SJ 3241-1989 砷化镓单晶棒及片 SJ3241-1989 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国机械电子工业部部标准SJ3241--89
砷化镓单晶棒及片
1989-03-20发布
1989-03-25实施
中华人民共和国机械电子工业部发布中华人民共和国机械电子工业部部标准碑化镓单晶棒及片
主髓内容与道用范围
SJ3241-89
本标净规定了液封直拉法（LEC）和水平横拉法（HB）制备的砷化傢单晶棒、片牌号的命名方法、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本标准适用于微波器件、光电器件及集成电路衬底等用的液封直拉法和水平横拉法制备的破化镓单晶棒片，
半绝缘碎化和磷化钢单晶电阻车的测试方法SJ3244.1碑化镓和磷化钢材料霍尔迁移率和载流子浓度的测量方法SJ32+5
磷化钢单晶位错的测试方法
GB6618硅片厚度和总厚度变化的测试方法GB6819硅片弯邮度的接触式测试方法SJ3244.3
3化像、磷化单品品向的测试方法GB6624
硅抛光片表面质量目测检验方法GB2828
逐批检查计数抽样程序及抽祥表（适用于连续批的检查）砷化镓单晶棒、片牌号命名方法3
化傢单晶棒、片牌号命名由下列六部分组成：GaAs
第1部分：用n、p或SI分别表示n型、P型或半绝缘；第2部分为砷化镓分子式，表示碑化镍，16
第3部分用LEC或HB表示拉晶方法为液封直拉法或水乎横拉法；第4部分用《×××表示晶棒的晶向，例如（111），用（×××）表示晶片的晶面，例如（100）；
第5部分为元素符号，表示掺杂剂，若为非掺杂则不标出，第6部分表示表面状态，P)E表示单晶片为一面抛光，另一面腐蚀片，P/P表示双面抛光片，S/S表示切割片。
中华人民共和国机械电子工业部1989-03-20批准1989-03-25实施
SI-GaAs LECSJ3241-89
表示液封直拉法生长的111>向非掺杂半绝缘砷化镓单晶棒：n-GaAsHB（10o)Si-P/E
表示水乎横拉法制备的（100）面掺硅n型砷化镓一面抛光，另一面腐蚀片。4术语
4.1正交取向偏离。有意偏离（100）面切片时，晶片表面法线在（100）面上的投影与最近的《110）晶向在（100）面上投影之间的夹角、见附录A。4.2参考面
砷化镓是极性半导体，器件和电路工艺要求定出主、次参考面，以便得到特定的魔蚀沟槽形状。参考面与腐蚀沟槽形状之间的关系见附录B。4.2.1主参考面：为（07一）面，用OF标记，其长度视单晶直径而定。4.2.2次参考面：为（011)面，沿主参考面顺时针旋转90°即可，用IF标记，其长度视单晶直径而定。
5技术要求
5，1砷化镓单晶电学特性应符合表1及表2的规定，单晶棒电学特性测量均从摔两端各取一片进行。
表1半绝缘砷化镓单晶电学特性
电学参数
电阻率（Qcm）
迁移率(cm*/vs)
注：半绝缘碑化像体需经热处理试验，热处理后的参数，由供需双方协商确定。表2掺杂砷化单晶电学特性
导电类型
Te或Sn
非掺杂
载流子液度
5~20×1017
1~4×101
1~20×1017
>1×101
1~50×1017
4~100×101
迁移率
cm\/v*s
2000300
400~2600
2500~4000
3800~5000
100~280
40~110
1.5~4.0×10-
0.9~2.6×10-3
2.7~15.6×10-
1.2~27×10-1
1.3~15×10-
位错密度
SJ3241—89
砷化镓位错密度等级分类见表3，单晶棒位错密度测量均从捧两端各取一片进行。裘3砷化镓位错密度
5.3外型尺寸
（平均值
值(em-\)
≤2x10s
5×10*
≤2×104
≤5×104
砷化镓单晶棒、片的外型尺寸应符合图1、表4和表5的规定。DF
图1晶片形状示意图
LEC圆片
HBD形片
5.4晶向
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碑化镓单晶棒片的外形尺寸
厚度与危差
P/E片：400±25
S/S片：500±25
P/E片：500±25
S/S片：600±25
每片厚度变化
不大于(μm）
24,12，8,4
24,12,8,4
脊曲度
不大于（um)
50，30,20
50，30,20
滚5D形砷化镓单愿摔片的外彩尺寸厚度与偏差
P/E片：400±25
S/S片:500±25
P/E片：500±25
S/8片.600±25
每片厚度变化
不大于（um)
24,12,3,4
24,12，8，4
弯谨度
不大于(um）
50，30，20
50，30，20
边缘倒角
5.4.1品棒取向：（111），<100）、《110），要求单品棒的轴向与品向偏离不大于±5°5.4.2晶片表面取向：
A《100）±0.5°
《100》向最近邻的《110）±0.5°偏2°±0.5°见附录A5.5正交取向偏离±5°。
参考面取向和长度规定见附录B及表5。表6砷化参考面
主参考面
（mm）
注：离蚀方法
与腐蚀坑
长轴平行
次参考
与腐蚀坑
腐蚀剂为熔融氢氧化钾温度400C，时间15~20min。短轴平行
5.7砷化镓切磨片、抛光片质量应分别符合表6及表7的规定，其崩边、缺损见图2。A
缺口弦长！
不大于3.5mm
缺口弦长
不大于5mm
不大于3.5mm
不大于5mm
SJ3241--89
