本规范规定了半导体集成电路塑料四面引线扁平封装引线框架的技术要求及检验规则。本规范适用于半导体集成电路塑料四面引线扁平封装(PQFP)冲制型引线框架。 GB/T 15876-1995 塑料四面引线扁平封装引线框架规范 GB/T15876-1995 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国国家标准
塑料四面引线扁平封装引线框架规范Speclrication of leadframes for plastic quad flat package1主题内容与适用范围
GB/T15876—1995
1.1本规范规定了半导体集成电路塑料四面引线扇平封装引线框架（以下简称引线框架的技术要求及检验规则。
1.2本规范适用于半导体集成电路塑料四面引线扁平封装（PQFP)冲制型引线框架。塑料四面引线扁平封装刻蚀引线框架也可参考使用。2 引用标准
GB7092—93半导体集成电路外形尺寸GB/T14112一93半导体集成电路塑料双列封装冲制型引线框架规范GB/T14113—93半导体集成电封装术语SJ/Z9007—87计数检查抽样方案和程序3术语，符号、代号
本规范所用术语、符号和代号按GB/T14113的规定。4技术要求
4.1设计
引线框架的外形尺寸应符合GB7092的有关规定，并符合引线框架设计的要求。4.1.1引线键合区宽度
4.1.1.1最小引线端宽度，应按供需双方协议。4.1.1.2扁平引线最小键合区，宽为标称引线宽度的80%，长为0.635mm。4.1.2精压和金属间齋
4.1.2.1精压深度最小精压深度为0.013mm，最大精压深度为材料厚度30%（仅对冲制型框架）。4.1.2.2对于冲制型框架，其图纸上标明的尺寸为精压前尺寸。4.1.2.3金满与金属的间应受金属间隙的要求限制（引线框架各内引线之间，内引线与芯片粘接区之间>，每边最大精压凸出不超过0.051mm。金属的间，应按供带双方协议。4.2引线框架形状和位置公差
4.2.1内引线扭曲不得超过3°30°，或每0.254mm的引线宽度上最大偏移不得超过0.015mm。4.2.2芯片粘接区斜度和平整度
4.2.2.1斜度
a，在未打凹条件下，每2.54mm长或宽尺寸最大倾斜0.025mm，b。在打凹状态下，在长或宽每4.06mm尺寸最大倾斜0.051mm.当测试角到角的倾斜时，总共最国豪技术监督周1995-12-22批准1996-0B-01实靠
大不得超过0.1mm。
4.2.2.2平整度
GB/T15876—1995
从中心到四个角的中点进行测量时，每2.54mm芯片粘接区长度内不超过0.005mm。拐角处规定为距边0.127mm处测量。
4.2.3引线框内部位置公差
所有引线框架的特征中心线相对于边框上定位孔中心线实际位量公差，应在0.051mm之内。.4. 2. 4侧弯
在整个标称条带长度上不超过0.051mm。4.2.5老曲
引线框架条带长度方向上卷曲变形小于0.51mm，4.2.6横弯
横弯尺寸应符合表1的规定，
52~100
132~164
196244
4.2.7框架扭曲
在标称条带长度上框架扭曲不超过0.51mm。4.2.8精压引线端共面性
横李（最大值）
在相对于芯片粘接区中心位置的Z基准面上测量或按GB/T14112 附录A测试方法进行测量，共面性应在下列公差范围内：
44~52条引线，±0.1mm
64~100茶引线：士0.15mm
120~232条引线t±0.2mm
4.3引线框架外观
4.3.1毛刺
在框架任何部位.所有垂直毛刺和水平毛刺不得超过0.025mm。4.3.2凹坑和压痕
4.3.2.1在功能区和外引线上不应有深度超过0.008mm及长度超过0.013mm的凹坑和压痕。4.3.2.2在非功能区内，凹坑和压癌深度不应超过0.025mm，长度不应超过0.051mm，4.3.3表面缺陷
无镀层部位呈金属材料本色，无锈蚀、发花等缺陷。4.4引线框架镀层
4.4.1镀层厚度
4.4.1.1引线框架局部键金层厚度不小于1妞。4.4.1.2引线框架局部镀银层厚度不小于3.8μm。4.4.2镀层外观
镀层表面应致密、平滑、色泽均匀呈镀层本色，不允许有起皮、起泡、沾污、斑点、水迹、异物、发花等缺陷。应无明显污点、脱落或键层漏镀，无贯穿馈层的婚痕。4.4.3镀层耐热性
GB/T 15876—1995
镀层经高温试验后应无明显变色，不允许起皮、起泡、落、发花、斑点等缺陷，4.4.4镀层键合强度
引线框架引线键合区应易于键合，键合强度大于40mN。4.5引线框架外引线强度
引线框架的外引线经李曲试验后不应出现断裂。5检验规则
5.1检验批的构成
个检验批可由一个生产批或符合下条件的几个生产批构成，这些生产批是采用相同的材料，工艺、设备等制造出来的，b每个生产批的检验结果证明材料和工序的质量均能保证所生产的引线框渠达到预先规定的质量水平，
若干生产批构成一个捡验批的时间通常不超过一周，除非另有规定，最长不得超过一个月。c
5.2检验项目及要求
引线框架的检验项目及要求见表2标有(D)的试验为破坏性试脸，表2中所引用的试验方法，系指GB/T14112附录中规定的方法。AQL抽样方案按SI/Z9007的规定，抽样数以条为计量单位。表2
检验和试验
形位公
镀层厚度
镀层耐热性(D)
糖合强度(D)
外线蕴度(D)
6订货资料
试验方法
用满足
附录 A
X荧光测厚仪或其他等效仪
附录 B 中 B1
附录 B 中 Ba
附录 B 中 B3
若无其他规定，订购引线框架时至少需要以下资料产品型号、规格：
b． 数量+
产品图纸或图号，
材料名称及规格
任何其他细节<适用时)。
7 标志、包装、运轴,贮存
7.1标志
引线框架包装盒上粒有如下标志：厂名或商标：
h。产品名称、型号、规格#
c.产品标准编号，
检验要求
按本规范4.3及4.4.2
按本规范 4. 1
按本规范 4. 2
按本规范 4. 4. 1
按本规范 4. 4. 3
控本规范 4. 4 4
按本规范 4. 5
d．数量；
e、生产日期；
GB/T15876-1995
f．检验批识别代码和检验员代号。7.2包装
为避免正常运输过程中的损坏和泄漏，产品需包装在专门设计和制造的包装箱内，包装箱应防止产品被污染和受潮。
引线框架内包装应采用中性材料包装并密封，以保证产品不受洁污和魔蚀，防止物理损伤。7.3运输
产品的包装应适应任何交通工具的运输，在运输过程中应防止丽淋，受潮和破损。7.4贮存bZxz.net
7.4.1引线框架产品应贮存在环境温度为10℃~35℃，相对湿度不大于80%，周围无腐蚀气体的库房中。
7.4.2自出厂之日起，有镀层的引线框架保存期为三个月，无镀层引线框架保存期为六个月。附加说明：
本标准由中华人民共和国电子工业部提出，本标准由全国集成电路标准化分技术委员会归口。本标准由厦门永红电子公司、电子工业部标准化研究所负责起草。本标准主要起草人上官鹏、陈裕昆。
小提示：此标准内容仅展示完整标准里的部分截取内容，若需要完整标准请到上方自行免费下载完整标准文档。