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SJ 2214.4-1982

基本信息

标准号: SJ 2214.4-1982

中文名称:半导体光敏二极管反向击穿电压的测试方法

标准类别:电子行业标准(SJ)

标准状态:现行

发布日期:1982-11-30

实施日期:1983-07-01

出版语种:简体中文

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相关标签: 半导体 光敏 二极管 反向 击穿 电压 测试方法

标准分类号

中标分类号:通信、广播>>通信、广播综合>>M01技术管理

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出版信息

页数:1页

标准价格:8.0 元

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标准简介

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SJ 2214.4-1982 半导体光敏二极管反向击穿电压的测试方法

标准内容

中华人民共和国电子工业部部标准半导体光敏二极管
反向击穿电压的测试方法
本标准适用于光敏二极管反向击穿电压VBR的测试。SJ2214.4-82
测试反向击穿电压总的要求应符合SJ2214.1一82《半导体光敏管测试方法总则》反向击穿电压VBR的测试
2.1定义
在无光照下被测管通过的反向电流IR为规定值,在两极间所产生的电压降。2.2反向击穿电压VBR的测试原理图应符合下图。遮光罩www.bzxz.net
恒流源
测试步骤
调节恒流电源使电流表的读数为规定值,这时电压表的读数即为反向击穿电压VBR。中华人民共和国电子工业部1982-11-30发布1983-07-01实施
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