碑化镓单晶切磨片表面质量
0.30.3≤d≤1mm
0.3≤d≤1mm
0.3≤d1mm
图2边缘鼓损示意图
最大允许限度
1个/片
1个/片
1个/片
1个/片
不允许有心漆、油污、水
迹和异诺色参、珠点
缺口或期边的弦长1
缺口或期边的最大经
向深度d
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3砷化镓单晶抛光片表面质量
缺陷种类
最大允许限度
用肉眼观察表而无明显划痕
提交批中有1./100晶片表面允许每片最多有2条划痕且总长度不越过量半径
5.8砷化镓单晶棒、片不得有夹杂、空洞等缺陷，除边缘5mm圆环外，截面其它部分不得有位错排和小角度晶界。
5.9对某些有特殊要求的材料，若本标准不适用时，由供带双方协商，6试验方法
6.1电学参数的测量
6.1.1半绝缘砷化镓电阻率按SJ3249.1进行，6.1.2重掺砷化电阻率的测试按SJ3249.1进行，6.1.3迁移率和载流子浓度测量按SJ3244.1进行，6.2位错密度测量
按SJ3245进行。
6.3外形尺寸测量
6.3.1晶棒直径用精度为0.01mm的游标卡尺测量。6.3.2品片厚度和厚度变化的测量按GB6618进行，D形片的测量点位置见附录D，6.3.3弯曲度测量
按GB6619进行
6.4晶向测量
按SJ3244.3进行。
6.5正交取向偏离的测量
按供需双方协商的方法进行。
6.6参考面取向和长度的测量
按供需双方协商的方法进行。
6.7表面质量目测
按GB6624进行。
7检验规则
7.1检验批构成
7.1.1单晶棒，每一个单晶棒构成一个检验批，该批中若有任一项技术要求不符合5.1条表1（或表2）、5.2条表3和5.4.1条的要求，则为不合格品。6
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7.1.2单品片：由相同标称尺寸和相同特性的全部单晶片构成一检验批。单晶片检验批按GB2828中正常检查，一次抽样方案进行。7.2检验项目
单晶片的全部检验项目见表9。当订货合同另有规定时，按订货合同办理。表9
检验项目
电学性质
外形尺寸
参考面
表面缺陷和沾污
检验要求
5.1条表1和表2
5.2条表3bzxZ.net
5，3条表4和表5
5.6条图B和表6
5.7条表7或表8
检查水平
合格质量水平
供需双方协商
注，对F组，若表面不合格是由于沾污引起的，允许将提交检验的全部产品清洗后，重新进行检验。73检验结果的判定
表7的A、B、C、D、E、F组全部检验合格的检验批为合格批，若有任何一组检验不合格，则判定该检验批初检不合格。7.4复验规测
初检不合格的检验批，在将该检验批全部产品返修，而且经证明克服了原有缺点后，允许进行复检。提交复检的批应由原检验批中的产品组成。原来哪个检验组不合格，就复检那个检验组，返修时若某检验组性能可能受到影响，也应复检该检验组。复检采用加严检查抽样方案，复检不合格的检验批，则判为不合格品。7.5需方收到产品时，应根据产品发运单及时开箱，检查产品是否完整，凡属包装质量低劣造成的产品损坏，或发现产品质量与产品合格证书不符，应按原批号从到贷之日起一个月内向供方提出调换，或供需双方协商解决，8标志、包装、运输和贮存
8.1晶棒经检验后用干净的白色软纸包衰。连同合格证书放入塑料盒内。每盒一锭，并以软泡沫塑料塞满。使晶棒不会在盒内移动。若干塑料盒放入木箱内，用软填料将箱塞满。8，2晶片经检验后放入特制聚以烯塑料小盒内，若干小盒（属同一批）连同合格证书一起装入塑料盒内，若干塑料盒装入木箱内，并用软填料将箱塞满，使盒不会在箱内移动。8.3标志
8,3.1晶棒的标志
8.3.1.1木箱应有下列标志；
制造广名称；
产品名称、牌号、编号
盒数；
d，合同号；
出厂日期；
防震、防潮标记。
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每锭产品应附有合格证书，其中注明。产品名称、牌号，
合固规定的各项技术指标；
净重；
检验员或检验部门签章及检验日期；制造广名称。
晶片的标记
木箱的标记见7.3.1.1。
每批产品应有合咨证书，其中注明：产品名称、牌号、批号；
合同上规定的各项技术指标；
片数；
净重；
检验员或检验部门签章及检验日期；e.
制造单位
8.4产品在运输和贮存过程中不得同酸、碱等腐蚀性物品混装、混运及混存。产品应些存在干燥、清洁的仓库内。8.5
主参老面
SJ3241--89
附录A
正交取向偏离示意图
（补充件）
晶片表面的弘教方的
次参考面
最近的
晶片离法线在（13)面上品提3
正交取向经商
<110>在(100)融上的影
表面取向B并定出参考面的Ga4s晶片，正交取向偏离儿度9
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附录B
参考面与腐蚀沟槽形状之间的关系示意图（参考件）
P(次参考面）(OT1)±5
燕冠槽
OF(丰参满面）(01)生1°
附加说明：
SJ3241-89
附录D
D形片摩度变化测量点位置
（补充件）
厚度变化TV=（tmax）-（tmin）(=1~5,=1~5,)
本标准由机械电子工业部46所负责起草，5
本标准主要起草人：杨媛琪、华庆恒、孙毅之、张又立、谢重木11-
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