本标准规定了CS1型硅沟道结型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求该种器件按GJB33-85《半导体分立器件总规范》的规定提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。 SJ 20011-1992 半导体分立器件 ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级ＣＳ１型硅Ｎ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范 SJ20011-1992 标准下载解压密码：www.bzxz.net
本标准规定了CS1型硅沟道结型场效应晶体管（以下简称器件）的详细要求该种器件按GJB33-85《半导体分立器件总规范》的规定提供产品保证的三个等级（GP、GT和GCT级）。

GB 4586-1984 场效应晶体管测试方法
GB 7581-1987 半导体分立器件外形尺寸
GJB 33-1985 半导体分立器件总规范
GJB 128-1986 半导体分立器件试验方法

中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
半导体分立器件
GP、GT和GCT级
SJ20011—92
CS1、CS4、CS10型硅N沟道
耗尽型场效应晶体管
详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail specification for silicon N-channeldeplition mode fieldeffect transistor of types CS1,CS4.CS10GP,GTandGCTclasses
1992-02-01发布
中国电子工业总公司
1992-05-01实施
1范围
中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
GP、GT和GCT级
CS1型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail spccificationforsiliconN-channeldeplitionmodefield-effecttransistoroftypeCsGP.GT and GCT classes
1.1主题内容
SJ20011---92
本规范规定了CS1型硅N沟道结型场效应晶体管（以下简称器件）的详细要求，该种器件按GJB33一85《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级（GPGT和GCT级)。
中国电子工业总公司1992-02-01发布1992-05-01实施
1.2外形尺寸
SJ2001192
外形尺寸应符合GB7581《半导体分立器件外形尺寸》中的A3-01B型及如下规定，见图1.
1.3最大额定值
TA=25C
中.35@x@
图1外形尺寸
注：1）T>25℃时，按0.66mW/C的速率线性降额。-2
引出端极性：
单位：mm
A3-01B
Tamh和Tate
-55~+175
1.4主要电待性（T=25℃）
符号（单位）
Ipss(mA)
Vos(efn(V)
F2)(dB)
lyal(μs)
Ci(pF)
Ch(pF)
测试条件
Vns=-10V
Vps10V
Vps=-10V
f=1kHz
Rc-1M0
Vps10V
f-1MHz
Vps=-10V
f-IMHz
Vps=10V
f=1MHz
注：1）脉冲法（见4.5.1)。
2）A档，在Vgs=0条件下测试。
2引用文件
SJ20011--92
所有型号
所有型号
所有型号
GB4586-84
场效应晶体管测试方法
GB7581-87
GJB33-85
GJB128-86
半导体分立器件外形尺寸
半导体分立器件总规范
半导体分立器件试验方法
最小值
最大值
3要求
3.1详细要求
SJ20011--92
各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2设计结构和外形尺寸
器件的设计结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2.1引出端材料和涂层
引出端材料应为柯伐。引出端表面涂层应为镀金、镀锡或锡。对引出端材料和涂层要求选择或另有要求时，在合同或订货单中应明确规定（见6）3.3标志
器件的标志应按GJB33的规定。
4质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验应按G.B33的规定。
4.3筛选（仅对GT和GCT级）
筛选应按GJB33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表1进行，超过规定极限值的器件不应接收。
