SJ 2757-1987
基本信息
标准号： SJ 2757-1987
中文名称：重掺半导体载流子浓度的红外反射测试方法
标准类别：电子行业标准(SJ)
英文名称：Method of measurement by infra-red reflection for charge carrier concentraiton of heavily doped semiconductors
标准状态：现行
发布日期：1987-02-10
实施日期：1987-07-01
出版语种：简体中文
下载格式：.rar.pdf
下载大小：KB
标准分类号
中标分类号：综合>>标准化管理与一般规定>>A01技术管理
关联标准
出版信息
页数：6页
标准价格：12.0 元
相关单位信息
复审日期：2017-05-12
标准简介
SJ 2757-1987 重掺半导体载流子浓度的红外反射测试方法 SJ2757-1987 标准下载解压密码：www.bzxz.net
标准图片预览
标准内容
中华人民共和国电子工业部部标准SJ2757-87
重掺半导体载流子浓度的
红外反射测试方法Www.bzxZ.net
1987-02-10发布
1987-07-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子工业部部标准SJ2767-87
重掺半导体载流子浓度的红外反射测试方法本标雅适用丁测重膠半导体休材料载流于浓度，也适旧丁测量外延层、埋层和扩散层的载流子浓度。
测垦浓度范围为：
isi, 1,5×101a~-1,5x102/cm-,P-si, 3.0×1018~5.0×102ncm8;n-G.A.!7.0x1017~1.0X1019cm-3F-G.A.: 2.6×10~1.3x102'cm-\,n--1.P: 7.0×101*~1,0x10:+cm-*.1原理
在红外区，重掺半导体材料的反射率为波长的丽数，载流子浓度和反射率极小波长具有对应关系，测得反射率极小波长入nin后，出浓度N校准公式获得载流了浓度。2注意事项
2.1测量样品应其有良好的光学表面，确保測量缙果反映材料内在性质。2.2对比测应在同一位置进行，避免样品非均勾而受影响。2.3当样品迁移率异常低时，对比测量结果可能是不一致的。2.4对于扩橄层，结深要求大于1μm。3仪器
3.1红外光谢仪
3.1.1波长或波数扫描的色散型双光束红外分光光度计或付卫叶变换红外光谱仪。3.1.2液长范围2～100μm，如果波长范围较窄，卿测景浓度范围减小。3.1.3按附录A，1所定义的波长重复性至少为0.05um。3.1.4按附录A,2所定义的波长精度至少为±0,05μm.1.5在1000cin-1处，光谱分辨率不低于2cm-13.2仪器附件
3.2.1反射附件入射角不太于30°4试样
4.1体材料
4.1.1样品表面研磨启进行机械或化学单面抛光。4.2其它材料
4.2.1对于外延层，埋层，扩散层一般不需特别处理，当表面其有氧化物时应首先将其去除。
5校淮
电子工业部1987-02-10发布
1987-07-01实施
SJ2757-87
5.1参照附录A,1和A,2測定波长精度和重复性。5,2将反射附件置入光路，做100%线测层。5.3如果全座标100%反射线峰谷值小于8%，测量结果是可接受的，否则应进行100%线透射测量或检查反射附件，
6测量程字
6,1测量前材料种类和导电型号应总己知的6.2最大打描速度成同时满足3.1.3至3.1.56.3记录反射光谱，如果不出现反射率极小波长值，则样品载流子浓度不在本法应用范围。
包.4对于硅材料要使用纵座标扩展。6.5在反射率曲线极值两侧100ctm-1范围内，分别作两条与函线相交或相切的直线。6.6两直线交点即为所确定的极小波长入in，如图所示。了计算
7.1由F面公式计算浓度：
N(AAmin→+C)B
B报告
N-载流子浓度，cm\
入mi-一反射率极小波长，μm：A、B、C—常数，由表1给出。
8.1报皆成包括如下内容：
B,1,1测最条件.
