本标准规定了微电子技术用贵金属浆料中方阻的测定方法。本部分适用于微电子技术用贵金属浆料方阻的测定。 本标准是对ＧＢ／Ｔ１７４７３—１９９８《厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法》(所有部分)的整合修订，分为７个部分.本部分为ＧＢ／Ｔ１７４７３—２００８的第３部分。本部分代替ＧＢ／Ｔ１７４７３．３—１９９８《厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法 方阻测定》。本部分与ＧＢ／Ｔ１７４７３．３—１９９８相比，主要有如下变动：———将原标准名称修改为微电子技术用贵金属浆料测试方法 方阻测定；———增加低温固化型浆料方阻的测定方法；———原标准的原理中，“将浆料用丝网印刷在陶瓷基片，经过烧结后，膜层在一定温度及其厚度、宽度不变的情况下……”修改为：“将浆料用丝网印刷在陶瓷基片或有机树脂基片上，经过烧结或固化后，膜层在一定温度及厚度、宽度不变的情况下”；———测厚仪修改为：光切显微测厚仪用于烧结型浆料：范围为０ｍｍ～５ ｍｍ，精度为０．００１ ｍｍ。千分尺用于固化型浆料：范围为０ｍｍ～５ｍｍ，精度为０．００１ｍｍ。 GB/T 17473.3-2008 微电子技术用贵金属浆料测试方法 方阻测定 GB/T17473.3-2008 标准下载解压密码：www.bzxz.net

ICS 77. 120. 99
中华人民共和国国家标准
GB/T17473.3—2008
代替GB/T17178.8—-1998
微电子技术用贵金属浆料测试方法方阻测定
Test methods of precious metals pastes used [or microelectronics-Deterrnination of sheet resistance2008-03-31发布免费标准下载网bzxz
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会
2008-09-01实施
GB/T 17473.3—2008
本标准是对GB/T17473—1998厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法3（所有部分）的整台修订，分为7个部分：
法固体含量测定：
-GB/T17478,1—2008
8微电子技术用贵金屑浆料试方法CB/T17473.22008微电子技术用贵金屑浆料测试方法细度测定：
-心B/T17473.3—2008微电子技术用贵金浆料测试方法方阻测定；
-GB/T17473.4—2C08微电子技术用贵金属浆料测试方法附着力测试：GB/T 17473.5—2008
8微电子投技术用贵金属浆料测试方法粘度测定：
—GB/T17473.6-—2C08微电子技术用贵金属浆料测试方法分辨率泌定：-----GB/T17473.7—2008微电子技术用贵金属浆料测试方法，可焊性，板焊性测定
本部分为GB/T17473—2C08的第3部分。本部分代替GB/T17473.3-—1998厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法方阻测定》。
本部分与GB/T17473.3—1998相比：主要有如下变动：一将原标准名称修改为微电子技术用贵金属浆料汉试方法方阳测定；增加低避固化型浆料方阻的测定方法原标准的原理中，将浆料用丝网印刷在陶瓷基片，经过烧结后，膜层在一定温度及其厚度、觉度不变的情况下....\修改为.“将浆料用丝网印刷在陶瓷基片或有机树脂基片上，经过烧结或固化后，膜层在一定温度及序度，宽度不变的情说下”测厚仪修改为：光切显微测厚仪用于烧结型浆料：范固为0m1～5nm：精度为0.001nzm.T分尺用于固化型浆料：范围为 mI~5 mI.精度为 0. cO1 ml，本部分的阴录 A为规范性阴录。本部分由中国色金属工业协鑫疑出。本部分由全国有色金属标雅化技举委员会归口，本部分虫研铂业股份有限公司负责起草。本部分士要起草人：金勿，剿继松、李文琳、陈伏生、朱武勋、李晋。本部分所代替标准的历欲版本发布情况为：-GB/T17473.3-1958.
