SJ 766-1974
基本信息
标准号： SJ 766-1974
中文名称：3DD52型NPN硅合金扩散低频大功率三极管
标准类别：电子行业标准(SJ)
标准状态：现行
发布日期：1974-10-01
实施日期：1974-10-01
出版语种：简体中文
下载格式：.rar.pdf
下载大小：141434
标准分类号
中标分类号：电子元器件与信息技术>>半导体分立器件>>L42半导体三极管
关联标准
出版信息
出版社：中国电子工业出版社
页数：4页
标准价格：8.0 元
出版日期：1974-10-01
相关单位信息
发布部门：中华人民共和国第四机械工业部
标准简介
本标准适用于耗散功率为1W的3DD52型NPN硅合金扩散低频功率三极管。该产品用于电子设备的低频功率放大、电源变换和低速开关的电路中。 SJ 766-1974 3DD52型NPN硅合金扩散低频大功率三极管 SJ766-1974 标准下载解压密码：www.bzxz.net
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标准内容
中华人民共和国第四机械工业部部标准
3DD52型NPN硅合金扩散低
频大功率三极管
SJ766-74
1、本标准适用于耗散功率为1W的3DD52型NPN硅合金扩散低频大功率三极管。该产品用于电子设备的低频功率放大、电源变换和低速开关的电路中。
2、该产品除应衍合本标准规定外，还应符合半导体三极管总技术条件SJ614一73的规定。
8、外形结构和尺寸应符合部标准SJ139—70的F1型。4、技术要求和试验方法：
（1）电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法应符合部标准SJ300—72~SJ314-72的规定。（2）环境试验后考核反向击穿电压BVcEO，BVEBO，反向电流IcEO，饱和压降VcEs和电流放大系数HrE。其值应符合参数规范表的规定。
（8）高温贮存试验后考核反向电流IcEO，饱和压降VcES和电流放大系数HFE。要求IcEo增大不超过规范的2倍，VcEs增大不超过规范的1.2倍，HFE相对变化率小于±35%。5、说明：
（1）生产单位应在产品目录（或说明书）中提供频率参数和下列特性曲线：
a、Ic—VcE的关系曲线；
b、IB—VBE的关系曲线；
C、HFE一Ic的关系曲线，
d、HFE一T（低温）的关系曲线；一九七四年十月一日实施
共4页第2页
SJ766-74
C、IcEO一T（高温）的关系曲线：f、直流（或脉冲）安全工作区。在提供曲线时，应对测试环境、测试条件等给予必要的说明。（2）功率管的使用：应在生产单位提供的安全工作区范围内使用。使用时的散热装置，用户根据使用功率，热阻，最高结温和壳温按下式自行设计。满功率使用时壳温不允许超过75C。TjM-Tc
共4页第3页
3DD52A
8DD52B
8DD52C
3DD52D
3DD52E
试验类别
SJ766-74下载标准就来标准下载网
8DD52型NPN硅合金扩散
注：1、色标（点）位：管帽边绿。2、测试环境溢度：Ta=25°C
BVcEoBVEBO
≥150
SJ766-74
低频大功率三级管电参数规范表数
额定功率试验考核标准
试验条件：
功率为Pcm值
相对变化率小于
电压VcE（或VcB）-10V（AB档）VcE(或VCB）-25V(cDE档）
壳温Tc-75°℃
共4页第4页
HFE色标分档
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3DD52型NPN硅合金扩散低
频大功率三极管
SJ766-74
1、本标准适用于耗散功率为1W的3DD52型NPN硅合金扩散低频大功率三极管。该产品用于电子设备的低频功率放大、电源变换和低速开关的电路中。
2、该产品除应衍合本标准规定外，还应符合半导体三极管总技术条件SJ614一73的规定。
8、外形结构和尺寸应符合部标准SJ139—70的F1型。4、技术要求和试验方法：
（1）电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法应符合部标准SJ300—72~SJ314-72的规定。（2）环境试验后考核反向击穿电压BVcEO，BVEBO，反向电流IcEO，饱和压降VcEs和电流放大系数HrE。其值应符合参数规范表的规定。
（8）高温贮存试验后考核反向电流IcEO，饱和压降VcES和电流放大系数HFE。要求IcEo增大不超过规范的2倍，VcEs增大不超过规范的1.2倍，HFE相对变化率小于±35%。5、说明：
（1）生产单位应在产品目录（或说明书）中提供频率参数和下列特性曲线：
a、Ic—VcE的关系曲线；
b、IB—VBE的关系曲线；
C、HFE一Ic的关系曲线，
d、HFE一T（低温）的关系曲线；一九七四年十月一日实施
共4页第2页
SJ766-74
C、IcEO一T（高温）的关系曲线：f、直流（或脉冲）安全工作区。在提供曲线时，应对测试环境、测试条件等给予必要的说明。（2）功率管的使用：应在生产单位提供的安全工作区范围内使用。使用时的散热装置，用户根据使用功率，热阻，最高结温和壳温按下式自行设计。满功率使用时壳温不允许超过75C。TjM-Tc
共4页第3页
3DD52A
8DD52B
8DD52C
3DD52D
3DD52E
试验类别
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8DD52型NPN硅合金扩散
注：1、色标（点）位：管帽边绿。2、测试环境溢度：Ta=25°C
BVcEoBVEBO
≥150
SJ766-74
低频大功率三级管电参数规范表数
额定功率试验考核标准
试验条件：
功率为Pcm值
相对变化率小于
电压VcE（或VcB）-10V（AB档）VcE(或VCB）-25V(cDE档）
壳温Tc-75°℃
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