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SJ 771-1974

基本信息

标准号: SJ 771-1974

中文名称:3DD59型和3DD60型NPN硅外延平面低频大功率三极管

标准类别:电子行业标准(SJ)

标准状态:现行

发布日期:1974-10-01

实施日期:1974-10-01

出版语种:简体中文

下载格式:.rar.pdf

下载大小:145373

相关标签: 外延 平面 低频 大功率 三极管

标准分类号

中标分类号:电子元器件与信息技术>>半导体分立器件>>L42半导体三极管

关联标准

出版信息

出版社:中国电子工业出版社

页数:4页

标准价格:8.0 元

出版日期:1974-10-01

相关单位信息

发布部门:中华人民共和国第四机械工业部

标准简介

本标准适用于耗散功率为25W的3DD59型和3DD60型NPN硅外延平面低频大功率三极管。该产品用于电子设备的低频功率放大、电源变换和低速开关的电路中。该产品除应符合本标准规定外,还应符合半导体三极管总技术条件SJ614-73的规定 SJ 771-1974 3DD59型和3DD60型NPN硅外延平面低频大功率三极管 SJ771-1974 标准下载解压密码:www.bzxz.net

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标准内容

中华人民共和国第四机械工业部部标准
3DD59和3DD60型NPN硅外延
平面低频大功率三极管
SJ771-74
1、本标准适用于耗散功率为25W的3DD59和3DD60型NPN硅外延平面低频大功率三极管。该产品用于电子设备的低频功率放大、电源变换和低速开关的电路中。2、该产品除应符合本标准规定外,还应符介半导体三极管总技术条件SJ614—73的规定。
3、外形结构和尺寸应符合部标准SJ139--70,3DD59型为G—2型;3DD60型为F-2型。
4、技术要求和试验方法:
(1)电参数应符合容数规范丧的规定。电参数的测试方法应符合部标准SJ300-72~SJ314--72的规定。(2)环境试验后考核反击穿电压BVcEO,BVEBO,反向电流IcEO,饱和压降VCES和电流放人系数HFE,其值应符合参数规范表的规定。
(8)高温忙存试验后考核反向电流ICEO,饱和压降VCES和电流放大系数HFB。要求IcEO增大不超过规范的2倍,VcEs增大不超过规范的1.2倍,HFE相对变化率小于士35%。5、说明:
(1)生产单位应在产品日录(或说明书)中提供频率参数和下列特性线:
a,Ic-VcE的关系山线;
b、Is一VBE的关系山线,此内容来自标准下载网
C、HFEIc的关系线
一九七四年十月一日实施
共4页第2页
SJ771-74
d、HFE一T(低温)的关系曲线,e、IcEO-T(高温)的关系曲线,f、直流(或脉冲)安全工作区。在提供曲线时,应对测试环境、测试条件等给予必要的说明。(2)功率管的使用:应在生产单位提供的安全工作区范围内使用。使用时的散热装置,用户根据使用功率,热阻,最高结温和壳温按下式自行设计,满功率使用时壳温不允许超过75C。PcM=
TjM-Tc
共4页第3页
8DD59A
8DD59B
8DD59c
8DD59D
8DD59E
试验类别
-75℃℃
SJ771-74
8DD59和3DD60型NPN硅外延平
BVcEOBVERO
注:1、色标(点)位置:管幅顶端(G型):管帽边绿缘(F型)。2、副试环境温度:Ta=25*C
SJ771-74
面低频大功率三极管电参数规范表数
额定功率试验考核标准
试验条件:
功率为PcM值
柑对变化率小于
电压VcE(或VcB)-10V
壳温Tc-75°℃
共4页第4页
HFE色标分档
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