本规范规定了3DD101A~E型NPN硅功率晶体管的详细要求。每种器件均按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。 SJ 20310-1993 半导体分立器件 ３ＤＤ１０１型功率晶体管详细规范 SJ20310-1993 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国电子行业军用标准FL.5961
半导体分立器件
SJ20310—93
3DD101型功率晶体管
详细规范
Detail specification for type3DD101Power transistor
1993-05-11发布
中华人民共和国电子工业部
1993-07-01实施
主题内容
中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
3DD101型功率晶体管
详细规范
Detail specificatioit for type 3DDlo1 Puwer traasisturSJ 20310
本规范规定了3DD101A--E型NPN硅功率晶体管的详细要求。每种器件均按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT、GCT级）。1.2外形只寸
外形尺寸应按GB7531&半导体分立器件外形尺寸的B2-01C型及如下的规定（见图1）mm
海.s区南
中华人民共和国电子工业部1993-05-11发布号
132-010
引出端识别：
1—基极
2-发射极
架电极
1993-07-01实施
iiKAoNiKAca=
最火额定值
3DD01A
3DDT01R
3DD101C
SDDIoiE
SJ 20310—93
13c>25℃时，按500mW/℃的速率线性地降。注
1.4主要电特性（T=25℃）
3DD10IA～B
3DD101C～E
棕：2040
红:40~80
橙:80~120
黄120
最大值
注：1)相邻色标分界值充许士5%的偏差。2
引用文件
GB4587—84
GB 7581—87
GJB33—85
GJB128—86
3.1详细要求
双极型晶体管测试方法
半导体分立器件外形尺寸
半导体分立器件总规范
半导体分立器件试验方法
各项要求应接GJB33和本规范的规定，3.2设计、结构和外形尺寸
Ve -- 5. 0A
Ie- 2, 0A
最大值
器件的设计，结构和外形尺可应按GJB33和本规范的规定3.2.1，引出线材料和涂层
尺寸单位：mm
VuF-12V
I:- 0. 5A
最小值
-55~175
Rehcher
Vee=10V
e-- 1. 0A
最大值
引出线材料应为可伐。引山线表面应为锡层或层。对引出线涂层有选择婴求时，在合同或订货单中应子规定。
3.3标患
器件的标志态应按GJB33的规定。2
质量保证规定
柑样和检骑
SJ 20310- 93
抛样和捡验应按（JB33和本规范的规。4.2鉴定检验
鉴定检验应按 GJB 33 的规定。 4. 3筛选(仅对GT和GCT 级）
筛选应按GJB33表2和本规范的规定。F列测试应接本规范表1的规定进行，超过本规范表1规定极限值的器件应予剔除：筛
（览G33的2)
7.中间电参数测试
3.动率老化
最后测试：
4.3.1功率老化条件
功率老化亲件奶下：
T- 162. 5--12. 5
Ver50V
Pmt:37. 5W
4. 1 质量一致性检验
Ic和hFi
按本规范表 1 的 A2分组：
.........bzxz.net
A≤胡始值的100%或1A，取较大者：点下始慎的士20%
质量一致性检验应按GIB33的规定进行。4.4. 1A 组检验
A组检验应按GJR33和本规范表1的概定进行。4.4.2B组检验
B检验应按GJB33和本规范表空的规定进行。4.4.3C组检验
C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行，4.5验法
检验方法应按本规范相应的表和下列规定：4.5.1脉神冲测试
脉冲测试应按GJ3128的3.3.2.1的规定。4.5.2：热1
热阻测试应按 GB 4587 的 2. 10 和 下刻规定,a，加功率时的rc--1A：
h. V.--loV.
站推源度测试点应为管壳：
d紫准点温度范围为2575实附温度应记录：3
KAoNiKAca-
安装应带散热器：
SJ 20310—93
f.Rti-)的最大极限值应为20℃/W。4.5.3C组寿命试验
C组寿命试验应按GJB33和本规范的规定进行4.5.4恒定速度
恒定加速度试验应按GJB 33和本规范的规定进行，表1
A组检验
检验和试验
A1分组
外观及机械检验
42 分组
集电被-发射被击
穿电压
3DD11A
3DD1OIC
3DD:QIE
发射极-紫极击穿
集电极-基极截止电流
集电极-发射极截止
集电极-发射极饱和
3DD101A~B
3DD10IC~E
基极-发射极电压
正向电流传愉化
A3分组
高温工作：
渠电极-基极截止
低涵工作：
正向电殖传输比
GJB 128
附录A
2. 9, 2. 2
GB 4587
发射极-基极开路.
