本规范规定了3DK38B~H型功率开关晶体管的详细要求。每咱器件均按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等(GP、GT和GCT级). SJ 20172-1992 半导体分立器件 ３ＤＫ３８型功率开关晶体管详细规范 SJ20172-1992 标准下载解压密码：www.bzxz.net

1范围
中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
3DK38型功率开关晶体管
详细规范
Semiconductor discrete deviceDetailspecificationfortype3DK38powerswitchingtransistor1.1主题内容
SJ20172—92
本规范规定了3DK38B～H型功率开关晶体管的详细要求。每种器件均按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级（GP、GT和GCT级）。1.2外形尺寸
外形尺寸按GB7581《半导体分立器件外形尺寸》的B2-01C型及如下的规定（见图1)。mm
电0.5@xz
中国电子工业总公司1992-11-19发布符号
B2-01C
1993-05-01实施
1.3最大额定值
3DK38B
3DK38C
3DK38D
3DK38E
3DK38F
3DK38G
3DK38H
Te-25℃
SJ20172—92
注：1）Tc>25C时，按1000mW/C的速率线性地降额。1.4主要电特性（T^=250℃）
极限值
3DK38B~H
2引用文件
Vez=3V
?黄20~80
?绿40~160
Vcecun
Vateat
GB4587—84
双极型晶体管测试方法
GB7581-87
GJB33—85
半导体分立器件外形尺寸
半导体分立器件总规范
6半导体分立器件试验方法
GJB128--86
3要求
3.1详细要求
各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2.1引出线材料和涂层
Vca=-10V
f-1MHz
55~175
Reji-e
Veg10V
引出线材料应为可伐。引出线表面应为锡层或镍层。对引出线涂层有选择要求时，在合同或订货单中应予规定。
3.3标志
器件的标志应按GJB33的规定。
质量保证规定
4.1抽样和检验
SJ20172—92
抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB33的规定。
4.3筛选（仅对GT和GCT级）
器件的筛选应按GJB33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表1的规定进行，超过本规范表1规定极限值的器件应予剔除。选
（见GJB33的表2）
7.中间电参数测试
8.功率老化
9.最后测试
4.3.1功率老化条件
功率老化条件如下：
T=162.5±12.5℃
Vce=20V
Prt=60W
4.4质量一致性检验
IcBor和hrei
按本规范表1的A2分组；
AIcBDi<初始值的100%或250μA，取较大者；Ahrel≤初始值的士20%
质量一致性检验应按GJB33的规定进行。4.4.1A组检验
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2B组检验
B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。4.4.3C组检验
C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。4.5检验方法
检验方法应按本规范相应的表和下列规定。4.5.1脉冲测试
脉冲测试应按GJB128的3.3.2.1的规定。4.5.2热阻
热阻测试应按GB4587的2.10和下列规定。a.
加功率时的Ic=2A；
Vce=-10V,
基准温度测试点应为管壳；
基准点温度范围为25℃Tc≤75℃，实际温度应记录；e.安装应带散热器；
SJ20172—92
f.Rt)i-。的最大极限值应为1.0℃/W。4.5.3C组寿命试验
C组寿命试验应按GJB33和本规范的规定进行。4.5.4恒定加速度
恒定加速度试验应按GJB33和本规范的规定进行。表1A组检验
GB4587
检验或试验
A1分组
外观及机械检验
A2分组
集电极一发射极击穿电压
3DK38B
3DK38C
3DK38D
3DK38E
3DK38F
3DK38G
3DK38H
发射极一基极击穿电压
集电极一基极截止电流
集电极一发射极截止电流
集电极一发射极饱和电压
基极一发射极饱和电压
正向电流传输比
A3分组
高温工作：
集电极一基极截止电流
低温工作：
GJB128
本规范
附录A
发射极一基极开路；
