引线强度
外观检查
频据动
恒定加速度
温度循环（空气一空气）
低气压
间歇工作寿命
热冲击（液体一液体）
加速度稳态工作寿命
键合强度
稳态或间歌工作寿命或稳态宜流阻断寿命
键合强度
稳态或间歇工作寿命或阻断寿命动态交流间款工作寿命或稳态间歇工作寿命或稳态阻断寿命
破坏性物理分析
6结构相似器件抽样示例
结构相似器件抽样示例如下：
示例A：
A1涉及的器件
CS0529A型GaAs微波功率场效应晶体管：CS0529B型GaAs微波功率场效应晶体管：CS0530型GaAs 微波功率场效应晶体管：CS0531型GaAs微波功率场效应晶体管：CS0532型GaAs微波功率场效应晶体管；WP43 型 Si PIN 二极管。
A2执行的总规范
GJB33A半导体分立器件总规范
判别要求
相同生产线、相同的管壳零部件及封装工艺、相同的镀涂材料及工艺、标志材料和打印方法以及相同的器件后道组装工艺。具有基本相同的内部结构及基本相同的芯片设计和工艺，但允许有不同的材料掺杂浓度、结深、光刻图形和不超过 1:2 的芯片面积差异。
相同设计、相同工艺、相同材料要求，或仅由材料掺杂浓度和结深不同而组成的不同电压系列的器作。
生产的器件为同一质量等级（JP、JT或JCT级之）。-4-
KArKAca-
A3涉及的详细规范
SJ 20756—1999
SJ50033.52—94CS0529型神化镓微波功率场效应晶体管详细规范SJ50033.53—94CS0530、CS0531型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范SJ50033.54—94CS0532型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范；Q/UD20327—94WP43型大功率PIN极管详细规范。A4器件的设计和工艺说明
A4.1六个型号的器件均采用相同的封装，企业型号为C406型。管壳等件的制造和器件的密封均在同一条管壳封装线上进行。所执行的原材料要求、工序控制和检验标准等均相同。这些器件在同一设备上用相同材料和严艺打印标志，A4.2五个型号的GaAs场效应晶体管均按相同工艺和质量控制要求，在同一条2英寸GaAs器件生产线.上制造。器件单胞设计相同。GS0529A和CS0S29B为单胞，CS0530和CS0531为双胞，CS0532为四胞。每个器件由单一芯片构成。芯片面积比与胞数比相同为1:2:4.
A4.3WP43型SiPIN二极管在3英寸Si二极管生产线上制造。A5器件的主要特性
A5.1CS0529A和CS0529B型器件设计相同只因在不同频率下测试微波特性而分为两个型号。
A5.2CS0530和CS0531型器件设计相同只因测得的微波输出功率和增益不同而分为两个型号。
A5.3各器件主要特性如表2和表3所示表2示例中各器件的土要特性
CS0529A
CS0529B
CS0530
CS0531
CS0532
150~400
250~-700
500~1400
YGstof)
Rcthij-e
(GHz)）
表3例中大功率PIN二极管的主要特性Yiski
A6抽样组合
Po(idB)
Gp(laB)
各检验分组抽样检验的组合办法见表4。表中批样组合类型中的字母涵义如下：A——每一型号单独抽取样品进行检验。SJ 20756—1999
B一从CS0529A或CS0529B型器件中抽取一组样品代表这两个型号的器件进行检验：
从CS0530或CS0531型器件中抽取一组样品代表这两个型号的器件进行检验：
对CS0S32型器件单独抽样进行检验：对WP43型器件单独抽样进行检验。C从六个型号中的一个型号中抽取一组样品代表六个型号的器件进行检验，从CS0530或CS0531中抽取一组样品代表CS0529A、CS0529B、CS0530CS0531和CS0532型器件进行检验；WP43型器件单独抽取一组样品进行检验。表4各检验分组抽样检验的组成
目检和机械检验
检验内容
25°℃下的直流（静态）测试
在最高和最低额定工作温度下的直流（静态）測试25℃下的动态（微被）试
可焊性
耐溶剂性
温度循环（空气一空气）
热冲击（液体液体）
终点测试
稳态工作寿命
终点测试
键合强度
开帽内部目检
高温寿命
终点测试
恒定加速度
终点测试
物理尺寸
热冲击（液体·-液体）
引线强度
外观检查
终点测试
TKAoNrKAca-
抽样组合办法
示例B：
抖频据动
恒定加速度
终点测试
稳态工作寿命
终点测试
各检验分组抽样检验见表5。
SJ 20756--1999
续表4
检捡验内容
表5各检验分组抽样检验可包容的器件型号适用等级
全部等级
JP、FT,JCT
检验内容
自检和机械检验
25°℃下的直流（静态）
在最高额定工作温度
和最低额定工作温度
下的直流（静态）测试
25°℃下的动态测试
安全工作区（仅对功率bzxz.net
晶体管）或电流降额曲
线（仅对整流二极管或
整流器）
浪涌电流
选择的静态和动态测
判别规则
相间设计、相同工
艺、相同材料（可
以是不同的电阻
率)，并具有相阅
的试验条件和主要
极限值的器件（有
详细规范规定，比
如：相同的功率耗
抽样组合办法
结构相似的器件
封装代号为 D2-10A 的
0.25 W、0.5 W、1 W 玻璃钝
化封装电压调整二极管。包
括：BWA50~78、BWB2V4~
110.,BWC50~64、BWC100~
121。
封装代号为 D2--10啪 的 3
W、5W玻璃钝化封装电压调
整二极管。包括：BWD129
~149,BWD80~94,2CW5341
5379。
封装代号为 D2 05D
（DO13）金属封装瞬变电压
抑制二极管。包括：YS5629~
5665、YS5636A~6066A、
适用等级
3P、JT、JCT
全部等级
检验内容
物理尺寸
可焊性
耐溶剂性
可焊性
耐溶剂性
物理尺寸
SJ 20756--1999
续表5
判别规则
相同的管壳，相
同的零部件及相
同的封装工艺，
相同的引线镀涂
材料及工艺，相
同的标志材料，
打印方法以及相
同的打印衬底涂
结构相似的器件
封装代号为D2—10A的被
璃钝化封装二极管，如 D.3 A,
0.5 A、1 A、1.5 A 的整流管和0.25 W、0.5 W、1 W的电压调
整二极管。包括：BZ03、BZ05、BZI,BZG03.BZG05. BZG1,
BZU15、2CZ32. BWA50~78.
