本部分适用于电涌保护器元件(简称SPDC)的雪崩击穿二极管(ABD)。设计和制造的电涌保护器与低压配电系统、输电系统、通信网络系统相连。本部分中的试验规范适用于单个两端ABD。可将多个ABD 封装在一个管壳内作为单个二极管部件。这个部件中的每个二极管都可按本部分进行试验。本部分包含了一系列用于ABD 电性能的测试方法。本部分的测试方法用于验证或测量特定封装设计的ABD 的额定值和特性值。 GB/T 18802.321-2007 低压电涌保护器件 第321部分：雪崩击穿二极管(ABD)规范 GB/T18802.321-2007 标准下载解压密码：www.bzxz.net

ICS 29.080.99
中华人民共和国国家标准
GB/T18802.321—2007/IEC61643-321:2001低压电涌保护器元件
第321部分：雪崩击穿二极管（ABD)规范Components for low-voltage surge protective devices-Part 321:Specifications for avalanche breakdown diode(ABD)（IEC61643-321:2001,IDT）
2007-06-21发布
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会　
2008-02-01实施
GB/T18802.321-2007/IEC61643-321:2001目
1范围
规范性引用文件
术语、定义和符号·
雪崩击穿二极管的基本结构和说明工作条件
标准试验方法和程序
故障和失效模式
单向雪崩击穿二极管的结构、偏置状态和V-I特性钳位电压Vc、峰值脉冲电流Ip和额定正向电涌电流IpsM的测试电路最大工作电压VwM，待机电流Ip和最高工作电压有效值VwMms的测试电路(雪崩)击穿电压VBR的测试电路
正向电涌电压Vrs的测试电路
雪崩击穿二极管的降额曲线
过冲电压、响应时间、过冲持续时间图示曲线脉冲电流波形
GB/T18802.321—2007/IEC61643-321:2001前言
GB/T18802《低压电涌保护器（SPD)》系列标准的结构和名称预计如下：一低压配电系统用电涌保护器（SPD）第1部分：性能要求和试验方法（GB18802.1一2002IEC61643-1:1998);
低压配电系统用电涌保护器（SPD）第12部分：选择和使用导则；低压电涌保护器第21部分：电信和信号网络用低压电涌保护器（SPD)一1性能要求和试验
方法(GB/T18802.21—2004/IEC61643-21:2000)；低压电涌保护器第22部分：电信和信号网络用低压电涌保护器（SPD)一选择和使用导则；
低压电涌保护器元件第311部分：气体放电管（GDT)规范；一低压电涌保护器元件第321部分：雪崩击穿二极管（ABD）规范（GB/T18802.321一2007/IEC61643-321:2001);
低压电涌保护器元件第331部分：压敏电阻（MOV)规范；低压电涌保护器元件第341部分：电涌抑制晶闸管（TSS)规范，本部分等同采用IEC61643-321：2001《低压电涌保护器器件雪崩击穿二极管规范》。在技术内容和文本结构上与IEC61643-321：2001相同。IEC61643-321：2001规范性引用文件中所列标准虽然有些部分已被转化为我国国家标准，但转化程度复杂，不便引用，所以本部分仍使用了IEC标准。为方便使用，本部分做了以下编辑性修改：a）用小数点“.\代替作为小数点的逗号‘，'；b）删除国际标准的前言。
本部分由中国电器工业协会提出。本部分由全国避雷器标准化技术委员会(SAC/TC81)归口。本部分起草单位：西安电瓷研究所、西安电力电子研究所。本部分主要起草人：桑建平，秦贤满，祝嘉喜，邵晓萍。I
1范围
GB/T18802.321—2007/IEC61643-321:2001低压电涌保护器元件
第321部分：雪崩击穿二极管（ABD）规范本部分适用于电涌保护器元件（简称SPDC)的雪崩击穿二极管（ABD)。设计和制造的电涌保护器与低压配电系统、输电系统、通信网络系统相连。本部分中的试验规范适用于单个两端ABD。可将多个ABD封装在一个管壳内作为单个二极管部件。这个部件中的每个二极管都可按本部分进行试验。本部分包含了一系列用于ABD电性能的测试方法。本部分的测试方法用于验证或测量特定封装设计的ABD的额定值和特性值。
