SJ 3196-1989 电子材料次级电子发射系数的测试方法 SJ3196-1989 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国机械电子工业部部标准SJ3196-89
电子材料次级电子发射系数的测试方法1989-02-10发布
1989-03-01实施
中华人民共和国机械电子工业部发布中华人民共和国机械电子工业部部标准电子材料次级电子发射系数的测试方法1主题内容与适用范鼠
1.1本标准规定了用电子枪法测定电子材料的次级电子发射系数，SJ3196-89
1.2本标准适用于所有固态电子材料（包括金属、非金属、半导体与绝缘体）。2名词术语
2.1原电子
轰击靶的人射电子，
2.2次级电子
在愿电子作用下，遂出的所有电子，包括真正的次级电子，与反弹的原电子等，2.3次缓电子发射系数5。
次级电子电流值与原电子电流值的比值，2.4最大次级电子发射系数5mmx
特定电子树料的次级电子发射系数随垂直人射电子能量而异：其中有某一能量(Epmax）使改缓电子发射系数为最大值（m）3方法提要
利用电子枪产生原电子流，垂直轰击待测材料制作的靶面，由此得到次级电子，次级电子被收集极收集其测盘原理如图1所示。收集极所收集的电流值与人射靶面的原电流值之比即为次级电子发射系数。冲生
图1电子枪法测量次级电子发射系数的电路中华人民共和国机械电子工业部1989-02-10批准游冲波
1989-03-01实施
SJ3196—89
K电子枪的阴极；
A、A一阳极；
C一收集极。
M-调制极；
D靶；
测盘导体材料的次级电子发射系数时，可用连续入射的原电子流探测。为了避免表面充电的影响，测量半导体的次级电子发射系数时，原电子束必须以脉冲方式间断地轰击次级发射体。测量绝缘体的次级电子发射系数时，原电子束采用单脉冲入射，人射电流限制在几个微安以下，
4测量设备
高真空动态测试系统，如图2所示。b。带有收集极的电子枪组件，见图2中15.c.脉冲信号发生器。
d。脉冲示波器
e.直流电子稳压电源，02000V，0--800V.0-—24V记忆脉冲示波器，
微安表，妾安表。
图2动态真空系统原理图
1.机械泵；
2.电磁阀：
3.吸附泵；
5试样制备
4.超高真空阀；
7.小冷泵：
10.微调阀；
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5.热偶泡、电离泡；
8.放气阀：
11.样品分析室；
13.@50超高真空阀
15.带收集极的电子枪：
17.可调节样品架；
6.升华泵；
9.超高真空阀；
12.B-A泡；免费标准下载网bzxz
14.2501/8冷泵
16.靶组件；
5.1将待测材料切成3×3mm，厚为0.5mm的正方形片材，最大充许尺寸为10×10mm，厚为6mm
5.2将试样表面抛光，去除机械损伤，5.3将上述片材按电真空器件内零部件的要求，清洗、烧氢、去气规范进行清洁处理。
6测试步骤
6.1将试样组装成靶组件，
6.2将靶组件插人动态真空系统的分析室内的样品架上，并调节到与电子枪相对的一定位置上
6.3进行抽真空，待分析室压力小于5×10~P，时，烘烤系统4h后，待压力小于1×10-P，时，方可进行测试.
6.4接通电路，各仪器预热15min。6.5测量入射靶上的原电子流值（收集极相对于靶为负电压时）6.6由零伏开始逐步提高加速电压，并记录相应的靶电流和收集极电流。7计算
7.1次级电子发射系统3按下式计算：5=
式中：I收集极电流，μA；
I一靶电流，uA;
I。+I一人射靶上的原电子流（uA).所设计的电子枪经试验，在Ep变化范围内，人射电子流值恒定，
7.2以3为纵坐标，Ep为横坐标。绘制出8-Ep曲线，7.3由曲线定出最大次级电子发射系数值mx以及相应的原电子能值Epmax，如图3所示，
8精密度
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图38-Ep曲线及8mx、Epmx的标定本标准采用半球形收集极，测量精度达1%；采用圆筒形收集极，达5%计人仪表误差，总精度在土10%以内。8.2
主要误差来源
仪表不稳与漂移。
试样表面受污染。
10注意事项
试样清洁后，在装配过程要避免污染10.1
测试时必须保持分析室的真空度，以防离子流的干扰，10.2
10.3，示波器读值，需经常校核，附加说明：
本标准由南京工学院负责起草
本标准主要起草人陈德森、莫纯昌。4
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