SJ 781-1974
基本信息
标准号： SJ 781-1974
中文名称：3DD73型NPN硅外延平面低频大功率三极管
标准类别：电子行业标准(SJ)
标准状态：现行
发布日期：1974-10-01
实施日期：1974-10-01
出版语种：简体中文
下载格式：.rar.pdf
下载大小：286810
标准分类号
中标分类号：电子元器件与信息技术>>半导体分立器件>>L42半导体三极管
关联标准
出版信息
出版社：中国电子工业出版社
页数：6页
标准价格：8.0 元
出版日期：1974-10-01
相关单位信息
发布部门：中华人民共和国第四机械工业部
标准简介
本标准适用于耗散功率为200W的3DD73型型NPN硅外延平面低频率大功率三极管。该产品用于电子设备的低频功率放大、电源变换和低速开关的电路中。 SJ 781-1974 3DD73型NPN硅外延平面低频大功率三极管 SJ781-1974 标准下载解压密码：www.bzxz.net
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标准内容
中华人民共和国第四机械工业部部标准
3DD73型NPN硅外延平面
低频大功率三极管
SJ781-74
1、本标准适用于耗散功率为200W的3DD73型NPN硅外延平面低频大功率三极管。该产品用于电子设备的低频功率放大、电源变换和低速开关的电路中。
2、该产品除应符合本标准规定外，还应符合半导体三极管总技术条件SJ614-73的规定。
3、外型结构和尺寸应符合部标准SJ13970的G5型。4、技术要求和试验方法：
（1）电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法应符合部标准SJ300-72SJ314-72的规定。（2）环境试验：
环境试验的抽样方法和考核标准应符合半导体三极管总技术条件第17、18、19条的规定，试验后考核反向击穿电压BVcEO、BVEBO、反向电流IcEO、饱和压降VcES和电流放大系数HFE，其值应符合参数规范表的规定。
（8）高温存试验：
高温贮存试验的抽样方法和考核标准应符合半导体三极管总技术条件第17、22条的规定。
试俭后考核反向电流IcEO，饱和压降VcES和电流放大系数HFE。要求IcEo增大不超过规范的2倍，VcES增大不超过规范的1.2倍，HFE相对变化率小于±35%。
（4）额定功率试验：试验时间为240小时。额定功率试验的抽样方法应符合半导体三极管总技术条件第17条一九七四年十月一日实施bZxz.net
我4页第2页
SJ781-74
的规定。试验后考核反向电流IcEO，他租降VcEs和电流放大系数HFE，其值应符合参数规范表的规定。试验后，不符合半导休三极管总技术条件第12条要求的管子数量不超过1只，则为合格，有2只管子不合格，则将试验时间延长到480小时，480小时试验后不符合半导体三极管总技术条件第12条要求的管子数量累计不超过2只，则为合格。不合格时，应进行双倍试验。双倍试验不符合上述规定时，则为不合格。
5、说明：
（1）生产单位应在产品月录（或说明书）中提供频率参数和下列特性曲线：
a、IcVcE的关系曲线；
b、IB-VBE的关系曲线；
c、HFEIc的关系曲线
d、HFET（低温）的关系曲线；
e、ICE一T（高温）的关系线
f、直流（或脉冲）安全工作区。在提供曲线时，应对测试环境、测试条件等给予必要的说明。（2）功率管的使用：应在生产单位提供的安全工作区范围内使用。使用时的散热装置，用户根据使用功率、热阻、最高结温和壳温按下式自行设计。满功率使用时壳温不允许超过75°C。PcM =Tis- Tc
非4页第3页
3DD73A
3DD73B
3DD73C
3DD73D
3DD73E
试验类别
-75°℃
SJ781-74
3DD73型NPN硅外延平面低频
注：1、色标（点）位置：管帽预器2、测拭环境温度：Ta-25-C
BVcROBVEBO
SJ781-74
大功率三极管电参数规范表
