本规范规定了砷化镓抛光片亚损伤层的X射线双晶衍射试验方法。本规范适用于经过化学、机械单面和双面抛光的砷化镓抛光片亚损伤层的定性测量。 SJ 20714-1998 砷化镓抛光片亚损伤层的X射线双晶衍射试验方法 SJ20714-1998 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国电子行业军用标准FL 5971
SJ207141998
砷化镓抛光片亚损伤层的
X射线双晶衍射试验方法
Test method for sub - surface damege of gallium arsenide polishedwafer by X - ray double crystal diffraction1998-03-18发布
1998-05-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准砷化镓抛光片亚损伤层的X射线
双晶衍射试验方法
Test method for sub - surface damege of galim arsenide polishedwafer by X - ray double trystal diffraction1范围
1.1主题内容
SJ 20714--1998
本标准规定了碑化抛光片亚摄伤层的X射线双晶衔射试验方法。1.2适用范围
本标准适用于经过化学、机械单面和双面抛光的碑化镓晶片亚损伤层的定性测量。2引用文件
CJB1926~94砷化镓单晶材料规范。3定义
本意无条文。
4一般要求
4.1测量大气条件
a.环境温度：23±5℃
b.相对湿度：≤70%
c.大气压力：86~106kPaWww.bzxZ.net
4.2测量环境要求
测量实验室应无振动，不允许存在电磁干扰；并保证一定的洁净条件。无魔蚀性气体。中华人民共和国电子工业部1998-03-18发布TKANrKAca-
1998-05-01实施
5详细要求
5.1方法提要
SI 20714 ~ 1998
X射线受完整晶体反射的摇摆曲线半蜂宽度为：=21F1xP
式中：8——半峰宽，弧度；
N-~单位体积晶胞数，cm~3；
a—x光波长，cm；
β布喇格角,\;
P—偏振因子;
e、巩、C物理带数：电子电荷，电子静止质量和光速：F —— 晶体结构因子。
在晶体有缺陷时晶体完整性降低，半峰宽加大，因此半峰宽是表征晶体究整性的重要参数。晶体的表面加工（切、磨、抛等工艺）使其表面损伤即在表面亚损伤层中晶体的完整性受到磁坏，将使晶体播摆曲线半峰宽变大，困此半峰宽大小可以用来表征在具有基本相同本征缺陷的晶体由于晶体表面经过加工的损仿。5.2测量仪器
X射线双晶衔射仪，计算机数据采集系统。5.3测量条件
用Cukα1辐射，一晶标准晶体为无位错硅单晶，经机械化学抛光，成镜面。采用小狭缝人射，双晶（+n、n）排列，采用同一→（khl）对称反射，闪炼计数管计数。5.4试样制备
试样表面应符合 GJB 1926中 3.2.9 和 3.2.10条的规定，经无水乙醇清洗应具有清洁和干燥表面。
5.5选点要求
测量点选取试样的中心点。
5.6测试步骤
5.6.1将样品固定在样品架上，探测器放在29位置上，调节样品0和平面角@角度，找到衍射峰极大值。
5.6.2用小于每角度秒一步的扫描速度进行摇摆曲线的步进扫描，用计算机数据采集系统采集数据，并绘出摇摆曲线图形，从图中量出半蜂宽，给出半峰宽的数据。5.7报告
测量报告包括以下内容：
a样品来源及编号；
b.仪器型号；
℃.测试条件：电压，电流，一晶人射狭缝，一晶种类、方向，一晶反射晶面，样品反射晶面；
SJ 20714 - 1998
d.測试日期、操作人员和测试单位；e.完整晶体摇摆曲线半蜂宽理论值：f.实测摇摆曲线图形和半峰宽（以【角】秒计)。6说明事项
6.1方法提要的补充说明
在双晶衍射仪中，经过两个晶体的反射，半峰宽为：B=429
在测量中考虑到仪器宽化作用，实测的半峰宽9”大于8。晶片半峰宽越接近理论值说明亚损伤层心且损伤不严重，反之半峰宽很大的晶片则损伤严重。将用所测的实验数据与理论值进行比较可以定性表征同一批晶片的经切磨抛后的亚损伤层的情况。6.2摇摆曲线的测量精度
考虑到仪器的系统误差，摇摆曲线半峰宽的测量精度为10%。附加说明：
本标准由中国电子技术标准化研究所归口。本标准由电子工业部第四十六研究所负责起草。本标谁主要起草人：张世敏，郝建民，段曙光。计划项目代号：B65004。
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