SJ 776-1974
基本信息
标准号:
SJ 776-1974
中文名称:3DD67型NPN硅合金扩散低频大功率三极管
标准类别:电子行业标准(SJ)
标准状态:现行
发布日期:1974-10-01
实施日期:1974-10-01
出版语种:简体中文
下载格式:.rar.pdf
下载大小:140762
标准分类号
中标分类号:电子元器件与信息技术>>半导体分立器件>>L42半导体三极管
关联标准
出版信息
出版社:中国电子工业出版社
页数:4页
标准价格:8.0 元
出版日期:1974-10-01
相关单位信息
发布部门:中华人民共和国第四机械工业部
标准简介
本标准适用于耗散功率为75W的3DD67型NPN硅合金扩散低频大功率三极管。该产品用于电子设备的低频功率放大、电源变换和低速开关的电路中。 SJ 776-1974 3DD67型NPN硅合金扩散低频大功率三极管 SJ776-1974 标准下载解压密码:www.bzxz.net
标准内容
中华人民共和国第四机械工业部部标准
3DD67型NPN硅合金扩散
低频大功率三极管
SJ776-74
1、本标准适用于耗散功率为75W的3DD67型NPN硅合全扩散低频大功率三极管。该产品用于电子设备的低频功率放大,电源变换和低速开关的电路中。
2、该产品除应符合本标准规定外,还应符合半导体三极管总技术条件SJ61473的规定。
3,、外形结构和尺寸应符合部标准SJ139一70的F一2型。4、技术要求和试验方法:
(1)电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法应符合部标准SJ300—72~SJ314—72的规定。(2)环境试验后考核反向击穿电压BVCEO,BVEBO,反向电流IcEO,饱和压降VCES和电流放大系数HFE,其值应符合参数规范表的现定。
(8)高温贮存试验后考核反向电流IcEO,饱和压降VcEs和电流放大系数HFE。要求ICEO,增大不额过规范的2倍,VCFS增人不超过规范的1.2倍,HrE相对变化率小于±35%。5、说明:
(1)生产单位应在产品月录(或说明书)中提供频率参数和下列特性出系:
a、Ic-VcE的关系灿线:
b、IBVBE的关系曲线;
C、HFE一Ic的关系曲线;
d、HFE一T(低温)的关系曲线:一九七四年十月一日实施
共4页第2死
SJ776-74
e、IcEo-T(商温)的美系曲线
、直流(或脉冲)安全工作区。在提供曲线时,应对测试环境、测试条件等给予必要的说明。(2)功率管的使用:应在生产单位提供的安全工作区范围内使用。使用时的胶热装置,用户根据使用功率,热阻,最高结温和尧温按下式自行设计。满功率使用时壳温不允许超过75°C。TjM-Tc
共1页第3资
3DD67A
3DD67B
SDD67C
8DD67D
8DD67E
试验类别
-75℃
SJ776-74
3DD67型NPN硅合金扩散低频
注:1、色标(点)位照:管相边缘。2、测试环境度;T#=25°C
BVcEOBVEBO
SJ776-74
大功率三级管电参数规范表
额定功率试验考核标准
试验条件:bzxz.net
功率为PcM值
相对变化率小于
电压VcE(或VcB)-10V(A,B档)VcE(或VcB)-25V(CD.E档)
壳温Tc-75°C
共4页第4页
HFE色标分档
10~20
20~30
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