SJ 1130-1977 2DL51～56、2CL51～56型硅高压整流堆 SJ1130-1977 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国隽四机械工业部标
2DL51~56
2CL51~56型硅高压整流堆
SJ1130-77
中华人民共和第四机械工业部
部标准
2DL51-56型硅高压整流堆
2CL51-56
SJ1130-77
1.本标准适用于额定整流电流Ip<1A、最高反向工作电LV<≤35KV、最高工作频率fm<3KHz的2CL51~2CL56系列和最高作频率fm≤1KHz的2DL51～2DL56系列的半导体硅高压整流堆（以下简称硅堆），该产品主要油于无线电通讯、电子仪器或其它电气设备的脉冲调制和高压整流电路。
2.该产品除应符合SJ908-74《半导体二极管（二类）总技术条件》外，尚应符合本标准规定，
3．产品的外形见图1、图么，其外形尺寸应符合表1的规定注：为适应使用单包对硅增小型化的要求，本标准附录2推荐小型化外形尺寸系列。以利临—
一九七七年月
日实施
SJ1130-77
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硅高压整流堆外形尺寸表
2DL51~56
2CL51~56
（mm）
4技术要求和试验方法：
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（1）硅堆的电参数应符合表5～表16的要求。测试电参数的方法应符合部颁标准SJ189~196-65“硅整流二极管测试方法”及本条第(2)、（3)款的规定。
（2）额定反向工作电压（V）、最高反向测试电压（VRM）及其相虚的反向电流（Is）的测试方法：测试电原理图应符合图3。
X，Y接示波器
测试条件及要求：
&、测量电压为单相工频正弦半波，且为电阻性负载；b、峰值电压表上的读数与被测硅堆上的工频半波峰值电压数值相差不大于3%：
C、按电参数规范表规定I值读最高反向测试电压（VRM）及额定反向工作电压（Vn），并接示波器监视Is特性的变化。测量Ve时，允许加以适当的绝缘措施。（3）最高等效结温（T≥）的测试：用热敏法，测试电原理图应符合图4。
阿步开关
测试条件和要求：
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a、热敏电流应不大于额定整流电流值的1%，豆最大不超过5mA，并为稳定恒流源，热敏电流应与额定整流电流相登加；b、正弦工频半波，电阻性负载（导通角不小于170魔角），所施加的整流电流应符合下示温度负荷曲线，温度保持时间同本标准第5条（7）款表4规定，负荷慎温时间为半小时。其最高等效结盟Tar125℃为合格。
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（4）硅堆的引出线接端强度试验见《半导体二极管（二类）总技术条件》第4条，其静负荷重量见表2。裹2
引出线直径（mm.）
负荷重量（Kg）
（5）振动强度试验见SJ908-74《半导体二极管（二类）总技术条件》第6条（1)款，机械冲击试验见SJ908—74《半导体二极管（二类）总技术条件》第6条（2)款，变频振动试验见SJ908-74《半导体二极管（二类）总技术条件》第6条（3）款，试验后测硅堆的电参数V及VM，其值应符合电参数规范表的规定。SJ1130-77
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（6）热冲击试验见SJ908—74《半导体二极管（二类）总技术条件》第7条，交变潮热试验见SJ908--74《半导体二极管（二类）总技术条件》第8条，试验后测量硅堆的电参数VF及VBM，其Vr值应符合电参数规范表的规定：V值的下降量应不超过电参数规范表规定值的10%为合格。
（7）高温性能试验见SJ908一74《半导体二极管（二类）总技术条件》第13条。
将硅堆置于125土3℃的环境中，并按表8保持至规定时间后，对硅堆施以单相工正弦半波额定反向工作电压（电阻性负装），此时硅堆的反向电流I值应符含电参数规范表的规；通后，对继城施以1%的额定整流电流（但不大于5mA），硅堆无开路现象则为合格。表3
试品量量G(Kg）
保持时间(h)
0.151.5（8）低温性能试验见SJ90874《半导体二极管（二类）总技术条件》第14条。
将硅堆置于55士3℃的环境中，并按本标准第4条（7）款表8保持至规定时间后，对硅堆施以额定整流电流，测其低温下的正向压降Vs，其值不大于电参数规范表规定值的120%为合格。要求每个硅堆在30秒内测完电参数（导通角不小于170度角），9）低温贮存试验：
将硅堆置于一40士3℃的环境中，存放240小时，取出硅堆，擦干表面水迹，阴干2小时，然后在2小时内测完电参数，其电参激V值应符合电参数规范表的规定，Vnm值的下降应不超过电参数规范表规定值的10%为含格。
（10）电流过载试验：
试验电原理图见图5。
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测试条件及要求，
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可控硅
楚载电流源
设控制器
接示波器
8、线路应为动态（全动态或模拟动态）电阻性负载，过载电流波形为正弦波，其宽度不大于180度角；b、过载电流波形和额定整流电流的波形相重含同相位，如圈7所示：
测量步骤及考核标准：
