SJ/T 10457-1993 俄歇电子能谱术深度剖析标准导则 SJ/T10457-1993 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国电子行业标准
SJ/T10457--93
俄歇电子能谱术深度剖析标准导则Standard guide for depth profilingin auger electron spectroscopy1993-12-17发布
1994-06-01实施
中华人民共和国电子工业部发布中华人民共和国电子行业际准
俄歇电子能谱术深度剖析标准导则Standard guide fordepth profiling in augerelectron speetroscopy1 生题内容与适用范围
1.1 主题内容　
本际准号则规定了俄歇电子能潜术深度剖析的实施纸则。1.2适用范围
SI/T 1C657--93
本标准导则道为丁采联帝问与截而法，球沉法、离子射法，非被坏性深度剖析法进行伪歇电子能谱术深衰析
本标准导则可能涉及害的物品，操作及设备。但没有说明所有相关的安全问题。使用者在使川本导到前，应该制定适当的安全与保健措施，并确定本导则的应用范围。2方法提要
2.1离负与截面达：渐自法尽将样点表血以某-小负度进行碎磨或范光，与截面法比较，提高广深摄分孵能力bZxz.net
2.2球坑法，利用旋转球在样品衰面形成一球形坑，利用球坑斜应提高深度分辫能力。2.3高子溅射法：与俄歇分新相经合，用离千轰击对祥品表的遂层剥离。2.4非破坏性深度别托法，系指各种裁群品表酉不同深度的信息的非吸坏性方法。3意义及应用
3.1俄欲电子能谱术提供的是固体近表面区的化学和物理状态的信息，国此非破坏性深度析局限在这一近表面区内。
3.2离子测射法主婴用于2um深度勺。3.3磨角法或球坑法主要用于大于1μm的深度。3.4用深度剂忻法研究界面时,应板据表面粗糙度、界面粗糙度与膜厚选操深度剖柠的方法。4磨角与载面法
4.1摩而法是以某角腰抛磨样而从而提高深度分辨能力的方法，如图1所示;而在截面法中则班白于拆的抛磨样品，抛磨伴品常用金刚纸，刚石研磨膏和白刚下，逐步加细抛光材料的粒度，以获得所期望的表面光范度。是，这两扑方法对于获得清晰的界面和光活的表面都有一定的尚很性。
中华人民共和国电子工业部1993-12-17批准1994-06-01实施
S.I/T 1C457 -93
多1磨角样品剖面图
注：实际上9比当末的前度小得多，为1量级。4.2在角运中，无把样品固定在平板规块上，用推直仪测量角度。精确度取决于样品平整度。实际应用中，测量精度可送0.14.3深度(如图1所示）,内（1)式给出：d=Y.tar
式中,9一耐诱角;
Y—分析点至研虑斜而上边缘的水平距离.nm。4.4深度分能力4d，注（2)式给：Ad - AY . tano
式中：AY.…一电于束给与样品及地子束的位置误差之知am(1)
4.5俄分析包括沿研账面的线扫描分析与点分析。这些分析可订泌微器调节移动祥品或用电于学方法移动子更求究战。
4.6离可-溅射法常与磨片法结台求除去沾污研究研磨表面下的界面，5球坑法
51首先将样品固定在施转钢球能核触儿表面的装皆上，然后进行研磨。钢球的旋转速度及些对样品的力可谢节
5.2在球上涂覆磨料可以提离磨削速率。巡节选用粒度为0.1m至1ur的金划不研磨膏。使用较扭的颗轻可达到很高磨测速率，使羽较细能履粒可得到很光肾的球坑疆，首先用粗研磨膏形成球坑，再用纫研磨旁地光究境。5.3球坑的儿何形状见图2.球坑深度d出(3)式给品：式卡D—球坑直经，nm:
R—添半径,nm:左 R>t。
t - 1*/8R
