本标准规定了真空离子镀专业常用的术语及定义。 本标准适用于真空离子镀及与真空离子镀有关的过程。 JB/T 7505-1994 离子镀 术语 JB/T7505-1994 标准下载解压密码：www.bzxz.net
本标准规定了真空离子镀专业常用的术语及定义。 本标准适用于真空离子镀及与真空离子镀有关的过程。

中华人民共和国机械行业标准
JB/T7505—94
离子镀术语
1994-10-25发布
中华人民共和国机械工业部
1995-10-01实施
中华人民共和国机械行业标准
离子镀术语
本标准规定了真空离子镀专业常用的术语及定义。本标准适用于真空离子镀及与真空离子镀有关的过程。1一般概念
莫vacuumcoating
1.1真空镀膜
在真空条件下通过气相沉积过程在基本表面获得覆盖层的方法。物理气相沉积（PVD法）physicalvapordeposition1.2
JB/T750594
用物理的方法（如蒸发、溅射等）使镀膜材料汽化在基体表面沉积成覆盖层的方法。基体substrate
覆盖层支承体。
同义词：镀膜体。
镀膜材料coatingmaterial
制作覆盖层所用的源始材料。
同义词：镀膜物质。
溅射材料sputteringmaterial
用作溅射靶的材料。
同义词：靶材料。
覆盖层材料coatingsmaterial
构成覆盖层的材料。
同义词：覆盖层物质。
键膜速率coatingrate
单位时间内沉积于单位面积基体表面的覆盖层材料量。同义词：沉积速率。
1.8入射角incidentangle
入射到基体表面上的粒子方向与入射点法线之间的夹角。evaporatingangle
蒸发角
离开蒸发器表面的蒸汽流所形成的立体角。1.10溅射 sputtering
利用获能粒子所传递的动量使镀膜材料原子进入气相的过程。离子轰击ionbombardment
离子冲击电极表面并与电极相互作用的过程。离子轰击清洗ionbombardmentcleaning1.12
借助于离子轰击，使基体表面净化和活化的过程。膜-基界面film-substrateinterface1.13
机械工业部1994-10-25批准
1995-10-01实施
膜与基体间形成的界面。
离化率ionizationrate
JB/T7505-94
离子镀过程中，离化粒子占总粒子数的百分比。活化极activationpole
在离子镀装置中，为提高离化率而加入的电子发射极。蒸发率evaporatingrate
单位时间从蒸发源单位面积上蒸发出的镀膜材料量。偏压bias
偏离零电位施加于基体的偏置电压。2方法
2.1真空蒸镀vacuumevaporating加热蒸发镀膜材料的真空镀膜方法。2.2反应真空蒸镀reactivevacuumevaporating通过气相反应获得所需化学组成和结构的覆盖层的真空蒸镀方法。2.3同时蒸镀simultaneousevaporating来自一个或多个蒸发源或溅射源的不同蒸发材料同时沉积在基体上的真空镀膜方法。2.4感应蒸镀inductionevaporating通过感应加热蒸发镀膜材料的镀膜方法。2.5电子束蒸镀electronbeamevaporating通过电子束加热蒸发镀膜材料的镀膜方法。激光束蒸镀laserbeamevaporating2.6
通过激光束加热蒸发镀膜材料的镀膜方法。resistanceheating evaporating电阻加热蒸镀
通过电阻加热蒸发镀膜材料的镀膜方法。2.8电弧蒸镀arcevaporating
通过电弧放电蒸发镀膜材料的镀膜方法。2.9离子束蒸馈ionbeamevaporating通过离子束加热蒸发镀膜材料的镀膜方法。空心阴极等离子电子束蒸镀hollowcathodeplasma-electronbeamevaporating2.10
通过由空心阴极内引出的高密度等离子电子束加热蒸发镀膜材料的镀膜方法。热阴极等离子电子束蒸镀hotcathodeplasma-electronbeamevaporating2.11
通过由热灯丝引出的高密度等离子电子束加热蒸发镀膜材料的膜方法。溅射镀sputtering
通过溅射沉积覆盖层的方法。
反应溅射镀reactivesputtering引入化学反应的溅射镀。
2.14偏压溅射镀bias sputtering在基体上施加偏压的溅射镀。
2.15直流二极溅射镀d.c.diodesputtering在两极之间施加直流电压的溅射镀。2.16不对称的交流溅射镀
asymmetrica.c.sputtering
在两极之间施加不对称交流电压的溅射镀。2
射频溅射镀R.F.diodesputtering在两极之间施加射频电压的射镀。三极溅射镀triodesputtering
在两极之间引入活化极的溅射镀。离子束溅射镀ionbeamsputtering采用离子束源的溅射镀。
磁控溅射镀magnetronsputteringJB/T7505-94
采用磁场束缚靶面附近电子运动的溅射镀。离子镀ionplating
在基体上施加偏压，产生离子对基体和覆盖层的持续轰击作用的真空镀膜方法。同义词：离子沉积。
反应离子镀reactiveionplating引入化学反应的离子镀。
activated reactiveevaporation活性反应离子镀(A.R.E）
利用电子束蒸发并通过活化极活化的反应离子镀。空心阴极离子镀（H.C.D）hollowcathodedeposition利用空心阴极发的离子镀。
热阴极离子镀hotcathodedeposition利用热阴极蒸发的离子镀。
射频离子镀（R.F.I.P）radiofrequencyionplating2.26
利用射频辉光放电活化的离子镀。2.27
磁控溅射离子镀magnetronsputteringionplating利用磁控溅射蒸发源的离子镀。2.28电弧离子镀arcionplating
利用电弧蒸发的离子镀。
团束离子镀ionizedclusterbeamdeposition2.29
利用加热蒸发，使镀膜材料以原子团状从中喷出的离子镀。3装置
3.1蒸发源evaporationsource
用以产生镀膜材料的装置。
同义词：蒸发器。
3.2靶target
溅射装置中由溅射材料组成的电极。磁控靶magnetrontarget
用于磁控溅射的靶。
电弧源arcsource
用于电弧蒸发的源。
基体夹具substrateholder此内容来自标准下载网
用于直接夹持基体的装置。
加热装置heatingdevice
加热基体到所要求的温度的装置。3.7冷却装置coolingdevice
冷却或限制基体到一定温度的装置。附加说明：
JB/T7505-94
本标准由全国金属与非金属覆盖层标准化技术委员会提出。本标准由机械工业部武汉材料保护研究所归口。本标准由大连大学、沈阳金属研究所、武汉材料保护研究所负责起草。本标准主要起草人朱英臣、陈伟荣、周福堂、闻立时。中华人民
民共和
机械行业标准
离子镀术语
JB/T7505--94
机械工业部机械标准化研究所出版发行机械工业部机械标准化研究所印剧（北京8144信箱邮编100081）
版权专有不得翻印
开本880×12301/16印张1/2
2字数8.000
1995年10月第一版1995年10月第一次印刷印数00.001-500定价3.00元
编号94-282
小提示：此标准内容仅展示完整标准里的部分截取内容，若需要完整标准请到上方自行免费下载完整标准文档。