本规范规定了２ＣＫ８５型硅开关二极管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。 SJ 50033.56-1994 半导体分立器件 ２ＣＫ８５型硅开关二极管详细规范 SJ50033.56-1994 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
SJ 50033.56—94
半导体分立器件
2CK85型硅开关二级管详细规范
Semiconduclor discrete deviceDetail specification for type 2CK85silicon switching diode
1994-09-30发布
1994-12-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
2CK85.型硅开关二级管详细规范Semiconductor discrete dcriceDetail specification for type 2CK85sillcon swltehing diode
1范围
1.1主题内容
本规逆规定了2CK85型硅升类二级管（以下简称等件)的洋细要求，1.2适应范围
本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类
本规范根据器件质量保证等级进行分类。1.3-1器件的等级
SJ 50033. 5694
按GJB33≤半导体分立器件总规范>1.3条的规定，提供质量保证等级为菩车、特牵和超铺军三级，分别用字母GP、GT和GCT表示。2引用文件
CB4023··86半导体分立器件第2部分：整流一级管CB657186小功率信号二极管、稳压及基准电压极管测诉方法CB7581—87半导体分文器件外形尺寸GJB3385
半导体分立器件总规范
GJB 128—96
6半导体分立器试验方法
3要求
3.1详细要求
各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2设计,结构和外形斥止
器件的设详、结构和外形只小应按GJB33和本规范的规定。3.2.1引出端材料和涂层
引出端材料应为铜包铁丝（材料号：1018），引线涂层应镀锡或浸，对引出嘴另有要求时，中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布1994-12-01实施
TKAoNiKAca-
可在合同或订货单中规定（见G.3案）。3.2.2器件结树
SJ50033.56—94
在器件芯片的两面和引出端之问求月高温冶金键含结构·这种器件为玻璃封接非空腔缩构
3.2.3外形尺寸
外形尺寸应符合GB7581中的132一2A划，见到1L
注：1)。为引线育曲成直角后器件安装的最小轴向长度、图丨外形图
3.3最大额定值和主要电特性
3.3.1最大额定值
2CK85A
2CK85B
2CK85C
2CK85D
注：1)T。>0C时、按3.33mW/C线生降额，降额再线见图2，Tu
—55～150
55~175
3.3.2土要电特性
1=25 C
1 1p=100mA
2CK85A
2CK85B
2CK85C
2CK85D
3.4电测试要求
S. 50033. 5694
V= VRwrm
V Vpwm
TA -153 C
电测试应符合GB4023、GB6571及本规范的规定：3.5标志
= Ik = 20mA
R =500
Vs-5(mV
Vk -ov
标志产符合GIB33和本现范的观定。型号标志可不限于行内，制造厂可省略下列标志，制造」的识别：bzxz.net
b。检验批识别代码，
3.5.1极性标志
器件的负极端应采用鲜明的色带标记，以示出器件的极性，4质量保证规定
4. 1拍样和检验
抽样检验应按GIB33乱本规范的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验应按GIB 33 的规定，
4.3筛选(仪对GT和GCT级)
筛选应按GIB33的表2和太规范的规，其测试应按本规范表：进行，超过规范长披限值的器件应于以剔除，
筛选(GJ333)表2
3.热冲击
4.恒定加速度
G高温反璃
7. 中间电参数测试
8.电老化
9.最后测试
除低温为一55C，循玖1C饮外，其余间试验条件F。不要求
不赏求
试验条件A.V=Vawta8h
