GB/T 25076-2010 太阳电池用硅单晶 GB/T25076-2010 标准下载解压密码：www.bzxz.net

ICS29.045
中华人民共和国国家标准
GB/T25076—2010
太阳电池用硅单晶
Monocrystalline silicon of solar cell2010-09-02发布
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会
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2011-04-01实施
本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草GB/T25076—2010
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2)归口。本标准由有研半导体材料股份公司、万向硅峰电子股份有限公司、洛阳鸿泰半导体有限公司、西安隆基硅材料有限公司、无锡尚德太阳能电力有限公司、上海九晶电子材料股份有限公司起草。本标准主要起草人：孙燕、张果虎、卢立延、楼春兰、蒋建国、曹宇、孙世龙、袁文强。1范围
太阳电池用硅单晶
GB/T25076—2010
本标准规定了太阳电池用硅单晶的技术要求、试验方法，检验规则以及标志、包装、运输、贮存。本标准适用于直拉掺杂制备的地面空间太阳电池用硅单晶。2
规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T1550
GB/T1552
GB/T1553
GB/T1554
GB/T1555
GB/T1557
GB/T1558
GB/T6616
GB/T11073
GB/T14140
GB/T14264
非本征半导体材料导电类型测试方法硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法半导体单晶晶向测定方法
硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法硅片径向电阻率变化的测量方法硅片直径测量方法
半导体材料术语
SEMI MF1535
术语和定义
用微波反射光电导衰减法非接触测量硅片载流子复合寿命的测试方法GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件4技术要求
4.1分类
硅单晶按导电类型分为P型，n型两种类型；按外形可分为圆形硅单晶棒和准方形硅单晶棒。4.2规格
圆形硅单晶棒分为直径s150mm和s200mm，准方形硅单晶尺寸为125mm×125mm和156mmX156mm。其他尺寸规格由供需双方协商解决4.3尺寸及允许偏差
圆形硅单晶的直径
圆形硅单晶可以分为滚圆和未滚圆两种，滚圆后的硅单晶直径和允许偏差应符合表1的规定，未滚1
GB/T25076—2010
圆硅单晶直径及偏差由供需双方协商解决。表1
标称直径
准方形硅单晶棒
圆形硅单晶直径及允许偏差
准方形硅单晶棒的断面几何尺寸应符合图1和表2的规定。D
标称尺寸/mm
允许偏差
太阳能电池用准正方形硅单晶棒断面尺寸太阳电池用准正方形硅单晶棒断面尺寸尺寸/mm
125×125
156×156
a字母在图1中标出。
单位为毫米
电性参数
太阳能电池用硅单晶棒电阻率范围和径向电阻率变化应符合表3的规定。表3太阳能硅单晶的电学性能参数导电类型
电阻率范围/α·cm
径向电阻率变化/%
注：需方对电阻率范围和径向电阻率变化有其他特殊要求由供需双方协商解决。4.5
晶向偏离
圆形和准方形直拉硅单晶晶向偏离度不大于3°。GB/T25076—2010
少数载流子寿命/μs
准方硅单晶表面晶向偏离度不大于2°；边缘晶向为<100》士2°；方形相邻两边的垂直度为90°±0.3°。
氧含量
直拉硅单晶的间隙氧含量应小于1.3×1018atoms/cm。碳含量
直拉硅单晶的碳含量应不大于1×1017atoms/cm。晶体完整性
硅单晶的位错密度应不大于3000个/cm试验方法
硅单晶导电类型测量按GB/T1550进行。硅单晶的直径测量按GB/T14140进行，外型尺寸检验用游标卡尺或相应精度的量具进行。硅单晶的电阻率按GB/T1552或GB/T6616采用四探针法测量进行。硅单晶的径向电阻率变化测量按GB/T11073进行。硅单晶的少数载流子寿命测量按SEMIMF1535或GB/T1553进行。硅单晶的晶向及晶向偏离度测量按GB/T1555进行。硅单晶的氧含量测量按GB/T1557进行。硅单晶的碳含量测量按GB/T1558进行。硅单晶的晶体完整性检验测量按GB/T1554进行。检验规则
检查和验收
产品应由供方技术（质量）监督部门进行检验，保证产品质量符合本标准的规定，并填写产品质6.1.1）
量保证书。
GB/T25076—2010
2需方可对收到的产品按本标准的规定进行检验，若检验结果与本标准(或订货合同)的规定不符时，应在收到产品之日起一个月内向供方提出，由供需双方协商解决。6.2组批
硅单晶以批的形式提交验收，每批应由相同规格、相同导电类型的硅单晶棒组成。6.3检验项目
每根单晶锭应进行导电类型、品向及晶向偏离度、外形尺寸的检验，每批硅单晶应进行电阻率范围、晶体完整性、少数载流子寿命和氧碳含量等项目的检验。6.4抽样
每批产品随机抽取20%的试样，5根～9根晶棒抽取2个试样，5根晶棒以下抽取一个试样。或由供需双方协商解决。
6.5取样
检验单品的氧含量，应在品棒的头部切取试样。6.5.2
检验单晶的碳含量，应在晶棒的尾部切取试样。检验单晶电阻率，在整根晶棒的头尾各取1片试样。检验单晶其他参数，在晶棒的尾部取1片试样。外型尺寸直接用产品进行测量。如要求按照其他方案进行，由供需双方商定。检验结果的判定
6.6.1导电类型、晶向及晶向偏离度、外形尺寸检验若有1项不合格，则该单晶样为不合格。除去不合格的单晶棒后，余下的单晶棒参加抽样检验其他项目。6.6.2除导电类型、晶向及晶向偏离度和外形尺寸之外，其余项目检验：抽取3个或3个试样以下，有1个或2个试样不合格，则取双倍试样进行重复试验，重复试验仍有不合格，则判该批产品不合格；抽取4个试样时，有2个或2个以上试样不合格，取双倍试样进行重复试验，重复试验仍有不合格，则判该批产品不合格。
7标志、包装、运输和贮存
7.1包装、标志
硅单晶逐棒使用防震材料包装，然后将经过包装的晶棒装人包装箱内，并装满填充物，防止晶棒松动。
包装箱外侧应有“小心轻放”、“防潮”、“易碎”、“防腐”等标识，并标明：需方名称，地点；
产品名称，牌号；
产品件数及重量（毛重/净重）；供方名称。
2运输、贮存
产品在运输过程中应轻装轻卸，勿压勿挤，并采取防震防潮措施。7.2.2产品应贮存在清洁、干燥的环境中。7.3
质量证明书
每批产品应有质量证明书，写明：a)
供方名称；
产品名称及规格、牌号；
产品批号；
产品净重及单晶根数；
各项参数检验结果和检验部门的印记；本标准编号；
出厂日期。
订货单内容
订购本标准所列产品的订货单应包括下列内容：a）产品名称；
规格；
重量；
其他；
本标准编号。bzxz.net
GB/T25076—2010
25076-2010
中华人民共
专和国
国家标准
太阳电池用硅单晶
GB/T 25076—2010
中国标准出版社出版发行
北京复兴门外三里河北街16号
邮政编码：100045
网址www.spc.net,cn
电话：6852394668517548
中国标准出版社秦皇岛印刷厂印剧各地新华书店经销
开本880×1230
2010年10月第一版
印张0.75
字数10千字
2010年10月第一次印剧
书号：155066·1-40402
如有印装差错
由本社发行中心调换
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