本空白详细规范规定了制定“变容二极管”详细规范的基本原则，制定该范围内的所有详细规范应与本空白详细规范一致。本空白详细规范是与GB4589.1－89《半导体器件 分立器件和集成电路总规范》和GB12560－90《半导体器件 分立器件分规范》有关的一系列空白规范中的一个。 GB/T 15178-1994 变容二极管空白详细规范 GB/T15178-1994 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国国家标准
变容二极管空白详细规范
Blank detail specification forvarlable capacitance diodes
GE/T 15178—94
本空白详细规范规定了制定“变容二极管”详细规范的基本原则，制定该范围内的所有详细规范应与本空白详细规范一效。
本空口洋细规范是与GB4589.1—89《半导体器件分立器件和集成电路总规范和GB12560-90《半导体器件分立器件分规范》有关的系列空白规范中的一个。要求资料
下列所要求的各项内容，应列人规定的空栏中。详细规范的识别
（1）授权发布详细规范的标准化机构名称，（2）IECQ详细规范号。
（3）总规范号和版本号。
（4）详细规范号，发布月期和国家体系要求的任何更多资料。器件的识别
（5）器件类型的简略说明。
(6）典型结构和应用资料。
如果设计一种器件满足几种应用。则应在详细规范中明确指出。这些应用的特性、极限值和检验要求均应予以满足。
（7）外形图和(或)引用有关的外形标准。（8）质量评定的类别。
（9）能在器件型号之间比较的最重要特性的参考数据。国家技术监督局1994-08-20批准1995-04-01实施
授权发布详细规范的标准化机构名称评定器件质量的依据：
GB 4589.1—89半导体器件
电路总规范》
GB/T15178—94
分立器件和集成
GB12560—90g半导体器件分立器件分规范》详细规范：
[有关器件的型号］
订货资料：见本规范第7章
1机械说明
外形标准：
GB7581—87&半导体分立器件外形尽寸》外膨图：
[可以转到本规范的第10章或给出详图］引出端识别：
[图形所示电极的规定包括图示符号]标志：亨母和图形或色码
［见B4589.1的2.5条和（或)本规范的第6章
极性识别：「如采用特殊的方法则应说明［IECQ详细规范、版本号和（或》日期］详细规范号
简略说明
半导体材料：硅/砷化镓.
封装空腔或非空腔
功率：环境额定温度(Tamb）下
用途：调谐、调频、参放或赖段转换等质量评定类别
[根据GB 4589.1的2.6条]
参考数据
已按本详细规范鉴定合格的生产」‘的有关资料见合格产品一览表。(2)
「整个空白详细规范中，在方括号内给出的内容仅供指导制订详细规范时使用，而不包括在详细规乾中
整个规范中：
×，表示应填入详细规范的数值。4极限值(绝对最大额定值)
GB/T 1517B94
除非另有规定，这些极限值在整个工作溢度范围内适用。［只重复使用带有标题的条文号。任何附加数值在适当的地方给出。但没有条文号］。曲线最好在本规范的第10章给出。］条文号
电特性
工作环境温度
贮存溢度
最人反向直流电压
最小值
最大值
检验要求见本规范的第8章，
在本规范和检验节中标明“适用时\的那些特性，或省略，或如有规定则应进行测试。［只重复使用带有标题的条文号。任何附加特性在适当的地方给出，但没有条文号。］【当在同一详细规范中包括几种规格的器件时，有关的数值应以连续的方式给出，以避免相同值的重复。
L曲线最好在本规范的第10章给出。］条文号
特性和条件
除非另有规定,T=25
规定反向偏压和频率下的总电容适用时
总电容和偏压间典型关系曲线或反向偏压与结电容的数学关系表示式（见第10章）在规定的反向偏压V和Va(V或电容变化指数
适用时给出相对于5.1.2条曲线的跟踪误差值，并应在规定的温度和规定的反向偏压下进行
适用时
整个工作温度范用和工作电压范围内的电容溢度系数
或给出其曲线（见本规范第10章）注：1）适用时。
最小值
最大值
试验分组
条文号
6·标志
GB/T 15178--94
特性和条件
除非另有规定，Tmb-25℃
规定反向偏压下，一个或多个额率上的最小有效Q值
或规定电容和频率下的最大申联电阻规定反向电压下(最好取高的电压)的反向电流最大值
规定反向电压和高温下的反向电流最大值正向电
在规定的电流下
最小值
最大值
试验分组
除了前面（7)栏和（或)GB4589.1的第2.5条所给出的外，任何其他特殊资料应在这里规定。7订货资料
[除非另有规定，订购一种具体的器件至少需要以下资料：准确的型号
当有关时，带版本号和(或)口期的 IECQ详细规范号。质量评定类别（如果要求，按GB12560的3.6条的筛选顺序）。任何基地细节，
8试验条件和检验要求
[在下表中，给出试验条件和检验方法，其中所用数值和确切的试验条件，应按照给定的型号的要求.和按GB6570《微波二极管测试方法》及GB4937《半导体分立器件机械和气候试验方法》的有关规定。」当在间详细规范中包括几种规格的器件时，有关条件和（或）数值应以连续的方式给出，其中尽可能避免相同茶件和（鼓）数值的重复]。除非另有规定，在本节中引用的条文号对应于GB 4589.1的条文号。［抽样要求，按照适用的质量评定类别，参照或重述GB12560的3.7条的数值。对于 A组，在详细规范中选择 AQL或 LTPD方案。全部试验都是非破坏性的(3.6.6)。检验或试验