2规范性引用文件
下列文件中的条款通过本部分的引用而成为本部分的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本部分，然而，鼓励根据本部分达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本部分。IEC60068环境试验（所有部分）IEC60364建筑物电气装置（所有部分）IEC60364-3：1993建筑物电气装置第3部分：总体特性评估
IEC60721环境条件分类（所有部分）IEC60747-2：2000半导体器件分立器件和集成电路第2部分：整流二极管IEC60749：1996半导体器件机械和气候试验方法3术语、定义和符号
下列术语、定义和文字符号适用于本部分：注：本章定义适用于SPDC的ABD，它具有对称的和不对称的电压一电流(V-I)特性。本章定义针对单向器件而言（见图1)，如果考虑双向ABD，第三象限的有关定义则适用于在V-I特性曲线的两个方向。3.1
avalanchebreakdowndiodeABD
雪崩击穿二极管
用于抑制瞬态电压和分流电涌电流的器件。也可以是由多个器件封装而成的具有一个公共端子的两端二极管。
钳位电压clampingvoltage
施加规定波形的峰值脉冲电流Ipp时，ABD两端测得的峰值电压。注：由于发热、反作用力或其他影响，峰值电压和峰值脉冲电流不必在时间上位置重合。也用Vc表示。3.3
额定峰值脉冲电流
ratedpeakimpulsecurrent
可施加的不引起二极管失效的峰值脉冲电流Ipp的额定最大值。注：除另有规定外，用于二极管特性的冲击波形为10/1000μs。1
GB/T18802.321--2007/IEC61643-321：20013.4
Emaximumworkingvoltage
最高工作电压
最高直流电压maximumd.cvoltage可连续施加而不引起ABD劣化或损环的最高工作峰值电压或直流峰值电压。对于交流电压，用最高工作电压有效值VwM表示。
注：也用VRm（额定最大值)表示，也称为额定截止电压。3.5
stand-bycurrent
待机电流
在规定温度和最高工作电压条件下，流过ABD的最大电流。注：对于反向漏电流，也用IR表示。3.6
(雪崩)击穿电压
（avalance）breakdownvoltageV-I特性曲线上，在规定的脉冲直流电流Ir（或IDR)或接近发生雪崩的电流条件下，ABD两端测得的电压。
capacitance
在规定频率和偏压条件下，测得的ABD两端的电容。注：也用C表示。
额定峰值脉冲功率
ratedpeakimpulscpowerdissipationPpPM
（额定）峰值脉冲功率是额定峰值脉冲电流IpPM和钳位电压Vc的乘积。PrPM=IrrM×Vc
注：也用Pp表示。
额定正向电涌电流ratedforwardsurgecurrentIpsM
不使器件失效的8.3ms或10ms正弦半波的最大峰值电流。（本定义仅适用于单向ABD)3.10
正向电涌电压
Eforwardsurgevoltage
在规定的正向电涌电流IFs条件下，ABD两端测得的峰值电压。（本定义仅适用于单向ABD）注：也用V表示。
击穿电压温度系数
temperaturecoefficientofbreakdownvoltageavgR
击穿电压VBR变化量与温度变化量之比。注：表示为毫伏每开尔文或百分率每开尔文(mV/K或%/K)。2
温度降额temperaturederating
GB/T18802.321-2007/IEC61643-321:2001超过规定的基准温度时，峰值脉冲电流或峰值脉冲功率的减少数额。注：用电流或功率的百分比表示。3.13
热阻thermalresistance
RJA、RJC、RJL
每单位输入功率引起的结温对环境、管壳或引线端子的温升。用开尔文每瓦(K/W)表示。3.14
瞬态热阻抗transientthermalimpedanceZA、ZaC、ZuL