1范围
微电子技术用贵金属浆料测试方法方阻测定
本部分规定了微电子技术用贵金属浆料方阳的测试方法。本部分适用于微电子技术用贵金属浆料方阻的测定，2规范性引用这件
GB/T17473.3—2008
下列文件中的条款通过本部分的引用而成为本部分的条款。凡是注日期的引用文件：其随后所有的修改单【不包括勘误的内容)或修订版均不适月于本部分，然而，鼓励根捉本部分邀成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本部分，GB/T8170数值修约规则
，3方法原理
浆料用丝网印刷在陶瓷基片或有机树脂基片上，经过烧结或周化系，膜层在定温度及厚度、宽度不变的情况下，膜层它阻与膜层带的长度成正比，通过测量规定膜层长度的电阻.计算方阻。4材料
基片：度不小于95%的氧化铝或有机树脂基片，表面粗糙度为0.m～1.5μm（在双量距离为1m的条件下测量）
5收器与设备
5.1数字式电阻\\电压多用表
范围为100Q～10M0.分辨率为6位有效数字,可四线阅量。5.2超高阻绝续电阻测量收
范围为1×10-~1×10,精度为±2%。5.3测厚
5.3.1光切显微测厚仪
范围为 0 mm~5 mm,精度为 0. 001 mml5.3.2千分尺
范围为0mm~5mm,精度为0,oulmm
5.4丝网印刷机
5.5红外干燥箱
最高使用温度为300℃，控制温度精度为士5℃5,6隧道烧结炉
最高使用温度为1000℃.控制温度精度为士10℃。6测试步骤
实验环境要求：环境温度15℃35，相对凝度45为~75%，大气压力86kPa~106kPa。1
GB/T 17473. 3—2008
6.1将待测浆料搅拌均勾后取样,用孔径为74t1丝网印刷机将浆料印刷在基片上·烧结型装料用陶瓷基片,固化型浆料用有机树脂基片，印測6片6.2印制图形如图 1所示,试样长度方数为100方,膜宽为1 mm,1 mm×1mm为1方,电阻浆料需印烧电极。
6.3基片水平放置不少于 l min。6.4将陶瓷基片放入于燥箱中丁70℃～80℃燥，将7燥后的试样基片放入髓道炉中烧结，烧结温度根据浆料型号确定。基片取出层在测试环境下放置 4后测量。6:5将有机划胎基片于浆料固化温度下固化：基片取出后在测试环境下放置4h后测量。E
1—-印烧电板区，
2—电用量测点
异带测点
4——膜普.
图1电极膜带及测试点示意图
6.6根据试样估计阻值范围，选择电阻测量仪量程档位，在此过程下调黏零点。6.7将电鼠测量仪两电极分别改在测试样片膜层的两端点上，使之良好接触<接触点见图1)。低电阻采用四线量测。每个试样分别在正反电流方向下各测量3次，取6次读效的算术半均值作为100方电阻的测基值。
6.8在陶瓷基片烧结试样膜层上选择不同的位置，取不少于6点用光切显微测厚仪进行膜层厚度测量取其算术平比值作为膜厚测量值6.9在有机树脂固化试样膜层上选痒不同的位置，取不少于6点用电了干分尺进行膜层厚度测量，取其算术平均值作为膜厚测量值。7试验结果计算
7.1方阻的测试结果按式(1)进行计算：RR
式中：
R、——方阻值,单位为欧姆每方(α/);R-—100方电阻值单位为欧姆（）。7.2数值修约按心/T8170规定逃行，收两位有效数字。{1)
7. 3规定标准膜厚为10 μI,当测定的试样的膜厚不是本标准所规定的厚度时，可按附录A的式(A.1)进行算。
7.4若6个试样的测试数据中的可疑结果与其除外的平为值的差值的绝对值大于该组（不包括可疑结果}标雅娠差的4倍时，则舍弃该可疑结果：2
8试验报告
报告应包括以下主要内容：
试样名称：
浆料编号、牌号：
浆料批号；
试样膜厚；
测试结果及检测部门印章；
本标准编号；
测试人和测试日期。
CB/T17473.3—2008
GB/T 17473.3—2008
附录A
（规范性附录）
不同膜厚方阻的换算
根据材料电阻与电阻系数的关系可得如下关系，见式(A.1)：A.1
R=p号
式巾：
电阻，单位为欧姆()：
电阻系数，单位为欧姆毫米(·m);-膜带长度,单位为毫米();
膜带横截面积，单位为平方毫米（tmn）。A.2由式(A.1),根据方阻定义.浆料膜带的方阻为：R, -号 -P
即p=R
式中：
方咀值单位为欧姆每方(0/)；
膜厚度，单位为微米（μm)；
宽度，单位为微米（um）。
同一试样浆料的电阻系数应是定的、故由式（A.2)可得R,hy - R.h.
利用式(A.3)可对不同序度膜的方阻进行换算，对方阻进行比较标准号：GB/T17473.3-2008
价：13元
GB/T 17473. 3-2008
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