SJ 2098-1982 ＣＳ４１型Ｎ沟道结型场效应小功率半导体开关三极管 SJ2098-1982 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国电子工业部部标准CS41型N沟道结型场效应
小功率半导体开关三极管
SJ2098-82www.bzxz.net
1本标准适用于CS41型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管。该产品主要用于电子设备的开关电路中。
2该产品除应符合本标准的规定外，还应符合SJ614--73《半导体三极管总技术条件》的规定3产品的外形结构和尺寸应符合陶瓷环氧封装外型结构和尺寸（见附录A）图的规定。引出线排列顺序为 S、D、G。
4技术要求和试验方法
4.1产品的电参数应符合参数规范表的规定.电参数的测试方法应符合SJ1949～1973一81《场效应半导体管测试方法》及SJ209282《CS35型N沟道结型场效应小功率半导体开关三级管》附录A的规定。4.2各项环境试验后，按顾序测试下列电参数：漏源通态电阻rps（。;
截止漏电流Ip(atn)：
栅源截止电压Vcs(011)
截止栅电流IGss;
栅源击穿电压V（BR）GSS。
测试结果：rDs(o)、Ip(ofn)、Ves(ot)的相对变化均不得超过士30%，Iess、V(BR>ess应符合规范值。
4.3短期寿命试验条件
电压：VGs=-10V，VDs=0：
b.温度：125℃；
时间：240小时。
4.4高温贴存试验条件
温度：125℃。
4.5短期寿命试验和高温贮存试验后考核标准为：rps。)、Ip(。1)、Vas(。t的相对变化均不得超过±30%为含格。
4.6本标准参数规范的仲裁条件为：a.环境温度25±1℃：
b.相对湿度：48%~52%：
c.气压：860~1060mbar
5各生产单位应在产品说明书中提供下列特性曲线：a,rps(on)-
b.Tpston)
-l,曲线：
-T。曲线：
T。曲线：
d. Vestoft)
一T.曲线：
e.I,\-VDs曲线
6各生产单位应在产品说明书中提供本单位工艺筛选的项目和条件，中华人民共和国电子工业部1982-05-15发布1
1982-12-01实施
SJ2098—82
A8--(40)S94
0=(0)SPA*A0I-SAA
ZHWI=/
AOT--6DA*O=SAA
8-=524
AOT=SAA
SsS8e)4
SJ2098—82
附录A
陶瓷环氧封装外型结构和尺寸图（补充件）
s中D中
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