在个时间区间终点的等效结温与规定基准点或区域（环境、管壳或引线）温度之差，除以引起这个温差的在该时间区间起点按阶跃函数的变化的耗散功率。注：热阻抗用开尔文每瓦(K/W)表示。3.15
额定平均功率ratedaveragepowerdissipationPMAV
在规定的电流和温度条件下，器件承受重复脉冲而不致失效的平均耗散功率。3.16
过冲峰值电压peakovershootvoltageVos
给定视在波前时间小于或等于10μs的电流所引起高于器件钳位电压Vc的电压。注：对于10/1000μs的电流波，这个值可表示为钳位电压Vc的百分数。3.17
脉冲直流试验电流pulsedd.c.testcurrentIr
测量击穿电压VBr的试验电流。该电流值由制造商确定，通常以脉冲持续时间小于40ms的毫安级电流给出。
注：也用IgR表示。
峰值脉冲电流peakimpulsecurrentIpp
用于测定钳位电压Vc而流过ABD的具有规定波形的峰值脉冲电流。4雪崩击穿二极管的基本结构和说明雪崩击穿二极管(ABD)的基本形式是由一个阳极区(P)和一个阴极区(N)组成的单一半导体PN结（见图1a)）。在直流应用中，ABD以反向偏置的方法使用，即阴极(N)侧为正电位（见图1b)）。当施加电压V。高于PN结的（雪崩）击穿电压VBr时，ABD开始导通大于待机电流Ip的电流。当出现瞬态电压冲击时，ABD将这个电压限制到预定值。ABD的主要用途是抑制瞬态电压和分流电涌电流。由于封装，ABD的特性可能不同，这里只列出设计用于电涌保护器中需要选择的那些二极管参数。特殊用途时，对其他参数的选择可能也是重要的，但在此不列出。
ABD可以是多个二极管封装到一个管壳里的结构。为获得要求的SPDC的特性或额定值，也可采用包含多个ABD芯片串联或并联的复合二极管结构。这种结构的ABD仍被当作单个的SPDC。封装GB/T18802.321—2007/IEC61643-321:2001在一个管壳单多个（PN)结也能作为多个独立的ABD用于多路保护中，因此其中的每个二极管都应按本部分进行试验。
当反向偏置时，ABD有两种工作模式：待机（高阻抗)或钳制（相对的低阻抗），（见图1c)的第三象限）。在待机状态下，流过ABD的电流叫待机电流。该电流的大小随结温（或环境温度）而变化。在ABD的电压一电流(V-I)特性中，由高阻抗(待机)向低阻抗（钳位)转变是雪崩击穿的开始。这种导通状态下，二极管会流过一个很大的瞬态电流，并保持一个高于半导体结击穿电压而又相对较低的钳位电压。图1是单向ABD。ABD可以是单向的，或者是双向的。双向ABD在第一象限和第三象限极性相反，特性相似。
图1c)中，第一象限的V-I曲线是单向ABD正向偏置状态(半导体结P侧施加正向电压）。这种状态下，单向ABD与正向PN结二极管有着相似的特性。正向时钳位电压较低，瞬态电流很大。然而，在规定波形的瞬态大电流条件下，正向电压会很高。这个电压依赖于结面积和基区半导体材料的电阻。击穿电压随结温或环境温度呈线性变化，故用击穿电压温度系数来描述该电压。通常在25℃测量钳位电压，可用半导体击穿电压温度系数来确定其他环境温度时的击穿电压。N
a）结构
雪崩参数：
最高工作电压；
待机电流；
钳位电压；
击穿电压；
峰值脉冲电流；
额定峰值脉冲电流；
脉冲直流试验电流
第三象限
正向参数：
c）V-I特性
正向电通电压：
正向电涌电流；
额定正向电涌电流。
注：对于双向ABD,其第三象限的V-I特性与第一象限的相同。b）偏置状态
第一象限
图1单向雪崩击穿二极管的结构、偏置状态和V-I特性4
5工作条件
正常工作条件如下：
GB/T18802.321—2007/IEC61643-321:2001大气压力：86kPa～106kPa（IEC60749和IEC60721）。环境温度：户外：一40℃~+85℃户内：-20℃～+70℃（IEC60364）。-太阳或其他辐射（IEC60364-3）。正常温度条件下的相对湿度（IEC60068）。-户内相对湿度不大于90%，或按其他规定。若SPDC暴露在非正常工作条件下，在设计和使用ABD时，需要特殊考虑并宜提醒制造商注意。由制造商提出其他需考虑的，如：二极管最高连续（工作)电压、峰值冲击功率或（温度）电流降额、峰值脉冲电流额定值、瞬态重复额定值、抗溶性、可焊性和可燃性。6标准试验方法和程序
