SJ/T 10557.2-1994 高压电解电容器用铝箔晶粒织构测量方法 SJ/T10557.2-1994 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国电子行业标准
SJ/T10557.2—94
高压电解电容器用铝箔晶粒织构测量方法
Mathodfortexturemeasurement
of aluminium foil for high voltage electroytic capacitor1994-08-08发布
1994-12-01实施
中华人民共和国电子工业部发布中华人民共和国电子行业标准
高压电解电容器用铝箔的织构
测量方法
Mathod for texture measurementof aluminium foil for high voltage electroytic capacitor1主题内容与适用范围
本标准规定了高压电解电容器用铝箱的织构测量方法。本标准适用于高压电解电容器用铝箔。2术语
2.1织构Texture
多晶材料中晶粒出现的择优取向称之为织构。2.2反极图inversepolefigure
SJ/T10557.294
晶体中某一宏观座标在各结晶方向上投影分布密度表示试样择优取向情况的方法。2.3晶面指数millerindices
晶面在基矢上的截距的倒数比简约为互质整数比，所得的互质整数即为晶面指数，又称密勒指数，用(hkl)表示。
3原理
晶粒择优取向测定是根据X射线衔射反极图法，测量试样的衍射全谱，量出（hkl）峰的积分强度，并在相同狭缝系统下，测量铝粉（无序试样）各衍射峰的积分强度，求出二试样对应衍射峰强度比，经计算可得出（hkl)晶面在试样表面的占有情况。(hkl)晶体在表面占有率按式（1)计算：tohkl
EPh·[ak)IRihhi]
[Pha·Ichkl)IRhkL)]
式中：Phl—-（hkl)晶面多重因子的权重系数；Ir(hl)-一无序试样(hkl)衔射峰的积分强度；一铝箱(hk!)衍射峰的积分强度。Ibk
(hkl)）晶面族在表面的占有率按式（4）计算：Dhki =WbkiPhk'
中华人民共和国电子工业部1994-08-08批准(1)
1994-12-01实施
式中：Pu
多重因子。此内容来自标准下载网
假设≥Pl=1，因而可得：
SJ/T10557.2—94
Phk[Ichkl)/Ir(hk,]
[Phkl·I(hul)/Rhk)]
4仪器
（3）
采用X射线粉末衍射仪，测角仪的精度为30”，带有样品旋转装置及石墨单色器。5测量程序
5.1样品的制备与安装
铝箔经平整处理并用无水乙醇擦洗干净，装入样品架，并使其表面与样品架表面齐平。5.2测量条件
铜靶，大狭缝系统：发散狭缝（DS）=2°，防散狭缝（SS）=2°，接收狭缝（RS）=0.3mm。石墨单色器，闪烁计数管，样品架以77r/min旋转，扫描速度4/min。5.3衍射峰积分强度的测定和计算。从衍射图中扣除背底，由衍射峰形面积求出积分强度，如图1所示。在自动衍射仪中，当选择好某一衍射峰的起点和终点，计算机可以自动完成扣除背底和积分强度的计算。5.4织构的计算
按(4)式进行计算
6测量误差
6.1强度统计误差
衍射图采用数率仪连续扫描，其强度的相对标准偏差按式（5)计算：g(%）=（a/P)×100=（/2tP)×100式中，P—计数率，
一数率仪的时间常数。
采用较高计数率，置信度较高。6.2织构测量误差
织构测量误差按式（9）计算：
假设，
式(7)微分，可得：
Pa·Icaki)
Ir(hki)
·（5）
·（7)
所以，
SJ/T10557.2—94
A(hki)
Ichkn)
式中，AI/I主要由强度的相对标准偏差决定。-e1
AI Rakn
附加说明：
本标准由电子工业部标准化研究所归口。本标准由电子工业部第四十六研究所负责起草。本标准主要起草人：张世缴。
·（8)
·（9)
28(度）
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