A1分组
外部目检
A24分组
不工作器件
A2b分组
反向电流
总电容
电容比或
电容变化指数
限踪误差
(适用时）
电容温度系数
（适用）
A3 分组
有效Q值或
联电瓶
注，1)适用时。
GB/T15178---94
表 1 A组~
引用标准
GB 6570
GB 65703. 5
GB 65703.5
GB6570
G3 65705.10
CB6570
GB 65708.4
除非另有规定，
Tm =- 25 ℃
见GB45B9.1的第4章）
Ve= 姚定值
VR一规定值
一规定值
在规定的 Vri 至 VR2 范
围内,Vra>V,f=规
在规定的V至VRi范
E按规定]
Yu一规定值，规定
值（1个或多个）
规茶件下
最小值
检验要求
极性期倒
最大值
V>[1oVma]
或Ia≥1001Rmex
[除非另有规定]
GB/T15178-94
表2B组
（对【类的要求，见GB4589.1的2.6条）只有标明(D)的试验是破坏性的(3.6.6)。检验或
BI分组
133分组
引出谢强度
引线曲([))
(适用时)
R4 分组
可性(I))
（适用时）
B5分组
温度变化
继之以
交变湿热(D)
（对非空腔器件）
最后测试：
反向电流
总电容
或密卦
（对空腔器件）
B8分组
电耐久性
最后测试：
反向电流
总电穿
CRRL分组
引用标准
GB 19372. 1.2
GB 49372.2.1
CB 49373. 1
GB 2423.4
GB49373.7
G34938
除非另有规定，
T.mb=25℃
LSL一A组规范的下限值
USL—A组规范的上限值下载标准就来标准下载网
检验要求
极限值
最大值
(见 GB 4589. 1 的第 4 章)
「按规定
[接规定：优先采用焊槽法】
E按规定]
［按规定］
按A2b分组
按 A2b 分组
【按规定】
168 h商源反偏
按A2h分组
按A2b 分组
就 B3,B4,B5 和 B8 分组提供计数检查结果最小值
见本规范第1章
无损坏
润禄良好
只有标明(D)的试验是破坏性的(3.6. 6)。检验试验
C1分组
C2b分组
反向电流
C3分组\
引出端强度
拉力(D)
或弯力矩(D)
（对金属陶瓷封装同
轴器件）
4分组
(适用时）
耐焊接热()
最后测试：
反向电流
总电容
C6分组1
（对空腔器件）
机械冲击或振动
维之以
恒定加速度
最后测试：
反向电流
总电容
C7 分组
(对非空腔器件）
稳态湿热(D)
或湿热循环(D)
最后测试,
同BB分组
GB/T 15178—94
表 3组-
引用标准
.1. 2. 2
GB 49372.1.1
附录A
GB 49372.2.2
除非另有规定，
Tmb= 25 ℃
(GB 4589.1的第4章）
Vr二规定值
T.m=规定的高温
［按规楚］
【按规定】
[接规定]
按A2b分组
按A2b分组
GB 49372. 4或 2.3「按规定］
［按规定］
按A2b分组
按A2b分组
GB49373.5
GB 2423. 4
［按规定】
［按规定”
检验要求
极限值
最小值录大值
见本规范第 1 章
无摄坏
同B8分组
检验或试验
CB分组
电耐气性
最后测试：
同B8分组
Co分组
高温存(D)
最后测试：
同B8分组
CRRL分组
GB/T 15178—94
续表3
引用标准
除毕另有规定，
Tarab =25 C
(GB 4,5x9. 1 的第 4 章)
GB4938
G349373.2
高温反偏,至少 1 000 h
在最高贮存盟度下至少 1 000 h捡验要求
极限储
最大值
最小值
同8分组
同B8分组
就C3.C5,CG.C8和C9分组提供计数效查结果。提供CB分组试验前后的计量检查结果社：1)对超小型器件不要求。
9D组检验
当要求时，本试验应在详细规范中规定(只供鉴定批准用)。10附加资料（不作检验用）
[只要规范和器件使用需要，就应给出附加资料，例如：和极限有关的癌度降额曲线：
测试电路或补充方法的完整说明；详细的外形图。
A1目的
GB/T 15178—94
附录A
弯力矩试验方法
（补充件）
本试验是为广检验金屑一附瓷封装同轴型器件的抗弯曲能力和金属一陶瓷封装的质星。A2
弯力矩试验需要固定器件的适当夹具和规定的重物。A3试验方法
将器件电极一端固定在支持器上，在另一-璐沿与轴线垂直方向上无冲击地感挂规定的重物。在加力短后支持器以器件轴线为轴心旋转三周。A4最终测量
试验后.放人3～10倍进行检查。如果电极和瓷之间出现断裂、松动和相对移动等任何迹象，器件应判作失效。
A5有关规范中应给出的数据
对器件所加弯力矩的数值。
附加说明：
本标准由中华人民共和国电子工业部提出。本标准由全国半导体器件标准化技术委会归口。本标准由电子工业部标准化研究所负资起草。本标准主要起草人金贵永、沈继昌、吴连，本标准实施之日起，原中华人民共和国电于工业部部标准SJ2606-1-85《调谐变穿二极誉空白详细规范》废止。
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