SJ/T 10557.3-1994 电解电容器用铝箔平均位错密度测量方法 SJ/T10557.3-1994 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国电子行业标准
SJ/T10557.394
电解电容器用铝箔平均位错密度测量方法
Method for measurement of average dislocation densityof aluminium foil for electroytic capacitor1994-08-08发布
1994-12-01实施
中华人民共和国电子工业部发布中华人民共和国电子行业标准
电解电容器用铝箔平均位错密度测量方法
Methodformeasurementof averagedislocationdensityof aluminium foil for electroytic capacitor1主题内容与适用范围
本标准规定了电解电容器用铝箱平均位错密度的测量方法。SJ/T10557.3-94
本方法适用于平均位错密度为0~9×10°个cm的电解电容器用铝箔。2术语
2.1位错dislocation
晶体中部分原子受应力作用产生滑移，已滑移部分和未滑移部分的分界线为位错线，简称位错。
2.2位错蚀坑dislocationetchpit在化学浸蚀作用下，在晶体表面位错露头处形成规则形状的腐蚀坑称为位错蚀坑。2.3平均位错密度averagedislocationdensity本方法平均位错密度是指从16个测量点测得的单位面积内位错蚀坑个数的平均值（个cm2)。
3原理
采用择优化学腐蚀技术显示位错。由于位错线使其周围出现晶格变形，形成管道状应力场，因此该处化学势不同于基体。在某些化学腐蚀剂中，位错在晶体表面露头处优先受到腐蚀，形成由低指数晶面构成的规则蚀坑。蚀坑形状取决于样品表面所属的晶面指数。4试剂
无水乙醇（CH,CH2OH）：分析纯；高氯酸（HCLO.）：优级纯：
硝酸（HNO3)分析纯：
盐酸（HCL）：分析纯；
氢氟酸（HF）：优级纯；
去离子水(H,0)：电阻率大于1MQ·cm。中华人民共和国电子工业部1994-08-08批准1994-12-01实施
5样品制备
5.1样品尺寸，10mm×15mm。
5.2电解抛光
SJ/T10557.3—94
5.2.1电解抛光液：HCLO：CH,CH,OH=1：（4～9)体积比）。5.2.2电解抛光条件：
电解材料：不锈钢；
电压15~20V；
抛光温度：<30℃。
5.2.3抛光面尺寸，不小于10mm×15mm。5.3位错腐蚀
腐蚀液：HNO，：HCL：HF：H,O-3，9，25（体积比)；5.3.2
腐蚀时间：3.5min左右。
6测试设备
直流电源（25V，2A）；
b.扫描电子显微镜或金相显微镜。7位错蚀坑特征
（100）面上表现为分立的正方形浅坑（见图1）。（110）面上表现为分立的矩形浅坑（见图2）。（111面上表现为分立的三角形浅坑（见图3）。8位错蚀坑计数方法
8.1测量点选择：测量点取16个，其位置如图4所示。若测量点处遇腐蚀穿孔，该点应稍作偏移。
8.2在显微镜上观测时，放大倍数以各视场内位错蚀坑数目高于50个为宜。9平均位错密度计算
平均位错密度按下式计算：
式中：D平均位错密度（个/cm2）；N,——测量点的位错蚀坑数目（个）；A,一一第i个测量点的视场面积（cm\）。10精度
本方法测量精度为土2.5%。
11测整报告
按下列格式填写测试报告。
图1（100)位错蚀坑×435
图3（111)位错蚀坑×435
附加说明：
SJ/T10557.3-94
本标准由电子工业部标准化研究所归口。本标准由电子工业部第四十六研究所负责起草。本标准主要起草人，王利杰、齐芸馨。年月日
平均位错密度（个/cm2）bZxz.net
检测者：
图2(110）位错蚀坑×435
图4测量占位置示意图
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