BWB2V4 -~ 110, BWC100 ~-
121、BWC50~64。
b. 封装代号为 D2—10B 的玻
璃钝化封装二极管，如2A、3A
整流二极管和3W、5W的电
压调整二极管。包括RZ2、
BZ3. BZG2.BZG3.BWD129~
149.BWD80~~94.2CW5341~
C.封装代号为B2-01B（F-
1）封装的功率开关晶体管。
包括：3DK104.3CK104、FH205
d.封装代号为B2-0IC（F
2）封装功率开关晶体管。
包括：3DK105、3DK106
CK105、3CK106、3DK108.
3DK109。
iKAoNrKAca
适用等级
JP、JT,JCT
全部等级
SJ20756—1999
续表5
检验内容
温度循环（空气一空气）
终点测试
开帽内部目视设计捡验
扫描电子显微镜
键合强度
芯片粘附强度
温度循环（空气一空气）
热冲击（液体一液体）
终点测试
开辑内部目验
高温寿命
终点测试
恒定加速度
PIND（粒子碰接噪声检
终点测试
温度循环（空气一空气）
引线强度
外观检查
终点测试
扫频搬动
恒定加速度
终点测试
温度循环（空气一空气）
破坏性物理分相
【低气压
翔别规则
具有基本相同的
结构形式、相同
的生产线、相同
的管壳零部件及
工艺、相同的镀
涂材料及工艺
（例：基本相同
的芯片面积、
狗的后部组装工
艺)。
结构相似的器件
金封装功率开关晶体
管。封装代号为 B2—01C 型
NPN 功率晶体管。包括：
3DK108.3DK1093DK105、
3DK10G。封装代号为B2—01C
型PNP功率晶体管。包括：
3CK105、3CK106
b．玻璃钝化封装二极管。封
装代号为I2—10A玻璃钝化
封装 0.25 W、0.5 W、.1 W 电
压调整极管。包括 BWAS0~
78.BWB2V4~110.BWC100~
121、BWC50~64，封装代号
为 D210B 玻璃钝化封装 3
W、5 W 电压调整二极管。包
括: BWD129~149、BWD80~
94、2CW5341~5379。封装代
号为D2—10A玻璃钝化封装
0.3 A, 0.5 A,1 A, 1.5 A 整
流二极管。包括：BZ03、BZ05、BZ1、BZG03. BZG05.BZG1、
2CZ32、 BZU5.
C.金属封装整流二极管。封
装代号为 C1—0IA（D04）包
括：YZ6、YZ12、YZG6、
适用等级
JP、JT 和 JCT
全部等级
SJ 20756—1999
续表5
检验内容
稳态工作寿命或间工
作寿命
终点试
键合强度（仅对引线或
来片键合器件）
稳态直流阻断寿命（仅
对整流器）
终点测试
键合强度（仅对引线或
来片键合器件）
稳态或间歇工作寿命或
阻断寿命
终点测试
动态交流间歇工作寿命
或稳态间歇工作寿命或
稳态阳断寿命
终点测试
说明；示例中涉及的器件补充说明如下：判别规则
相同设计、相间
工艺、相同材料、
或从同一产品中
结构相似的器件
封装代号为 D2-10A 玻
璃钝化封装0.3A，0.5A，1
A、15 A整流二极管。包括:
派生出来的不同BZ03、BZ05、BZ1；EZG03、的P或1g的产品
BZG05、BZG1BZU15、
2CN3、 2CN4.
b.封装代号为D2—10B玻
璃钝化封装2A、3A整流二
极管，包括：BZ2、BZ3、
BZG2、BZG3.
c.封装代号为D2—10A玻
璃钝化封装0.25W、0.5W、
1W电压调整二极管。包括：
BWA50 ~ 78 、BWB2V4 --
110 BWC100 ～ 121
BWC50~64.
d．封装代号为D2—10B珑
璃钝化封装3W、5W电压
调整二极管。包括：BWD129~
149 BWD80 ~ 94
2CW5341~5379。
e：封装代号为 B2--01C（F
—2）金属封装功率晶体管。
包括：3DK105、3DK106。
f封装代号为B2—01C（F
-2）金属封装功率晶体管.
包括：3DK108、3DK109.
第一类：玻璃钝化封装扩散台面工艺生产的0.3A1.5A整流二极管分带有恢复时间和不带恢复时间两种，其封装代号为D2一10A，它们具有相同的封装、相同的外形尺寸、相同的工艺和相同的芯片尺寸，在相同的生产线上生产，主要参数如下：- 10 -
KAoNrKAca-
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