SJ 2360-1983 ３ＣＤ１５５、３ＣＤ１５６、３ＣＤ３５５型ＰＮＰ硅低压低频大功率三极管 SJ2360-1983 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国电子工业部部标准3CD155型、3CD156型、3CD355型PNP硅低压低频大功率三极管
SJ2360—83
1本标准适用于耗散功率为30W的3CD155型、3CD156型、3CD355型PNP硅三重扩散、外延基区、单扩散等工艺的低压低频大功率三极管（以下简称三极管）。三极管除应符合本标准规定外，还应符合SJ614一73《半导体三极管总技术条件》的规定。2本标准采用的参数符号一般符合SJ1400一78《半导体器件参数符号》的规定，并补充如下符号：一集电极一发射极（基极开路时)的维持电压；VCEO(SuS)
VCER(sus)
集电极一发射极（基极一发射极接电阻时）的维持电压。3三极管的外形结构和尺寸应符合SJ139一78《半导体三极管外形尺寸》的规定。4三极管的参数应符合本标准8.1和8.2条的要求。其测量方法应符合SJ300～314一72《半导体三极管测试方法》的规定。本标准参数规范表中的电参数除注明外，均以管壳温度Tc为25℃时为准。5环境试验后，三极管的集电极一基极电压VcBO、集电极一发射极电压VcEO、发射极一基极电压VEBO应符合本标准8.1条的规定。其中VcBO、VcEo不许降档，电流放大系数hFE的相对变化应不超过±35%。
6功率试验和高温贮存试验后，三极管应符合本标准8.1和8.2条的规定。集电极一基极电压VcB0、集电极一发射极电压VCEO、发射极一基极电压VEBo应符合要求，其中VCBO、VcEo不许降档，反向电流IcEo不超过规范值的2倍，饱和压降VcE(sat)不超过规范值的1.2倍；电流放大系数hFE的相对变化应不超过±35%。
7生产单位在产品目录（或说明书）中提供以下特性曲线：安全工作区（包括直流、脉冲宽度tw为1s、100ms、10ms、1ms等）曲线；a.
热循环特性曲线：
PcM一Tc的关系曲线，
hFE一Tc的关系曲线（Tc为-55、25、100℃时）；d.
e.IB一VBE的关系曲线，
f.Ic一Vc的关系曲线（Tc为25℃时），g.Ic—VBE的关系曲线。
83CD155型、3CD156型、3CD355型PNP硅低压低频大功率三极管参数规范见表1、表2。8.1三极管的最大极限值见表1。中华人民共和国电子工业部1983-08-19发布1984-03-01实施
Pcm（Tc=25℃）
SJ2360—83
150（金属封装），125（塑料封装）-55～+150（金属封装），
-40~+125（塑料封装）
注：IcM为hFE=5时的集电极直流电流。8.2三极管的电特性见表2。
计量单位
(Tc=100℃)
(R=50Q)
(Te=-55r)
(o-1MHz)
1m-15或直流
R.hje（金属封装）
Rnx（塑料封装）
试验条件
测试条件
VcE=0.9VcE0wwW.bzxz.Net
Tc=75℃
（金属对装）
Te=75℃（塑料对装）
15~30,25~50，40~80，70~140，120~240，>240
VeE=-10V
VCES-10V
VCE--20V
Veg=-20V
注：①B档以上的器件第一个测试点的Vce选在Peu线与Pss线的交点处，Veg×Is.>PeM。②B档以上的器件第二个测试点的Vce>0.9VcEo，此点不应发生二次击穿。-1.5
3CD155
F-1型
铜底座、
3CD156
F-1型
铁底座、
3CD355
S-7型
塑料封装
2360-83
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