本标准代替ＧＢ／Ｔ１７４７３—１９９８ 《厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法》(所有部分)，本标准分为７个部分,本部分为ＧＢ／Ｔ１７４７３—２００８的第６部分。 本部分规定了微电子技术用贵金属浆料分辨率的测定方法。本部分适用于微电子技术用贵金属浆料的分辨率测定。 本部分代替ＧＢ／Ｔ１７４７３．６—１９９８ 《厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法 分辨率测定》。本部分与ＧＢ／Ｔ１７４７３．６—１９９８相比，主要有如下变动：———将原标准名称修改为微电子技术用贵金属浆料测试方法 分辨率测定；———增加了固化型贵金属浆料分辨率测定的内容；———原“光刻膜丝网网径２０?２５μｍ 不锈钢丝网”改为“光刻膜丝网，丝网孔径不大于５４μｍ”；———增加６．３将印有固化型的试样按其规定的工艺要求进行静置、烘干、固化，固化后试样膜厚控制在１μｍ～１５μｍ；———分辨率规格分级重新定义为０．１ｍｍ、０．２ｍｍ、０．３ｍｍ、０．４ｍｍ、０．５ｍｍ 五个级别。 GB/T 17473.6-2008 微电子技术用贵金属浆料测试方法 分辨率测定 GB/T17473.6-2008 标准下载解压密码：www.bzxz.net

ICS 77. 120. 99
中华人民共和国国家标准
GB/T17473.6—2008
代替GB/T17473.6—1998
微电子技术用贵金属浆料测试方法分辨率测定
Test methods of precious metals pastes used formicroelectronics-Determination of rcsolution2008-03-31发布
2008-09-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布
中国国家标准化管理委员会
GB/T 17473.6—2008
本标准代替GB/T17473—1998“厚膜微电了技术用贵金属浆料测试方法》（所有部分），本标准分为7个部分：
GB/T17473.1—2008
GB/T 17473.2—2008
-GB/T 17473,3—2008
固体含最测定；
微电了技术用贵金展浆料测试方运微电了技术用宽金属浆料测试方法细度测定；
微电子技术用贵金属浆料测试方法方阻测定；
-GB/T 17473.4---20C8
微电子长术用贵金满浆料测试方法附着力测试：
GB/T -7473.5—2008
粘度测定；
微电了技术用贵金属浆料测试方法GB/T 17473.6—2(G8
微电了长术用贵金属浆料测试方法GB/T 17473.7—2008
微电子技术用贵金属浆料测试方法木部分为GB/T17473—20G8的第6部分。分辨率测定：
可焊性,耐焊性测定。
本部分代替GB/T17473.6—1998厚膜微电丁技术用贵金属浆料测试方法分辨率测定》，
本部分与GB/T17473.61998相比，主要有如下变动：将原标准名称修改为微电了技术同贵金属浆料测试方法分辨率测定；下载标准就来标准下载网
增加了固化型贵金属浆料分辨率测定的内容：原\光刻膜丝网网径20-25Jrm不锈钢丝网\改为\光刻膜丝网，丝网孔径不大于54μ1\；增相6.3将印有固化型的试样按其规定的工艺要求进行静骨，烘干固化：固化后试样膜厚控制在1um-15m
分辨率规格分级重新定义为0.1mm.0.2mm.0.3mm.0.4mm.0.5mm亚个级则。本部分巾中国有色金属工业协会出，本部分由全国有色企居标准化技术委员会负责归口。本部分虫贵研铂业股份有限公司象克起草。本部分起草人;刘成，赵汝云，際茯至、马晓峰、刘继松.朱武融。本部分所代替标准的历次版本发布情况为！GB/T17473.6—1996
1范围
微电子技术用贵金属浆料测试方法分辨率测定
本部分规定了微电子技术用贵企属浆料分辨率的测定方法。本部分适用了微电子技术用贵企属浆料的分辩率测定。2规范性引用文件
GB/T 17473.6-2008
