本规范规定了2DW232~2DW236型硅电压基准二极管(以下简称器件)的详细要求.该器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。 SJ 20185-1992 半导体分立器件 ２ＤＷ２３２～２３６型硅电压基准二极管详细规范 SJ20185-1992 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
半导体分立器件
SJ20185—92
2DW232～236型硅电压基准二极管详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail specificationforsiliconvoltage reference diodes for types2Dw232~2361992-11-19发布
中国电子工业总公司
1993-05-01实施
1范围
中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
2DW232～236型硅电压基准二极管详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail specification forsilicon oltagereferencediodesfortypes2DW232~236
1.1主题内容
SJ20185—92
本规范规定了2DW232～2DW236型硅电压基准二极管（以下简称器件）的详细要求。该器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级（GP、GT和GCT级)。
1.2外形尺寸
外形尺寸应符合GB7581《半导体分立器件外形尺寸》中代号为A3-02B型的规定，如图1所示。
中国电子工业总公司1992-11-19发布1993-05-01实施
最大额定值
1.4主要电特性
见表5。
2引用文件
GB6571--86
GB7581--87
GJB3385
GJB128—86
3要求
3.1详细要求
SJ20185-92
1一阳极
2一阴极
图1外形图
-55~+150
-55~+175
小功率信号二极管、稳压及基准电压二极管测试方法半导体分立器件外形尺寸
半导体分立器件总规范
半导体分立器件试验方法
各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2设计结构和外形尺寸
A3-02B
功率降额
T>25C时
(mw/℃)
SJ20185—92
设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范图1的规定。3.2.1引线材料和涂层
引线材料应是可伐（铁、镍、钴合金）、杜美丝（铜被铁镍合金）或铜丝等材料。引线涂层应镀金或镀银，亦可镀锡或浸锡。选用的材料和涂层可在订货单或合同中规定（见6.2）。3.2.2器件内部结构
芯片与支架采用冶金烧结，芯片与内引线末端采用超声键合工艺。3.3测试方法
测试方法应按GB6571及本规范的规定。3.4标志
器件上的标志应符合GJB33及本规范的规定。3.4.1极性
器件的阴极以该极近旁的白色色点表示。4质重保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验应符合GJB33的规定。
4.3筛选（仅对GT和GCT级）
筛选应符合本规范的规定。电特性测量应按本规范表4的规定进行，超过本规范表4中极限值的器件不应接收。
内部目检
(封帽前）
高温寿命
热冲击
(温度循环)
恒定加速度
（离心加速度）
a.细检漏
b.粗检漏
试验方法
(GJB128)
150℃±2℃.96h
温度：-55士3℃
+125±2℃
循环5次
25℃时不能有明显停顿，
极限温度下>10min
Y方向196000m/s
20s<60s
a.试验条件H
最大漏泄率：5mPacm*/s
b.试验条件C
极限值
电老化
最后测试
外观检查
4.4质量一致性检验
SJ20185—92
试验方法
(GJB128)
氟碳化合物检漏
试验条件B
必须在去掉老化条件之后96h
内完成全部参数测试。
按表4步骤进行
Iz=10mA
T,-25℃
T-75℃
打标志之后进行，用10倍双目
立体显微镜检查器件外观质量，剔除管壳、管腿生锈、变形、开裂及有其它缺陷的器件
质量一致性检验应按GJB33及本规范表1、表2和表3的规定进行。4.4.1A组检验
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2B组检验
极限值
100%、不超过表4
规定的极限值
B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。最后测试和变化量（△)的要求应符合本规范表4有关步骤的规定。
4.4.3C组检验
C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行，最后测试和变化量（△)的要求应符合本规范表4有关步骤的规定。
4.5检验方法
检验方法应符合本规范相应的表和以下规定。4.5.1电压一温度稳定性
每个型号器件的基准电压在各个规定的温度下测量，测量时应记录，对于每个器件从测量出的最高电压减去测出的最低电压，获得△Vz值，该△Vz值应在本规范规定的极限内。其测量温度不能超过规定的极限温度（一55～100℃）的范围。4.5.2基准电压Www.bzxZ.net
基准电压应加试验电流达到平衡（至少15s），在读出基准电压前达到热平衡。被试器件的安装：将器件引线夹在夹座的内侧，并距管身10mm。夹座的温度应维持在25℃
检验或试验
A1分组
外观及机被检验
GJB128
A2分组
基准电压
反向电流
微分电阻
A3分组
电压温度
B1分组
可焊性
检验或试验
标志的耐久性
B2分组
热冲击（温度循环）
a.细检漏
b.粗检漏
最后测试：
B3分组
稳态工作寿命
最后测试：
B4分组
开帽内部目检
键合强度
B5分组
不适用
B6分组
高温寿命
(非工作)
最后测试：
GB6571
SJ20185—92
表1A组检验
LTPD符号
用10倍放大镜
Iz-10mA
直流法：
lz=10mA
TAl=25℃
TA2-75℃
直流法：
1z2见表5第6栏
表2B组检验
极限值
最小值
最大值
表5第1栏一3%表5第1栏+3%
表5第5栏
表5第3栏
表5第6栏
GJB128
T=250±5℃，t=5±0.5s
TA=-55±3℃.TA=125±2℃
循环25次
试验条件H
试验条件C,氟碳化合物
见表4的1、2和3步骤
TA=25±3℃，t=340h
Izm=30mA，Vz见表5第1栏
见表4的1、2和5步骤
TA=150,t=340h
见表4的1、2和5步骤
每批一只，
0失效
20(C=0)
C1分组
外形尺寸
C2分组
检验或试验
引出端强度
a.细检漏
b.粗检漏
外部目检
最后测试：
C3分组
变频振动
恒定加速度
最后测试：
C4分组
盐气(侵蚀）
C5分组
不适用
C6分组
稳态工作寿命
最后测试：
检验或试验
基准电压
微分电阻
电压温度
反向电流
基准电压
变化值
SJ20185-92
表3C组检验
GJB128
见图1
试验条件A，静负荷重：W=20N
按B2分组
按B2分组
按A1分组
见表4的1、2和3步骤
非工作，加速度14700m/s*，t=0.5sX、Y.方向冲击各5次
非工作
196000m/s*X，，Y，方向
按表4的1、2和3步骤
T=25℃，l2m=30±1.5mA
V2见表5第1栏
按表4的1、2和5步骤
表4B组和C组的最后测试
GB6571
直流法lz-10mA
Iz=10mA
直流法；
TA1=25℃
TA2=75C
直流法，
VR见表5的第4栏
TA=25±3℃
直流法；
Ta-25±3℃
Iz-10mA
极限值
最小值
表5第1栏
初始值的
最大值
入-10
表5第1栏
初始值的1.2倍
表5的第6栏
表5的第5栏
初始值的
10-*/℃
电参数
测试条件
2DW232
2DW233
2DW234
2DW235
2DW236
基准电压
5交货准备
5.1交货要求
测试电流
SJ20185—92
表5电参数规范表
微分电阻
反向电压
包装、贮存和运输要求应符合GJB33的规定。6说明事项
6.1说明
在GJB33中规定的说明适用于本规范。6.2订货资料
订货单中可以规定引线材料和镀层（见3.2.1）。附加说明：
本规范由中国电子工业总公司科技质量局提出。本规范由中国电子技术标准化研究所归口。5
反向电流
电压温度系数
(10-6/℃）
本规范由中国电子技术标准化研究所、杭州无线电二厂负责起草。本规范主要起草人：王董文、于志贤。计划项目代号：B91020。
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