额定功率试验考核标准
试验条件：
功率为PcM值
对变化率！
电压VcE（或Vc）-10V
壳温Tc-75°℃
兆4页第4页
HFE色标分档
20～30
附录I：符号及其意义
基极开路，集电极一发射极间反向击穿电压。集电极开路，发射极一基极间反向击穿电压。共发射极电路，集电极一发射极间饱和压降。基极开路，集电极一发射极间反向截止电流。共发射极直流电流放大系数。
集电极最大允许电流。
（外延平面管）HFE下降到测试值的二分之一时的集电极电流。
（合金扩散管）HFE下降到8时的集电极电流。集电极最大耗散功率。
热阻。
最高允许结温。
壳温。
附录1：
产品标准化前后品种型号对照表统标准后的型号
3DD50A~E
3DD51A~E
3DD52A~E
3DD53A~E
8DD54A~E
BDD55A~E
3DD56A~E
3DD57A~E
3DD58A~E
3DD59A～F
8DD60A~F
8DD61A~E
8DD62AE
3DD63A~E
3DD64A~E
3DD65AE
3DD66A~E
3DD67AE
8DD68A~E
3DD69A~E
3DD70A~E
3DD71A~E
3DD72A~E
BDD73A~E
标准化前的产品型号
8DD1A～E（原外延平面工艺、G型管壳）3DD1A～E（原外延平面工艺、F型管壳）8DD1A～E（原合金扩散工艺、F型管壳）8DD8A～E（原外延平面工艺、G型管壳）8DD8AE（原外延平面工艺、F型管壳）8DD8A~E（原合金扩散工艺、园型管壳）3DD4AE（原外延平面工艺、G型管壳）8DD4A～E（原外延平面工艺、F型管壳）3DD4A～E（原合金扩散工艺、园型管壳）3DD5A～E（原外延平面工艺、G型管壳）3DD5A～E（原外延平面工艺、F型管壳）3DD5A～E（原合金扩散工艺、园型管壳）DD10A~F（原外延平面工艺、G型管壳）3DDA6~E
3DD6A～E（原外延平面工艺、F型管壳）8DD6A～E（原合金扩散工艺、园型管壳）3DD7AE（原外延平面工艺、G型管壳）3DD7A～E（原外延平面工艺、F型管壳）3DD7A～E（原合金扩散工艺、园型管壳）3DD8A～E（原外延平面工艺、G型管壳）8DD8A～E（原外延平面工艺、F型管壳）8DD8AE（原合金扩散工艺、园型管壳）DD20A~号（原外延平面工艺、G型管壳）3DD9A~E
8DD9A～E（原合金扩散工艺、园型管壳）3DD10AE（原外延平面工艺、G型管壳）
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3DD73型NPN硅外延平面
低频大功率三极管
SJ781-74
1、本标准适用于耗散功率为200W的3DD73型NPN硅外延平面低频大功率三极管。该产品用于电子设备的低频功率放大、电源变换和低速开关的电路中。
2、该产品除应符合本标准规定外，还应符合半导体三极管总技术条件SJ614-73的规定。
3、外型结构和尺寸应符合部标准SJ13970的G5型。4、技术要求和试验方法：
（1）电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法应符合部标准SJ300-72SJ314-72的规定。（2）环境试验：
环境试验的抽样方法和考核标准应符合半导体三极管总技术条件第17、18、19条的规定，试验后考核反向击穿电压BVcEO、BVEBO、反向电流IcEO、饱和压降VcES和电流放大系数HFE，其值应符合参数规范表的规定。
（8）高温存试验：
高温贮存试验的抽样方法和考核标准应符合半导体三极管总技术条件第17、22条的规定。
试俭后考核反向电流IcEO，饱和压降VcES和电流放大系数HFE。要求IcEo增大不超过规范的2倍，VcES增大不超过规范的1.2倍，HFE相对变化率小于±35%。
（4）额定功率试验：试验时间为240小时。额定功率试验的抽样方法应符合半导体三极管总技术条件第17条一九七四年十月一日实施bZxz.net
