SJ 2379-1983 ３ＣＤ５５３、３ＣＤ５５４、３ＣＤ６５３型ＰＮＰ硅外延平面低频大功率三极管 SJ2379-1983 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国电子工业部部标准3CD553型、3CD554型、3CD653型PNP硅外延平面低频大功率三极管SJ2379—83
1本标准适用于耗散功率为15W的3CD553型、3CD554型、3CD653型PNP硅外延平面工艺的低频大功率三极管（以下简称三极管）。三极管除应符合本标准规定外，还应符合SJ614一73《半导体三极管总技术条件》的规定。2本标准采用的参数符号一般符合SJ1400一78《半导体器件参数符号》的规定，并补充如下符号：VcEO<)——集电极一发射极（基极开路时)的维持电压；-集电极一发射极（基极一发射极接电阻时)的维持电压。VCER(ss)
3三极管的外形结构和尺寸应符合SJ139一78《半导体三极管外形尺寸》的规定。4三极管的参数应符合本标准8.1和8.2条的要求。其测量方法应符合SJ300～314—72《半导体三极管测试方法》的规定。本标准参数规范表中的电参数除注明外，均以管壳温度Tc为25℃时为准。5环境试验后，三极管的集电极一基极电压VcBO、集电极一发射极电压VcEO、发射极一基极电压VEBO应符合本标准8.1条的规定。其中VcBO、VcEo不许降档，电流放大系数hFE的相对变化应不超过±35%。
6功率试验和高温贮存试验后，三极管应符合本标准8.1和8.2条的规定。集电极一基极电压VcBO、集电极一发射极电压VcEO、发射极一基极电压VeBo应符合要求，其中VcBO、VcEo不许降档，反向电流IcEo不超过规范值的2倍，饱和压降VcE7生产单位在产品目录（或说明书）中提供以下特性曲线：a。安全工作区（包括直流、脉冲宽度t为1s、100ms、10ms、1ms等）曲线；b.热循环特性曲线：
c，PcMTc的关系曲线；
d.hFE一Tc的关系曲线（Tc为-55、25、100℃时），IBVBE的关系曲线，
Ic-VcE的关系曲线（Tc为25C时）；g.
Ic一VBE的关系曲线。
83CD553型、3CD554型、3CD653型PNP硅外延平面低频大功率三极管参数规范见表1、表2。8.1三极管的最大极限值见表1。中华人民共和国电子工业部1983-08-19发布1
1984-03-01实施
Pcm(Tc=25）
SJ2379-83
150（金属封装），125（塑料封装）-55~～+150（金属封装），-40~+125（塑料封装）注：IcM为hFE=5时的集电极直流电流。8.2三极管的电特性见表2。
计量单位
(Tc=100℃)
Vceoumn
(Tc=-55℃)
VeEAsn
(fo-10MHz)
fw=1s或直流
Rarye（金属封装）
Rmje（塑料封装）免费标准bzxz.net
试验条件
测试条件
Vee=0.9Veeo
Te=75C（金属封装）
Tc=75℃（塑料封装）
VcE=-10V
VCE--10V
Ic=-0.75A
120~240,
1530,25~50，40~80,70~140,
VcE=-20V
VcE=-20V
注：①B档以上的器件第一个测试点的VcE选在Pem线与Ps/B线的交点处，Vce×Is:B>PeM。②B档以上的器件第二个测试点的VcE>0.9VcEO，此点不应发生二次击穿。-0.5
Ic=-0.45A
Ic*-0.38A
3CD553
F-1型
铜底座、
3CD554
F-1型
铁底座、
3CD653
S-7型
塑料封装
2379—83
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