&、在室温下，对硅堆施以额定整流电流及额定工作电压，运行10分钟，
b、取出额定整流电流和反向电流信号至示波器，调节过载电流源电压到要求值，开启过载电流源控制器同步开关，在示波器上观察过载电流倍数及反向电流变化（或用照象记录）：SJ1130-77
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C、考核标准：过载电流倍数及时间按电参数规范表要求，连续过载5次，每两次之间间隔5分钟。要求过后反向电流在下次过载前恢复正常。试验完毕后，硅堆在室温下放置2小时，然后在2小时内测完电参数，其电参数Vz值应符含电参数规范表的规定；VRM值的下降量应不超过参数规范表规定值的10%为合格。（11）高温贮存试验见SJ908-74《半导体二极管（二类）总技术条件》第17条：
将非工作状态的硅堆置于125土3℃的环境中，时间为连续240小时，试验后，在室温放置2小时，然后在2小时内测完电参数，其电参数V及Va值应符合电参数规范表的规定为合格。（12）短期寿命试验见SJ908一74《半导体二极簧（二类）总技术条件》第16条：
将硅堆在室温下施以额定整流电流及额定反向工作电压（电阻性负载），时间为连续240小时。试验后，在室温下放置2小时，然后在2小时内测完电参数，其电参数V值应符含电参数规范表的规定，VzM值下降量应不超过电参数规范表规定值的10%为合格。试验设备为全动态或模拟动态。8、全动态试验电原理图见图8。被测硅堆
b、模拟动态试验电原理图见图9.共26页第8页
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可控硅
要求可控硅在负半周导通（导通角不小于170度角），正半周载止。
（13）温度负荷试验：
将硅堆置于如下环境中：
额定整流电流I1A的：
40±2℃
额定整流电流In<1A的：
55±2℃
并在此环境中按本标准第4条（7）款表3保持至规定时间后，对础堆施以额定整流电流及额定反向工作电压，连续工作4小时。负过程中，详细记录反向电流变化情况及工作状态。试验后，取下硅堆，在室温下放置2小间，然后在2小时内测完电参数，要求电参数V?值符合电参数规范表的规定；V值的下降量应不超过参数规范表规定值的10%为合格。
5，例行试验一般每季度进行一次，硅堆在连续生产一年以上，且连续三个季度例行试验都是一次通过（末加借），则例行试验允许半年做一次；季产量少于500只时，可每半年进行-次。6，例行试验抽验数量见表4：
第一抽样组
VRIOKV
第二抽样组
YR>15KV
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寿命试验
贮存试验
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剩余样品
加倍试验
7．一种型号的硅堆例行试验结论适用于该硅堆电流系列的全部硅堆，若此型号的硅堆例行试验不合格时，被代表的电流系列的硅堆允许分段再进行例行试验，试验合格者，则此硅堆所代表的段中的硅堆为合格。
其分段规范为：
VR<10KV
VR>15KV
8，环境试验的项目及顺序见SJ908-74总技术条件第23条表4，其中序号（1)和（7)项不进行试验环境试验标准为
第一抽样组，不符合环境试验各项试验要求的硅堆数量不超过1只为合格，否则为不合格。
第二抽样组，全部试验硅堆都应符合环境试验各项试验的要求为合格，否则为不合格。
若第一次试验不合格时，则取双倍数量的硅堆进行加倍试验，其考核标准同第一次试验。
9.高温贮存试验合格标准为
第一抽样组，不符合本标准第4条（11)款规定的硅堆数量不超过1只为合格，否卿为不合格。
第二抽样组，全部试验硅堆都应符合本标准第4条（11）款的规定为共26页第10页
合格，否则为不合格。
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若试验不合格时，则把试验延至480小时，试验后不符合本标准第4条（11）款规定的硅堆累计数量：第一抽样组不超过2只，第二抽样组不超过1只，则仍为一次试验合格。若第一次试验不合格时，则取双倍数量的硅堆进行加倍试验（试验时间不延长）。试验后，第一抽样组电参数不符合本标准第4条（11）款规定的硅堆数量不超过1只；第二抽样组电参数全部符合本标准第4条(11)款规定，则该项试验为合格，否则为不合格。10.短期寿命试验合格标准见SJ908-74《半导体二极管（二类）总技术条件》第26条。
11.交收试验的项目见SJ908-74《半导体二极管（二类）总技术条件》第31条，但不进行敲变试验。12：低温存试验（本标准第4条（9)款)、最高等效结温试验（本标准第4条（3款）、电流过载试验（本标准第4条（10)款）及温度负荷试验（本标准第4条（13）款）等项试验，各生产厂最少每年进行一次。每项试验从成品检验合格的硅堆中任意抽取10只做为样品进行试验。各项试验不符合本标准相应条款规定的硅堆数量均不超过1只为合格，否则为不合格。各项试验后，整理书面资料，提供使用方参数；若不合格时，必须认真查找原因，切实改进质量，以满足用户要求。13，各生产厂的产品说明书除执行总技术条件SJ908—74第37条的规定外，尚应附有使用说明及动态伏安特性曲线。共26页第11页
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(o)ni(y)m
(AN)KBA(V)AI
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