GB/T 4060-1983
基本信息
标准号： GB/T 4060-1983
中文名称：硅多晶真空区熔基硼检验方法
标准类别：国家标准(GB)
英文名称： Silicon polycrystalline vacuum zone melting base boron test method
标准状态：已作废
发布日期：1983-01-02
实施日期：1984-01-02
作废日期：2008-02-01
出版语种：简体中文
下载格式：.rar.pdf
下载大小：54276
标准分类号
标准ICS号：冶金>>金属材料试验>>77.040.30金属材料化学分析
中标分类号：冶金>>金属理化性能试验方法>>H21金属物理性能试验方法
关联标准
替代情况：被GB/T 4060-2007替代
出版信息
页数：3页
标准价格：8.0 元
相关单位信息
复审日期：2004-10-14
起草单位：峨嵋半导体材料厂
归口单位：中国有色金属工业协会
发布部门：国家标准局
主管部门：中国有色金属工业协会
标准简介
本标准适用于三氯氢硅及四氯化硅氢还原在细硅芯上沉积硅多晶所生长出来的硅多晶棒。 GB/T 4060-1983 硅多晶真空区熔基硼检验方法 GB/T4060-1983 标准下载解压密码：www.bzxz.net
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标准内容
中华人民共和国国家标准
硅多晶真空区熔基硼检验方法
Polycrystalline silicon--Examinationmethod -- Vac uum zone-melting on boronUDC669.782:548
.2:543.06
GB 4060.-.. 83
本标准适用二氟氢硅及四氯化硅氢还原在细硅芯上沉积硅多晶所生长计来的硅多晶棒检测杂质浓度有效范围0.02~20ppbaP型电阻率范围500~100002·cm。1方法原理
1.1原理
利用硅区熔时硅中磷硼的有效分凝系数的差别及磷硼从硅中蒸发速率的差别。1.2方法
真空区熔法。
2试样制备
2.1取样部位
除在桥形硅多晶棒硅芯搭接处或者直的硅多晶棒离石墨卡头10mm-段外均可取样（如图1）。2.2试样尺寸
直径10~40mm。
长度70~200mm。
2.3试样处理
2.3.1在化学纯芮酗中洗样去油。2.3.2用化学纯乙醇清洗20～30s后用电阻率大于10M2的去离「水冲洗。2.3.3在优级纯HF：HNO，-1：（3～5）体积的混合酸液中腐蚀2min。2.3.4在第份优级纯HF：HNO，=1：（3～5）的混合酸液中腐蚀2min。2.3.5用电阻率大于10M2的去离f·水冲洗试样至中性。2.3.6将试样经超声波或用去离于水多次煮沸，洗涤，烘，包装待用。国家标准局1983-12-20发布
198412-01实施
3仪器设备
内热式区熔炉。
籽晶制备
4.1籽晶规格
GB4060—83
细硅芯
不允许取样部位
电阻率大+26002.cm的P型<1l1>硅单晶。切成5mm×5mm×50mm。4.2籽晶处理
司2.3试样处理。
检验条件
5.1真空度
婴求送到1×104～1×10-hmmHg。5.2区熔速度及次数
先快速拉细次。然肩每次速度.0mm，minlx熔13次以上或者等效为得次速度0.5mm.min[x熔6次以。
5.3熔区高度
等检验棒直径。
5.4熔区行程
大于10个熔区。
5.5检验结果尺寸
直径10±2mm。
长度大于10个熔区。
5.6熔区处理
GB4060-
第二次、第三次未熔区都比前次下降一个熔区高度。从第三次起每次固定未熔区位置不变，挥发时间
熔区高度下载标准就来标准下载网
区熔速度
测试方法
6.1导电型号的测试
按照GB1550—79《硅单晶导电类型测定方法》中的规定进行测试。6.2纵向电阻率的测试
按照GB1551一79《硅单晶电阻率直流二探针测量方法》中的规定进行测试。7基硼电阻率的取值
硅多晶试样经区熔检验后要求全部成P型单晶。测试结果纵向电阻率曲线分布接近理论曲线（如图2）。取从第一熔区起到检验棒长的60%处的电阻率值为硅多晶的基硼电阻率值。p(2.cm)
附加说明：
本标准由中华人民共和国冶金工业部提出。本标准由峨半导体材料」‘负责起草。本标准主要起草人赵祖培。
小提示：此标准内容仅展示完整标准里的部分截取内容，若需要完整标准请到上方自行免费下载完整标准文档。
硅多晶真空区熔基硼检验方法
Polycrystalline silicon--Examinationmethod -- Vac uum zone-melting on boronUDC669.782:548
.2:543.06
GB 4060.-.. 83
本标准适用二氟氢硅及四氯化硅氢还原在细硅芯上沉积硅多晶所生长计来的硅多晶棒检测杂质浓度有效范围0.02~20ppbaP型电阻率范围500~100002·cm。1方法原理
1.1原理
利用硅区熔时硅中磷硼的有效分凝系数的差别及磷硼从硅中蒸发速率的差别。1.2方法
真空区熔法。
2试样制备
2.1取样部位
除在桥形硅多晶棒硅芯搭接处或者直的硅多晶棒离石墨卡头10mm-段外均可取样（如图1）。2.2试样尺寸
直径10~40mm。
长度70~200mm。
2.3试样处理
2.3.1在化学纯芮酗中洗样去油。2.3.2用化学纯乙醇清洗20～30s后用电阻率大于10M2的去离「水冲洗。2.3.3在优级纯HF：HNO，-1：（3～5）体积的混合酸液中腐蚀2min。2.3.4在第份优级纯HF：HNO，=1：（3～5）的混合酸液中腐蚀2min。2.3.5用电阻率大于10M2的去离f·水冲洗试样至中性。2.3.6将试样经超声波或用去离于水多次煮沸，洗涤，烘，包装待用。国家标准局1983-12-20发布
198412-01实施
3仪器设备
内热式区熔炉。
籽晶制备
4.1籽晶规格
GB4060—83
细硅芯
不允许取样部位
电阻率大+26002.cm的P型<1l1>硅单晶。切成5mm×5mm×50mm。4.2籽晶处理
司2.3试样处理。
检验条件
5.1真空度
婴求送到1×104～1×10-hmmHg。5.2区熔速度及次数
先快速拉细次。然肩每次速度.0mm，minlx熔13次以上或者等效为得次速度0.5mm.min[x熔6次以。
5.3熔区高度
等检验棒直径。
5.4熔区行程
大于10个熔区。
5.5检验结果尺寸
直径10±2mm。
长度大于10个熔区。
5.6熔区处理
GB4060-
第二次、第三次未熔区都比前次下降一个熔区高度。从第三次起每次固定未熔区位置不变，挥发时间
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区熔速度
测试方法
6.1导电型号的测试
按照GB1550—79《硅单晶导电类型测定方法》中的规定进行测试。6.2纵向电阻率的测试
按照GB1551一79《硅单晶电阻率直流二探针测量方法》中的规定进行测试。7基硼电阻率的取值
硅多晶试样经区熔检验后要求全部成P型单晶。测试结果纵向电阻率曲线分布接近理论曲线（如图2）。取从第一熔区起到检验棒长的60%处的电阻率值为硅多晶的基硼电阻率值。p(2.cm)
附加说明：
本标准由中华人民共和国冶金工业部提出。本标准由峨半导体材料」‘负责起草。本标准主要起草人赵祖培。
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