GJB33表2
3.热冲击
6.高温反偏
7.中间测试
8.电老化
9.最后测试
4.3.1功率老化条件
GT和GCT级
测试或试验
低温应为-55℃，高温应为+175℃不要求
不要求
IGsS、ss和|y|1
本规范表1的A2分组；
AIpss=初始值的士10%，△/yal1=初始值的士20%VGs--24V:Vs=0,TA=-150℃
4.4质量一致性检验
质量一致性检验应按GJB33的规定进行。4.4.1A组检验
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2B组检验
B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。最后测试和变化量（△）要求应按本规范表4的步骤进行。
4.4.3C组检验
SJ20011-92
C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。最后测试和变化量（△)要求应按本规范表4的步骤进行。
4.5检验和试验方法
检验和试验方法应按本规范相应的表和下列规定。4.5.1脉冲测试
脉冲测试应按GJB128的3.3.2.1的规定。表1A组检验
检验或试验
A1分组
外观和机械检验
A2分组
栅-源击穿电压
栅-源截止电流
零栅压漏极电流
栅-源截止电压
A3分组
高温工作：
栅-源截止电流
GJB128
GB4586
漏源短路
IGs-lμA
漏源短路
VGs=-10V
栅源短路
Vps=10V
脉冲法（见4.5.1)
Vrg10V
Ips iμA
T=125℃
漏源短路
Vps-0.Vcs--10
V(BR)SS
Vcs(ert)
极限值
最小值
最大值
检验或试验
A4分组
小信号共源短路
正向跨导
小信号共源短路
输入电容
小信号共源短路
反溃电容
共源点噪声系数
A5和A6分组
不适用
A7分组
低温工作：
小信号共源短路
正向跨导
SJ20011-92
续表1A组检验
GB4586
Vns-15V
f-1kHz
脉冲法（见4.5.1）
Vps=10V
f-1MHz
Vog10V
Vrs10V
f=1kHz
Re-1MO
A档：Vas=0
B、C、D档：
Tm=-55℃
Vns10V
脉冲法（见4.5.1）
LTPD符
极限值
最小值
最大值
检验或试验
B1分组
可焊性
标志的耐久性
B2分组
热冲击（温度循环）
a.细检凝
b.粗检漏
最后测试：
B3分组
稳态工作寿命
（高温反偏）
最后测试：
B4分组
开帽内部观检
（设计核实）
键合强度
B5分组
不适用
B6分组
高温寿命
(不工作）
最后测试
SJ2001192
表2B组检验
GJB128
试验条件C，但温度应为
T=-55℃
T=+175℃
见表4，步骤1、3和4
TA-150℃
VGs=-24V
见表4步骤2、3、4、5和6
试验条件A
每个器件所有的内部引线
分别进行拉力试验
TA=175℃
见表4，步骤2和6。
每批一只器件，0失效
20(C-0)
检验或试验
C1分组
外形尺寸
C2分组
热冲击（玻璃应力）
引出端强度
a.细检漏
b.粗检漏
综合温度/湿度
周期试验
外观及机械检验
最后测试
C3分组
变频振动
恒定加速度
最后测试：
C4分组
(当需要进行时）
C5分组
不适用
C6分组
稳态工作寿命
（高温反偏）
最后测试
SJ20011—92
表3C组检验
GJB128
见图1
试验条件A
试验条件E
见表4，步骤1、3和4
见表4，步骤1、3和4
TA-150℃
VGs=-24V
见表4，步骤2，3，4，5和6
入=10免费标准bzxz.net
栅源截止电流
栅源截止电流
零栅压漏极电流
小信号共源短路
正向跨导
零栅压漏极电流
小信号共源短路
正向跨导
SJ20011—92
表4.B组和C组的最后测试
GB4586
漏源短路
VGs=-10V
漏源短路
Vcs—-10V
栅源短路
Vns=10V
脉冲法（见4.5.1）
Vps=10V
脉冲法（见4.5.1）
栅源短路
Vps10V
脉冲法（见4.5.1)
Vns-10V
f=1kHz
脉冲法（见4.5.1)
最小值
最大值
初始值的士15%
初始值的士25%
5交货准备
包装要求应按GJB33的规定。
说明事项
SJ20011--92
合同或订货单应规定要求的引出端材料和涂层（见3.2.1）。如使用单位需要时，典型特性曲线可在合同或订货单中规定CS1与厂用型号3DJ6对照：
附加说明：
3DJ6G、H
本规范由中国电子工业总公司科技质量局提出。本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由中国电子技术标准化研究所负责起草。本规范主要起草人：王长福、昊志龙、刘美英、张宗国。计划项目代号：B91017。
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