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图2在样品上用半径为R的球得到深度为比的球坑剖面图5.4饿歇分析同4.5条与4.6条所述。5. 5分析中任意点的深度 7 史(4)式给出：Z -(R-X3 + D .X - D/4)12- (R -D\/4):/2式中，X—一分析点距球坑边缘的水乎距离，nm。深度也可由(5)式近似出：
Z = X .(D -X)/2R
5. 6深度分辨能力A7. ,由(6)式给出：AZ-AX.tang
式中AX—！
电子束径与水平方向的其他位置误差之和nm6—皱角，。
与磨角法不同，坡角定义为样品表面与坑壁切线的夹角。坡角沿坑壁发生变化，其值可(7)式给出：
Sine = 2(0. SD - X)/R
在球抗底最小，此处具有最佳分辩能力、6离子溅射法
6.1首先，将样品送入装有俄歇分析器和离溅射抢的真空室内，拍贱射靶或法拉第杯语离子束。将样品放置在假歇分折器前,并使离了枪正对分析区，使分析区处在离概射区内。如果离了束与样品装面不年百，则必须考忠高子束对分析区可能产生的阴影效应。在溅射过程中，使样品台旋转可以提高离了溅射的均匀性，从面提高深度到析时的深度分辩能力，5.2根据经验或从最初的我歌全谱扫描中选定微测试的元素。选取各元案持定跃迁峰的能境窗口，并记录深度剂杆过程的饿歇微分谱的峰-峰高或N（E）谱的峰高循。上连数操的收集，叶在连续溅射过程中或定时问既溅射的间隙进行，此两种收集效据方式的结果可能不问。在未卸样品的深度割析过积中，应定期过行昵录全讲工描，检查是否出现新元素，并测定足否有能峰移出源指定的窗口
6.3对溅射生成约弧坑边缘，可用疫线扫描进行分析。这一方法和球坑法分析相似.们溅对形的弧坑，由干存在离了抗伤及弧形不对称增加了分折的复杂性。6.4对每个样品应确定离了爱射是否会引起成分变化或其它溅时效成.在某些借说上，通过调节凝射琴数，可将这些影珂降低到最小。S.I/T 10457 93
6.5用于俄歇分析的离一价通常肌能产牛聚焦离了束的完整装置，不用样品作为枪的阳极。许多离了枪可以恢离子束扫，拦萌离子束可以密样品表前分析区内产生较均勾的离了流分，
F.6如某离子枪上装有溅射气流的限流孔·则溅射时可用真空策除大部分溅射气体。否则高真空室必然反充溅射气本，因此必须考虑抽除这些溅射活性气体的措施。涡轮分子泵，或离子录等能有效地排除这监气体。6.7避射通常用情性气体，最常用的为氩气。需要用高能克快速减射射，可用氟气，特欲情况下，用治生气体如氧气和金属离子。6.7.1深度制析使用的情烂气体的离一能量近常在500eV到5keV范制内。6.了.2利用法拉第杯测量离子束流密度。5.7.3在利用离子溅射法进行深度到析时,深度标尺叫用溅射这率来标定。可选用厚度分别为30am与130nm的五氧化二钮膜或厚度分射;为t6nm与53nm的镍铬督层膜等标推物插或其他标样品来测定践时球率。7非破坏性深度剖析法
7.1通让改变农激电子约予效逸出深度，可以行非破坏性俄歇电子能谱术深度剖析，这种方法只限于表征样品最外墨2mnl到5nn范围7.2对于某些元素.可通过检测不间能显的伐嗽跃迁获得能量深度关系式，能量较低的俄歇电子，比能量较高的试歌电了具有较小的途出深度，因形同一元素的不同联迁应有不同的取带深度、
7.3人射电子求能量的收变可以使样品分析信号来源深渡产生微小的变化。因此，通过改变人射电子求的能，世可以在某种程度上改变取样深度，7.1通过改变出射电子的集润可以进行角分辨俄歇电子能谱术深度剖析。但这种方法由于表有料糙以及飛款信号强度整带出现的角度各向异性正受到限制附加说：
太标准由电子工业部标准化研究所归了太标准由天激电子材料究所价贵起草。云标准主要起草人：李岩松.刘咏梅、罗兴华、严如品、华庆恒。本标准等效采用美国材料试验协会标雅ASTME1127一86俄歇电子能谱术深度剖析标准导则》。
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