下列文件中的条款通过本部分的引用而成为本部分的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包抵勘误的内容）或修订版均不适用于本部分，然而，励根据本部分达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本，凡是不注口期的引用文件，其最新版本适用本部分，GB/T817G数值修约规则
3方法提要
浆料用丝网印刷成图形。图形按浆料正常使用时的条件烧结或固独婴求进行烧结或固化，用显微镜在一定的放大倍数下观察和测量图形的膜线竟度和线间距，送行势料分辨率的测定。4材料
4.1光膜丝网.丝网孔径不大于54μm，4.2符合不同浆料使用要求的基片，基片表面粗糙度不大于1.5um（在测距为10mm的条件下测量
5．仪器与设备
5.1丝网印刷机。
红外烘干机最高使用温度350℃，控温痛度士5℃。隧道式烧结炉，退高使用避度1 000℃，控温精度士10℃。5.3
5.4心热鼓风式烘箱，最高使用温度300℃，控温精度+5℃，读数显微镜，放大信数25X~100X，读数精度c,c1mm以上。5.5
5.6光切双序仪或电子于分尺，读数精度1μm以上。6测定步骤
测试在温度2CC~25C、相对湿度45%-~75%和大气压力86kPa~106kPa环境下进行6.1将样品搅拌均勾,不得引人杂质，用丝网印刷机在基片上印出图形，印刷图案为与表1的膜线宽度和线问距相等的五组4线条图形组成，6.2将印有烧结型浆料的基片水平改置5min：用红外烘于机在150℃~300℃的条件下烘，试样的烘下膜厚度控制在10μI1～35μI。将烘丁后的试样置于隧道烧结炉内，按紧料烧成摄度曲线设定炉温进行烧结，烧成膜厚度控制在5m1～25m。6.3将印有固化型浆料的试样按其规定的工艺要求进行置，烘干、固化，固化后试样膜厚控制在1μm~15μum。
CB/T17473.6—2008
6.4将烧结或固化后的试样置」显微镜台面上，调警日镜及物镜至图象清晰位置：转动显微镜下柄，从0.1mm线条至0.5mm线条之问，选择最先具有线条均匀连续和轮廊鲜明的一组线条作为测量对象。6.5转动显微镜刻度手柄.先后将显微镜内的十字坐标对准膜线两边侧.测量膜线宽度。6.6用同样的方法量线间距。
6.7测量精度为1.01 mm.膜线宽度及线间距见图 1。6.8对同-一浆料试样，每次测量的试样不少」6片。W
膜线宽度：
级向距。
图1膜线宽度及线间距示意图
测定结果计算
按式(1)和式(2)分别计算出每片试样线条组的膜线宽度平均值X。和线间距平均值Xg：X.-Wa+w.+W+w
武中：
膜线宽度平均值，单位为毫米(nm)；线间平均值，单位为毫米（mm)；膜线宽度测量值，单位为衰米(mm)；线间距测垃值，单位为毫米(mm)。7.2 数值修约按 GB/T 8170 的规定进行,取两位有效数疗7.3
分辨率规格见表1。
表 1分辨率规格
分辨率规格/mm
膜践宽度?mm
缆间距/am
7.4当6片试样全部达到同一规格时，即可确定该规格为被测浆料的分辨率，（2)
7.5当膜线觉度的平均值私线间距的平均值与表1相应规格的规定值的差值在110%以内时·方可确定为相随规格的分辩率，差值超过二10不时：视为低一级规格分辨率。7.6当6片试样中有1片或1片以上试样的规格低于其余试样的规格时·应重新进行测定，2
试验报告
报告应包括以下主要内容：
浆料名称、牌号和状态；
浆料批号；
试样编号；
检测结果及检测郭门印章；
本标雅号：
测试人及测试已期
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标准号：GB/T 17473.6-2008
价：13元
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中华人民共
国家标滩
微电子技术用贵金属浆料测试方法分辨率测定
GR/T 17473. 6—2008
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2008年6！第一版
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2008年6月第一改印例
13号: 155066 - 1-21525
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