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SJ781-74
的规定。试验后考核反向电流IcEO，他租降VcEs和电流放大系数HFE，其值应符合参数规范表的规定。试验后，不符合半导休三极管总技术条件第12条要求的管子数量不超过1只，则为合格，有2只管子不合格，则将试验时间延长到480小时，480小时试验后不符合半导体三极管总技术条件第12条要求的管子数量累计不超过2只，则为合格。不合格时，应进行双倍试验。双倍试验不符合上述规定时，则为不合格。
5、说明：
（1）生产单位应在产品月录（或说明书）中提供频率参数和下列特性曲线：
a、IcVcE的关系曲线；
b、IB-VBE的关系曲线；
c、HFEIc的关系曲线
d、HFET（低温）的关系曲线；
e、ICE一T（高温）的关系线
f、直流（或脉冲）安全工作区。在提供曲线时，应对测试环境、测试条件等给予必要的说明。（2）功率管的使用：应在生产单位提供的安全工作区范围内使用。使用时的散热装置，用户根据使用功率、热阻、最高结温和壳温按下式自行设计。满功率使用时壳温不允许超过75°C。PcM =Tis- Tc
非4页第3页
3DD73A
3DD73B
3DD73C
3DD73D
3DD73E
试验类别
-75°℃
SJ781-74
3DD73型NPN硅外延平面低频
注：1、色标（点）位置：管帽预器2、测拭环境温度：Ta-25-C
BVcROBVEBO
SJ781-74
大功率三极管电参数规范表
额定功率试验考核标准
试验条件：
功率为PcM值
对变化率！
电压VcE（或Vc）-10V
壳温Tc-75°℃
兆4页第4页
HFE色标分档
20～30
附录I：符号及其意义
基极开路，集电极一发射极间反向击穿电压。集电极开路，发射极一基极间反向击穿电压。共发射极电路，集电极一发射极间饱和压降。基极开路，集电极一发射极间反向截止电流。共发射极直流电流放大系数。
集电极最大允许电流。
（外延平面管）HFE下降到测试值的二分之一时的集电极电流。
（合金扩散管）HFE下降到8时的集电极电流。集电极最大耗散功率。
热阻。
最高允许结温。
壳温。
附录1：
产品标准化前后品种型号对照表统标准后的型号
3DD50A~E
3DD51A~E
3DD52A~E
3DD53A~E
8DD54A~E
BDD55A~E
3DD56A~E
3DD57A~E
3DD58A~E
3DD59A～F
8DD60A~F
8DD61A~E
8DD62AE
3DD63A~E
3DD64A~E
3DD65AE
3DD66A~E
3DD67AE
8DD68A~E
3DD69A~E
3DD70A~E
3DD71A~E
3DD72A~E
BDD73A~E
标准化前的产品型号
8DD1A～E（原外延平面工艺、G型管壳）3DD1A～E（原外延平面工艺、F型管壳）8DD1A～E（原合金扩散工艺、F型管壳）8DD8A～E（原外延平面工艺、G型管壳）8DD8AE（原外延平面工艺、F型管壳）8DD8A~E（原合金扩散工艺、园型管壳）3DD4AE（原外延平面工艺、G型管壳）8DD4A～E（原外延平面工艺、F型管壳）3DD4A～E（原合金扩散工艺、园型管壳）3DD5A～E（原外延平面工艺、G型管壳）3DD5A～E（原外延平面工艺、F型管壳）3DD5A～E（原合金扩散工艺、园型管壳）DD10A~F（原外延平面工艺、G型管壳）3DDA6~E
3DD6A～E（原外延平面工艺、F型管壳）8DD6A～E（原合金扩散工艺、园型管壳）3DD7AE（原外延平面工艺、G型管壳）3DD7A～E（原外延平面工艺、F型管壳）3DD7A～E（原合金扩散工艺、园型管壳）3DD8A～E（原外延平面工艺、G型管壳）8DD8A～E（原外延平面工艺、F型管壳）8DD8AE（原合金扩散工艺、园型管壳）DD20A~号（原外延平面工艺、G型管壳）3DD9A~E
8DD9A～E（原合金扩散工艺、园型管壳）3DD10AE（原外延平面工艺、G型管壳）
小提示：此标准内容仅展示完整标准里的部分截取内容，若需要完整标准请到上方自行免费下载完整标准文档。