Ip - 1. 51of = 96h,T, - 25 ± 5 C表1的A2分组（直流参数）；
AV，=划始值变化的=50mV，
=：—初始值的:00§或20nA,取较人者。-rKAONKAca-
4.4质量一-致性确验
SJ 50033. 5694
质盘致性检验应按GJB33和本规范的规定。4.4.1 A组检验
A经检验应按GIB33和本规范表1的规定进行，4.4.2B组捡验
B组检验应按GIB33本观范表2的规定进行。4.4.3C组检验
C组检验应按GJB33和本规范表3的规烂进行。4.5检验和试验方达
检验和试舱方法应按本规范相应的表和下列规定。4.5.1滋涌电流（1rm）
应在二极管正向施加5COm.A浪浦峰值凸流（1rM并且这些峰值电流应与平片整流电流Ic（见3.3.1)选加,采用方波脉注、脉冲宽度为101:4+占空比为2%.浪涌--次。4.5.2脉冲测试
脉汁测试条件应按GJB128的3.3.2.1的规定。表 1A组检验
检验或试验
A1分纽
外观及
机械捡验
A2公组
击穿电压
2CK85A
ECK85B
2CK85C
2CK85D
正间电压
反向电流
反向恢复
A3分组
高温工作：
GJE125
GJB128
CB6571
真流法
=10μA
Ip-10mA
直流法
V-VxwM
Ve =oV
f - 0. 5MHz
Vai = 50my
2. 1. 4.2. 2
胶神法
Ix=1imA
I -10mA
- -50 C
报限值
小最大
检验或试验
正司电压
反向电流
任游二作
正向电压
向电流
检验或流验
GB6571
恒温0.5
直流法
-10mA
直流法
Vk -Vxwv
T =-55C
恒温 9. 5h
直流法
脉冲法
f=50Hz
SJ 50033. 56-94
续表1
VrVrwM (峰值)
表 2B组检验
GB 128
B1分组
可焊性
标志的耐久性
B2 分组
热护击
(温度循环）
最片测试：
B3 分组
稳态工作
最后测试：
B6分红，
高温寿命
(非工作状态）
最后测试：
B7分组
浪滴电流
最后测试：
焊料浸灌：T250±0.5C,1-5±0.5变试引出端数：2.浸入度离器件本体2.5m.处
险低温为—55C,循环10次外，其分同试验条件F。
见表 4 的步骤1.2 和 3
I= 100mA,Vk = Vkwmt,f = 50Hz正弦半;t =340h。
见表 4的步骤1,2和3
TA=175C.r=343h
见表 4 的步骤 1、2 和 3
IrsM = 500mA,t, = 10mA,tp = 1Cms,Va = 1'nwMGR 02a
占空比为2%，浪涌次数：1次、正弦半被。览表 4的步1、2 和 5
TTKAONKACa-
检验或试验
C1分组
外形尺寸
C2分组
玻璃度力）
引出端强度
弯曲试验
综合蕴度/崖
度周期试验
外观及机械检验
最后测试：
C3分组
变频振动
最后测试：
C4分组
盐筑(要求时)
C6分组
稳态工作寿命
最后测式：
正向电压
反向电流
5交货准备
5.1包装要求
SJ50033.56—94
表 3C 组检验
GJR 122
试验条性B
试验条性 A,受试可引端数:2、 F = 5V, 1 -15± J-试验条件 F
见表4的步骤1,2和3
加速度：147007
见表4的步骤1.2和3
1=1000hJu=1C0mA,F-50Hz，V=Vw死表4的步骤 1,2 和 3
表 4 B组和 C组最后测试
GB 6571
2- 1-2
包装要求应按GJB33的规定。
5.2贮存要求
贮存要求应按GJB33的规定。
tF --10mA
VRVOSM
- 0. 5MHz
极跟置
5.3运输要求
运输要求应按GJR33的规定
6说明事项
6.1预定用途
SJ 50033. 56-94
符合本规范的器件供新设备设计使用和供现有没备的启动保障用5.2订货文件内容
合间或汀单中位载明下列内容：a.
本规范的名称和编号：
等级（见1.3.1)：
数量：
d。标志，
要时,其它叟求。
63对出据材料和除层有特殊要求时应在合刚或，单规定温度降额曲
附加说明：
本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由济南半导体四厂和中赵电子技术标准化研究所起节。本规范主要起草人，王宿进，吕安良、于志贤。计址项月代号：R21621。
TrKAONKAca-
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