基本信息
标准号：
SJ 2214.4-1982
SJ 2214.4-1982半导体光敏二极管反向击穿电压的测试方法
标准类别：电子行业标准(SJ)
发布日期：1982-11-30
实施日期：1983-07-01
出版语种：简体中文
下载格式：.rar.pdf
下载大小：37.79 KB
相关标签：
电压
半导体
光敏
击穿
二极管
反向
标准分类号
中标分类号：通信、广播>>通信、广播综合>>M01技术管理
关联标准
相关单位信息
标准简介
SJ 2214.4-1982 半导体光敏二极管反向击穿电压的测试方法 SJ2214.4-1982
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标准内容
中华人民共和国电子工业部部标准半导体光敏二极管
反向击穿电压的测试方法
本标准适用于光敏二极管反向击穿电压VBR的测试。SJ2214.4-82
测试反向击穿电压总的要求应符合SJ2214.1一82《半导体光敏管测试方法总则》反向击穿电压VBR的测试
2.1定义
在无光照下被测管通过的反向电流IR为规定值，在两极间所产生的电压降。2.2反向击穿电压VBR的测试原理图应符合下图。遮光罩
恒流源
测试步骤
调节恒流电源使电流表的读数为规定值，这时电压表的读数即为反向击穿电压VBR。中华人民共和国电子工业部1982-11-30发布1983-07-01实施
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