SJ/T 10557.3-1994
标准分类号
中标分类号:综合>>标准化管理与一般规定>>A01技术管理
关联标准
相关单位信息
标准简介
SJ/T 10557.3-1994 电解电容器用铝箔平均位错密度测量方法 SJ/T10557.3-1994 标准下载解压密码:www.bzxz.net
标准内容
中华人民共和国电子行业标准
SJ/T10557.394
电解电容器用铝箔平均位错密度测量方法
Method for measurement of average dislocation densityof aluminium foil for electroytic capacitor1994-08-08发布
1994-12-01实施
中华人民共和国电子工业部发布中华人民共和国电子行业标准
电解电容器用铝箔平均位错密度测量方法
Methodformeasurementof averagedislocationdensityof aluminium foil for electroytic capacitor1主题内容与适用范围
本标准规定了电解电容器用铝箱平均位错密度的测量方法。SJ/T10557.3-94
本方法适用于平均位错密度为0~9×10°个cm的电解电容器用铝箔。2术语
2.1位错dislocation
晶体中部分原子受应力作用产生滑移,已滑移部分和未滑移部分的分界线为位错线,简称位错。
2.2位错蚀坑dislocationetchpit在化学浸蚀作用下,在晶体表面位错露头处形成规则形状的腐蚀坑称为位错蚀坑。2.3平均位错密度averagedislocationdensity本方法平均位错密度是指从16个测量点测得的单位面积内位错蚀坑个数的平均值(个cm2)。
3原理
采用择优化学腐蚀技术显示位错。由于位错线使其周围出现晶格变形,形成管道状应力场,因此该处化学势不同于基体。在某些化学腐蚀剂中,位错在晶体表面露头处优先受到腐蚀,形成由低指数晶面构成的规则蚀坑。蚀坑形状取决于样品表面所属的晶面指数。4试剂
无水乙醇(CH,CH2OH):分析纯;高氯酸(HCLO.):优级纯:
硝酸(HNO3)分析纯:
盐酸(HCL):分析纯;
氢氟酸(HF):优级纯;
去离子水(H,0):电阻率大于1MQ·cm。中华人民共和国电子工业部1994-08-08批准1994-12-01实施
5样品制备
5.1样品尺寸,10mm×15mm。
5.2电解抛光
SJ/T10557.3—94
5.2.1电解抛光液:HCLO:CH,CH,OH=1:(4~9)体积比)。5.2.2电解抛光条件:
电解材料:不锈钢;
电压15~20V;
抛光温度:<30℃。
5.2.3抛光面尺寸,不小于10mm×15mm。5.3位错腐蚀
腐蚀液:HNO,:HCL:HF:H,O-3,9,25(体积比);5.3.2
腐蚀时间:3.5min左右。
6测试设备
直流电源(25V,2A);
b.扫描电子显微镜或金相显微镜。7位错蚀坑特征
(100)面上表现为分立的正方形浅坑(见图1)。(110)面上表现为分立的矩形浅坑(见图2)。(111面上表现为分立的三角形浅坑(见图3)。8位错蚀坑计数方法
8.1测量点选择:测量点取16个,其位置如图4所示。若测量点处遇腐蚀穿孔,该点应稍作偏移。
8.2在显微镜上观测时,放大倍数以各视场内位错蚀坑数目高于50个为宜。9平均位错密度计算
平均位错密度按下式计算:
式中:D平均位错密度(个/cm2);N,——测量点的位错蚀坑数目(个);A,一一第i个测量点的视场面积(cm\)。10精度
本方法测量精度为土2.5%。
11测整报告
按下列格式填写测试报告。
图1(100)位错蚀坑×435
图3(111)位错蚀坑×435
附加说明:
SJ/T10557.3-94
本标准由电子工业部标准化研究所归口。本标准由电子工业部第四十六研究所负责起草。本标准主要起草人,王利杰、齐芸馨。年月日
平均位错密度(个/cm2)bZxz.net
检测者:
图2(110)位错蚀坑×435
图4测量占位置示意图
小提示:此标准内容仅展示完整标准里的部分截取内容,若需要完整标准请到上方自行免费下载完整标准文档。