SJ 3249.4-1989 半绝缘砷化镓中ＥＬ２浓度的红外吸收测试方法 SJ3249.4-1989 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国机械电子工业部部标准半绝缘砷化镓中EL2浓度的红外吸收测试方法主题内容与适用范围
SJ3249.4-89
本标准规定了半绝缘砷化镶中深施主浓度E12的红外吸收测量原理、仪器设备、测量步骤、结果计算和精度。
本标准适用于非掺杂半绝缘碑化中E12浓度的测定，适用于试样厚度2～4mm，不适于测量掺铬半绝缘样品中的EL2浓度。2原理
半绝缘GaAs中EI2深电子陷阱光吸收系数与其浓度具有对应关系，测量1.0972μm处的吸收系数并由经验校准公式计算EL2浓度，3仪器及设备
0.8~2.5m或范围更宽的分光光度计。4测试步骤
4.1以吸收方法进行扫描作零线校准，应仔细调整仪器，使得在0.8~2.5μm范围零线吸光度起伏不大于±0.002。
4.2将所双面磨抛样品置于光路并使光束对准所需测量位置。4.3在0.8~2.5μm范围测量样品吸收光谱得到吸光度A一波长入曲线，如图所示：5.59
样品原度3.86cm
lhaioo
波长人（×10)μm
图典型半绝缘砷化镓样品的吸收光谱中华人民共和国机械电子工业部1989-03-20批准1989-03-25实施
5结果的计算
SJ32484-89
5.1根据分光光度计记录的样品吸收光谱图。由下式计算EL2浓度：Ngl:=1.25×1016α
式中：N—-EL2浓度（cm）
EL2吸收系数（cm-1）
α山下式计算出
式中：d样品厚度，cm
一光谱图中1.0972μm和2.0μm处所对应的吸光度值，5.2半绝缘仰化典型样品EL2浓度的计算；5.2.1已知样品厚度为0.386cm；（1）
（2）
5.2.2试验所得A一入曲线如图所示，并查得A，和A分别为0.487和0.293，5.2.3α出下式算出：
试样EL2浓度为
6报告
报告内容如下bZxz.net
a.样品来源及编号
b.图示测量位置，
c.a和EL2数据，
α=0.487-0.293×2.30
=1.16(cm-1)
NL21.25×1016×1.16
=1.45×1016（cm-3）
d.测试日期与测试者姓名。
7精度
本方法测量精度为10%。
附加说明：
本标准由机械电子工业部第四十六研究所负责起草本标准主要起草人：李光平、旬秀坤、王琴、郑驹、阁萍2
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