Ic=10mA
集电极一基极开路，
Ig=20mA
发射极一基极开路；
Vcn-Vcno
发射极一基极开路；
Vee=3V
T-125±5℃
发射极一基极开路；
Vca=0.7Vc8o
T=-55℃
VCRRCEO
V(BR)EBO
Vee(mn)
VaE(t)
极限值
最大值
检验或试验
正向电流传输比
A4分组
输出电容
导通时间
贮存时间
下降时间
A5分组
安全工作区（直流）
试验1
试验2
3DK38B~F
3DK38G~H
试验3
3DK38B
3DK38C
3DK38D
3DK38E
3DK38F
3DK38G
3DK38H
最后测试：
SJ20172—92
续表1
GB4587
VeE-3V+
脉冲法（见4.5.1)
Vca-10V
f=-1MHz
Ig=—1=0.75A
Te-25C
t-1s，单次
Ver=10V
le=15A
Veg—15V
le=10Awww.bzxz.net
Veg20V
Vce-50V
Ic560mA
Vee=80V
Ic=180mA
VcE=110V
Ic=84mA
Vee=150V
Ic=40mA
Vce—200V
Ic=20mA
Vee80V
Ic=200mA
Veg-130V
lc-56mA
见表4步骤1和3
极限值
检验或试验
B1分组
可焊性
标志耐久性
B2分组
热冲击(温度循环)
a.细检漏
b.粗检漏
最后测试：
B3分组
稳态工作寿命
最后测试：
B4分组
（仅对GCT级）
开帽内部目检
(设计核实）
键合强度
B6分组
高温寿命
（非工作状态）
最后测试：
检验或试验
C1分组
外形尺寸
C2分组
热冲击(玻璃应力）
引出端强度
a.细检漏
b.粗检漏
抗潮湿
外观及机械检验
最后测试：
SJ20172-92
表2B组检验
GJB128
低温一55℃，其余为试验条件F
试验条件H
试验条件F
见表4步骤1和3
T=162.5±12.5℃
Veg=20V
Prt=60W
见表4步骤2和4
试验条件A
TA-175C
见表4步骤2和4
表3C组检验
GJB128
见图1
试验条件A
试验条件H
试验条件F
见表4步骤1和3
每批1个器件，
0失效
20(C=0)
极限值
最小值
最大值
检验或试验
C3分组
变频振动
恒定加速度
最后测试
C4分组
盐气(侵蚀）
(仅对海用）
外观及机械检验
C6分组
稳态工作寿命
最后测试：
C8分组
GB4587
SJ20172—92
续表3
GJB128
按总规范
按总规范
按总规范
见表4步骤1和3
T,=162.5±12.5C
Vcg20V
Pa=60W
见表4步骤2和4
Ver-10V
入=10
表 4A组、B组和C组最后测试
GB4587
集电极一基极截止电流
集电极一基极截止电流
正向电流传输比
正向电流传输比
发射极一基极开路；
Veg=-Vcao
发射极一基极开路；
VcBVcao
Vce-3V
Vcg-3V
注：1)本测试超过A组极限值的器件不应接收。5包装要求
包装要求应按GJB33的规定。
6说明事项
6.1合同或订货单可规定所要求的引出线材料和涂层（见3.2.1)。6.2如使用单位需要时，典型特性曲线等可在合同或订货单中规定。极限值
最小值
最大值
极限值
最小值最大值
初始值的
6.3直流安全工作区见图2a和图2b。15
SJ20172—92
Te-25℃
3DK38B
3DK38C
3DK38D
3DK38E
3DK38F
5080110150200
集电极一发射极电压Vz(V)
3DK38B～F的直流安全工作区
Te=25r
3DK38G
3DK38H
集电极一发射极电压Va(V)
图2b3DK38G～H的直流安全工作区8
SJ20172-92
附录A
集电极一发射极击穿电压测试方法(补充件）
本测试的目的是为了在规定的条件下，确定晶体管的击穿电压是否大于规定的最低极限。A2测试电路
电压源
注：在测试电流时，电流表的接头之间实际上可看成短路，或对电压表读数作因电流表压摩的校正。图A1集电极一发射极击穿电压测试电路A3测试步骤
限流电阻R，应足够大，以避免过度的电流流过晶体管和电流表。施加规定的偏置条件，增加电压直到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压大于V(BR)CEO的最低极限，晶体管为合格。本测试方法企图表现晶体管的负阻击穿特性，在这种情况下，必须使晶体管的集电极电流及结温保持在安全值以内。
A4规定条件
环境温度TA
测试电流Ic。
附加说明：
本规范由中国电子工业总公司科技质量局提出。本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由中国电子技术标准化研究所负责起草。本规范主要起草人：蔡仁明、杨子江、张永安、刘东才。计划项目代号：B91012。
小提示：此标准内容仅展示完整标准里的部分截取内容，若需要完整标准请到上方自行免费下载完整标准文档。