6.1标准型式试验准则
特性参数是ABD固有而可测量的参数。额定值参数是确定ABD的极限能力或极限条件的量值。6.3至6.19的测试给电涌保护器（SPD)选择器件提供了ABD规定参数的标准测试方法。这些参数会因器件不同而改变，故有必要对SPD选择的所有器件进行测试。双向ABD的正向电压和反向电压均应测试。
6.2测试条件
除另有规定外，6.3至6.19要求在器件上进行测试的环境条件应为：温度：25℃±5℃。
相对湿度：小于85%。
大气压力：86kPa106kPa(IEC60749)。注：由于这些测试中要用到电压和能量，所有测试宜考虑其危险性，操作时宜足够小心。6.3钳位电压Vc（见图2)
电路组成：
充电电源；
充电电阻；
充电开关；
调波脉冲电容器；
脉冲放电开关；
调波脉冲电感器；
观测电流和电压的示波器；
调波冲击及限流电阻；
调波冲击电阻；
感应电流电阻(同轴)。可选用；电流互感器或适当变比的探头；受试器件(ABD)；
峰值电压表。
注意：给出的电路仅仅是一般说明，应按高频大电流测量技术的要求进行测试，如：采用四点开尔文式接点、差分式示波器、缩短引线等
图2钳位电压Vc、峰值脉冲电流Ipp和额定正向电涌电流IrsM的测试电路5
GB/T18802.321—2007/IEC61643-321:20016.3.1本测试的目的是在规定波形和幅值的脉冲电流Ip条件下，测定ABD的电压保护能力。除另有规定外，器件应在两种电压极性下测试。6.3.2为验证伏安特性曲线，应测量两个电流值的钳位电压。钳位电压峰值和试验电流峰值不必在时间位置上一致。无特别要求时，应采用10/1000μs(或8/20μs)波形的Ipp和0.2Ipp的试验电流。6.4额定峰值脉冲电流IppMr（见图2）本测试的目的是验证符合ABD的设计规定的不使器件失效的冲击电流值。应采用10/1000μS(或8/20μs)的电流波形，验证该器件承受多次峰值脉冲电流额定值。冲击电流应每45s施加次。对于对称性器件，每种极性应以施加10个连续脉冲进行试验。失效判据应按第7章的规定。6.5最高工作电压Vwm和最高工作电压有效值VwMrms（见图3）本测试的目的是验证在规定的温度范围内，可施加在ABD两端而不引起失效的最高电压。该电压是由制造商规定的ABD最大待机电流来确定的。额定工作电压有效值只适用于对称双向ABD。DUbZxz.net
电路组成：
PS—可调直流电压源（如果是交流试验，则为交流电压源）；A
直流微安表(如果是交流试验，使用交流微安表)；受试单向器件：
受试双向器件；
数字电压表（如果是交流试验，则用示波器）。图3最大工作电压VwM，待机电流Ip和最高工作电压有效值VwMrms的测试电路6.6待机电流I（见图3）
本试验的目的是验证在制造商规定的温度条件下，ABD的待机电流水平。最高工作电压VwM应由易调的直流电源产生并施加在器件两端。待机电流应在施加电压至少10ms后即导通稳定后测量。6.7（雪崩）击穿电压V（见图4）6.7.1应在规定的脉冲直流电流和温度条件下对ABD进行测试。施加试验电流IBR或Ir的时间应小于400ms。
6.7.2VBR按规定试验电流时的最小电压的范围给出。无特别要求时，推荐试验电流IBR或Ir为1mA。低电压器件或大功率器件可规定较大的试验电流。DUT
电路组成：
脉冲恒流源；
受试双向器件；
受试单向器件；
数字电压表。
图4（雪崩）击穿电压VBR的测试电路6.8电容C
GB/T18802.321—2007/IEC61643-321:2001本试验的日的是测定ABD两端的电容。应在规定的正弦频率和偏压条件下测量ABD规定两端的电容。对于多端子，每对端子的电容应依次测量。应排除所有非试验端子的电容对测量的影响。无特别要求时，建议采用频率为1MHz，有效值等于或小于0.1V,直流偏压为0V的信号。6.9额定峰值脉冲功率PpPM
本试验的目的是在规定的试验条件下验证ABD的功率额定值。该额定值是制造商对每种产品给出的。该参数需要施加额定峰值脉冲电流IpPM和测量钳位电压Vc。峰值脉冲功率定义为峰值脉冲电流和钳位电压之积。应试验足够数量的器件以及按6.3和6.4测量电压一电流特性，以得到期望而在可信范围内的统计性分布。