集电极-基极开路；
J—10mA
发射极-煤极开略，
Vce-Vean
发射极-基极开路；
VeR=1/2 Veen
fe. 2. 5A
1h=0. 25A
'VeF.=5. V
VeE =5. 0V
T=125±5℃
发射极-基极再路；
VrA=0. 7Vtm
T--55C
脉冲法(见 4. 5. 1)
Vekint
V(AR>PAO
极限值
最小值最大值
赖验和武验
A4 分组
安全工作区（肖流）
试验1
试验 2
试验字
3DD1O1A
后测试：
应验和试验
..........
1分组
可焊性
标志耐久性
B2 分组
热冲出（温度循环）
2，细检漏
h.粗检漏
最后测试，
B3分组
隐态工作筹命
最后测试：
SJ 20310—93
续表！
GB 4587
T:r25C
#=5，单次
Ver=- 15V.
Ic - 5. 0A
VeR-40V
Ve=100V+
I: - 196mA:
1ek—150V，
Ve--- 200V-
J:—35mA:
lct-250V，
f - 21mA:
Veg*300V:
I = 14mA.
见表 4非骤 1 和 3
B组检验
GJB 128
低温：55℃
其余为试验各件H
试验条件 H
试验条件 F
见表 4 步骤 1 和 3
T,=162.5±12.5C
Vee - 50V
Pa. -≥ 37. 5W
见表 4 步骤 2 和 4
被渠值
最小值最大個
iKAoNiKAca-
按验和试验
B4 分组
开帽内部目检
（设计核实）
合强度
B6 分组
温寿命
（不工作状态）
后测试：
检验科试验
C1 分组
外形寸
C2 分组
热冲击（玻璃应力）
引端强度
a、细橙漏
E.粗恼漏
综合温度/湿度周
期试验
外规及机械检验
凝后测试：
C3 分组
变颜振动
恒定如速度
录后测试：
C4 分组
（适展时》
盐气（晟蚀）
C6分组
稳态工作寿命
GJ1128
SJ 20310—93
续表2
GJB 128
试验条件A
TA=)75
见表4步暴1和3
C组检验
试验条件 B
试验条件 A
试验条件H
试验条性F
见表 4 步骤 1 和 3
现表4坂骤1和3
Ti--162. 5+12. 5r
Vee=50V
Ftt --37. 5W
每批1个器件，
0失效
20(C-0)
极限值
最小值
聨大值
检验和试验
最后测试：
C8 分组
GB 4587
集电极-基极截止电流
架电极-基极截止电流
正间电流传输比
正向电流传输比
GJB 128
SJ 20310-93
续表3
T. =100℃
见表 4 步骤 2 和 4
Vee=-10V
fe - 1. 0A
A组、B组和C组最后测试
GB 128
发射极-基极升路；
VcaVeno
发射极-基极开路;
VeHVAn
Vce=0. 5V
Ver=5V
注：1》本测试超过A组极限值的器件不应接收5
交货准备
5.1包装要求
包装要求应按GJB33的规定。
5.2贮存要求
盟存要求应按GJB33H规定。
5.3运输要求
运输要求应按GJE33H规定
说明事项
舍同或订货单可规定要求的引出线材料和涂层（见3.2.1）61
各使用单位需要时，典型特性线等可在合同或订货单中规定直流安全工作区（见图2）。
最小值
最大镇
极限值
最小值最大镇值
初始值的
KAONIKAca-
SJ20310—93
Tc 25'C
sre\-c
3D101A
3DDI01R
3DD1OE
20e 30
集电橱发射极电压VeV）
3DD101A～E的直流安全工作区
SI 20310-93
集电极-发射极击穿电压测试方法（补充件）
本测试的目的是为了在规的条件下，确晶体管的击穿电压是否大于规定的最低极限。测试电路
电压源
注；在测试电流时，电流表的接头之间实际上可看成短路，或对电压表读数作阅电流表压降的校正。集电假-发射极击穿电压测试电路图A1
测试步骤
限流电阻R，应足够大，以避免过護的电流流过晶体管和电流表施加规定的偏置条件，增加电压直到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压下VrRo的最低极限，晶体管为合格。本測试方法企图表现晶体算的负阻击穿待性，在这种情况下，必须在晶体管的集电證电流及结温保持在安全值以内，
规定条件
环境温度TAE
试电流 Ic。
说明，
本规范由中国电子工业总公司据出，本规邀由机械电子工业部电子标推化研究所负资起草。本规范主娶起草人蒙仁明、罗德炭、周志坤。计划项目代号：B01017。
KAoNiKAca=
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