8.1.2材料和导电类塑。
8.1.3反射率极小波长。
8,1,4载流了浓度。
8.1.5图示样品测量位置。
8.1.6所他用的仪器。
9糖密度
9.1在101B～10\Pcm-\波度范围，刘丁nP型si材料，多个实验室测量精密度R1S（败）为5%这结果是建立在八个样品十个实验室循迥测量基础上的9.2在1017～1018cm浓度范图，对于n型G，A.和I.P材料，多个实验室测量精密度RIS（%）为4。这一结果是建立在七个样品1个实验室循想测量基础上的。2
$J2757-87
波数（cm-）
图1碗定入m也示意图
应用波长
2,5~5,4
5.4~~32.4
9.4--18.5
18.5~30.4
30.4~~33.9
33,0~~100.0
25.0-100.0
注：“为便用第二匠射率披小波长。常数表
3.039×10-13
4.097×10-11
8.247×10-16
5.803×10*11
2.405×10#
1.188 ×10\8
2.592×10-*
5.566×10-13
4.896×10-0
3.784X10-
—2.5617
—2,6371
5.516×10-12
2.626×10~1a
SJ2757-87
附录A
波长精度和重复性计算
（补充件）
A1波长重复性：是对仪器性能的度量，即在·给定波长范围对某-吸收或发射带重复测量时，测量平均值与每次测量差筐的平均，表示为：n
波长重复性=【
式中：
）/，为Ⅱ测是平均值，可为最次数，-1
入为第i次被长测量值，
A,2波长精度：对某一吸收或发射带波长位置测量平均值与该带理论值的煽差，却：波长精度士—理论值！
式中：元意义同A，1，入理论值为吸收措波长理论慎。A，3进行波长重复性或猜度测是时，选择厚度为300～500μ聚苯乙烯膜为标样，并以薄膜3.303μm带为测量参考谱带，测最次数为10次。附加说明：
本标准出电子工业部四十六所和电子工业部标准化研究所负责起尊4
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重掺半导体载流子浓度的
红外反射测试方法Www.bzxZ.net
1987-02-10发布
1987-07-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子工业部部标准SJ2767-87
重掺半导体载流子浓度的红外反射测试方法本标雅适用丁测重膠半导体休材料载流于浓度，也适旧丁测量外延层、埋层和扩散层的载流子浓度。
测垦浓度范围为：
isi, 1,5×101a~-1,5x102/cm-,P-si, 3.0×1018~5.0×102ncm8;n-G.A.!7.0x1017~1.0X1019cm-3F-G.A.: 2.6×10~1.3x102'cm-\,n--1.P: 7.0×101*~1,0x10:+cm-*.1原理
在红外区，重掺半导体材料的反射率为波长的丽数，载流子浓度和反射率极小波长具有对应关系，测得反射率极小波长入nin后，出浓度N校准公式获得载流了浓度。2注意事项
2.1测量样品应其有良好的光学表面，确保測量缙果反映材料内在性质。2.2对比测应在同一位置进行，避免样品非均勾而受影响。2.3当样品迁移率异常低时，对比测量结果可能是不一致的。2.4对于扩橄层，结深要求大于1μm。3仪器
3.1红外光谢仪
3.1.1波长或波数扫描的色散型双光束红外分光光度计或付卫叶变换红外光谱仪。3.1.2液长范围2～100μm，如果波长范围较窄，卿测景浓度范围减小。3.1.3按附录A，1所定义的波长重复性至少为0.05um。3.1.4按附录A,2所定义的波长精度至少为±0,05μm.1.5在1000cin-1处，光谱分辨率不低于2cm-13.2仪器附件
3.2.1反射附件入射角不太于30°4试样
4.1体材料
4.1.1样品表面研磨启进行机械或化学单面抛光。4.2其它材料
4.2.1对于外延层，埋层，扩散层一般不需特别处理，当表面其有氧化物时应首先将其去除。
5校淮
电子工业部1987-02-10发布
1987-07-01实施
SJ2757-87
5.1参照附录A,1和A,2測定波长精度和重复性。5,2将反射附件置入光路，做100%线测层。5.3如果全座标100%反射线峰谷值小于8%，测量结果是可接受的，否则应进行100%线透射测量或检查反射附件，
6测量程字
6,1测量前材料种类和导电型号应总己知的6.2最大打描速度成同时满足3.1.3至3.1.56.3记录反射光谱，如果不出现反射率极小波长值，则样品载流子浓度不在本法应用范围。
包.4对于硅材料要使用纵座标扩展。6.5在反射率曲线极值两侧100ctm-1范围内，分别作两条与函线相交或相切的直线。6.6两直线交点即为所确定的极小波长入in，如图所示。了计算
7.1由F面公式计算浓度：
N(AAmin→+C)B
B报告
N-载流子浓度，cm\
入mi-一反射率极小波长，μm：A、B、C—常数，由表1给出。
8.1报皆成包括如下内容：
B,1,1测最条件.
8.1.2材料和导电类塑。
8.1.3反射率极小波长。
8,1,4载流了浓度。
8.1.5图示样品测量位置。
8.1.6所他用的仪器。
9糖密度
9.1在101B～10\Pcm-\波度范围，刘丁nP型si材料，多个实验室测量精密度R1S（败）为5%这结果是建立在八个样品十个实验室循迥测量基础上的9.2在1017～1018cm浓度范图，对于n型G，A.和I.P材料，多个实验室测量精密度RIS（%）为4。这一结果是建立在七个样品1个实验室循想测量基础上的。2
$J2757-87
波数（cm-）
图1碗定入m也示意图
应用波长
2,5~5,4
5.4~~32.4
9.4--18.5
18.5~30.4
30.4~~33.9
33,0~~100.0
25.0-100.0
注：“为便用第二匠射率披小波长。常数表
3.039×10-13
4.097×10-11
8.247×10-16
5.803×10*11
2.405×10#
1.188 ×10\8
2.592×10-*
5.566×10-13
4.896×10-0
3.784X10-
—2.5617
—2,6371
5.516×10-12
2.626×10~1a
SJ2757-87
附录A
波长精度和重复性计算
（补充件）
A1波长重复性：是对仪器性能的度量，即在·给定波长范围对某-吸收或发射带重复测量时，测量平均值与每次测量差筐的平均，表示为：n
波长重复性=【
式中：
）/，为Ⅱ测是平均值，可为最次数，-1
入为第i次被长测量值，
A,2波长精度：对某一吸收或发射带波长位置测量平均值与该带理论值的煽差，却：波长精度士—理论值！
式中：元意义同A，1，入理论值为吸收措波长理论慎。A，3进行波长重复性或猜度测是时，选择厚度为300～500μ聚苯乙烯膜为标样，并以薄膜3.303μm带为测量参考谱带，测最次数为10次。附加说明：
本标准出电子工业部四十六所和电子工业部标准化研究所负责起尊4
小提示：此标准内容仅展示完整标准里的部分截取内容，若需要完整标准请到上方自行免费下载完整标准文档。