6.10额定正向电涌电流IsM(见图1c)）本试验的目的是在符合统计表示的可靠度水平内，验证ABD承受10ms8.3ms)单次正弦半波最大峰值电流。将单向器件反向，按图2进行试验。电涌电流施加在ABD的正向上。（见图1c）V-I特性曲线第1象限）
6.11正向电涌电压Vs（见图5）
ABD正向流过10ms(或8.3ms)单次正弦半波最大峰值电流IpsM时测得的正向峰值电压。对于单向ABD，正向电涌电流IFs是二极管正向流过的电流。P
电路组成：
P—脉冲恒流源；
V-—数字电压表；
DUT——受试器件；
A——安培表。
6.12击穿电压温度系数αy
图5正向电涌电压Vrs的测试电路击穿电压温度系数是指击穿电压VBr变化量与温度变化量之比。它随器件的不同而改变。但ABD的这个特性与功率额定值无关。当超过温度范围工作时，应考虑该参数。超过温度范围时，击穿电压和最大钳位电压会发生变化，该变化可表示为电压温度系数。若击穿电压超过5V，该参数总为正值。VaR(肽验温度) -V BR(基准温盘) × Tavx
式中：
VBR(基准温度）
T(试验时) T(基准)
击穿电压温度系数，单位为百分率每开尔文(%/K)；T基准温度—
实际环境温度（25℃士3℃），单位为开尔文(K)；T试验时一
一测量时的最高温度，单位为开尔文(K)。6.13温度降额（见图6）
温度降额是描述高于规定温度时，峰值脉冲功率或峰值脉冲电流随温度的升高而变化。功率降额适用于峰值脉冲功率和稳态（平均）功率两种情况。试验方法见IEC60747-2：2000。7
GB/T18802.321-2007/IEC61643-321：20016.14热阻RJA或RaJc或RIL
热阻是热流从半导体结向管壳，引线或环境空气流动的阻力的量度。热流以辐射、自然或强迫对流，或通过材料传导的方式发生。每种器件的热特性由制造商提供。本测试的目的是在恒定的电压和电流条件下，测量器件结每单位功率的结-管壳或结-环境的温升。a）测试结功率时，要求保持结温恒定，用事先校准的热敏电气参数，如规定的正向电流的正向电压蓝视，当器件管壳或环境温度按规定的一定量变化时，测量结功率。b）
当规定的器件管壳或环境温度恒定时，结功率以一定量发生明显变化时测量结温。（用事先校准的热敏电参数，正向电压表示）6.15瞬态热阻抗ZuJA或ZuJc或ZJL瞬态热阻抗是在规定的脉冲功率持续时间内测定ABD的承受脉冲功率的能力。目的是测量器件的结和基准点（如ABD管壳或环境）之间的瞬态热阻抗。试验方法见IEC60747-2：2000的2.2.3。100
说明：
T (Ppm)
T。-降额的起始温度；
Te(PurA)
TI——功率或电流为零，或降至最小值的温度。Ruav/%
注：额定峰值脉冲功率PpPM或额定峰值脉冲电流IpPM以T。时额定值的百分比（%）表示。图6雪崩击穿二极管的降额曲线
6.16额定平均功率PM(AV)
为ABD有可靠的长寿命而限制温度，制造商应提供额定平均功率参数。该参数与两个条件有关：a）瞬时通过材料(结)的平均电流，通常以占空比来说明；b）制造商推荐的器件到环境、引线和(或)安装的散热器间的热阻值。6.17过冲峰值电压Vos（见图7）过冲峰值电压是峰值电压V与ABD钳位电压Vc之差，如图7所示。试验条件和电路与钳位电压试验相同（见6.3和图2）。
注：为确保准确测量受试器件的过冲峰值电压，所有与设备的连线和受试器件的引线都要尽可能的短。过冲峰值电压值随冲击的波前时间、导线以及ABD的引线长度而变化。电路阻抗不匹配引起紧接过冲电压后的震荡会影响过冲峰值电压值。
6.18过冲持续时间（见图7)
过冲持续时间是过冲电压V1渐变到钳位电压Vc的时间（t3一t），试验条件和电路与钳位电压试验的相同（见6.3和图2)。
6.19响应时间（见图7）
响应时间是ABD响应峰值脉冲电流Ipp波前时间的能力。是从时间零点t。至峰值电压t1的时间，见图7，脉冲电流波形见图8。试验条件和电路与钳位电压试验的相同（见6.3和图2）。8
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