GB/T 13389-2014
基本信息
标准号： GB/T 13389-2014
中文名称：掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
标准类别：国家标准(GB)
标准状态：现行
出版语种：简体中文
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标准简介
GB/T 13389-2014 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
GB/T13389-2014
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标准内容
ICS29.045
中华人民共和国国家标准
GB/T13389—2014
代臀G13/T133891992
掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与
掺杂剂浓度换算规程
Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped.phosphorus-doped,and arsenic-doped silicon2014-12-31发布
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局国国家标准化管理委员会
2015-09-01实施
本标推按照GB/T1.1一2009给出的规则起草，GB/T 13389—2014
本标证代臀G13/T133891992《疹谢掺磷硅单晶电阳[率与惨杂剂耀度换算规程》，参照SFMIMF723-0307《掺硼掺磷掺硅单品电阻率与掺杂剂浓度换算规程》对（13/T133891992逊行修订。本标准与GB/T133891992相比·主要有以下变化：一增加了公式（5）（6）（7），即砷的掺杂剂浓度换算电阻率掺硼硅单晶电阻率换兑空穴浓度和惨磷硅单品电阻率换算出了浓度的公改以及相应的适用范国山丁所有公式部是经验公式或是试验结果，此标班中给出了公式的试验依据以便丁使用者史好地了解和使用这些换算规程：增川平扰因索（见第6竞）；
增加了附录和参考文献，
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本标雅山全国半导体设备和材料标化技术委员会（SAC/TC203)和全国平导体设备和材料标滩化技术委员会材料分会（SAC/TC203/SC:2)共同提山并口。本标准起草单位：有研半导体材料股份有限公司，四川新光硅业科技有限责任公司中国计量科学研究院、浙江省硅材料质量检验心，杭州海纳半导体有限公司，断江金瑞科技股份有限公司，西安降基硅材料股份有限公司。
本标滩主要起草人：孙悲、梁洪、高英、楼春兰张静、下飞尧、曹孜、何良恩、张海英、张群社。本标谁所代替标准的历次版本发布情说为：GB/T133891992.
1范圃
掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与
掺杂剂浓度换算规程
GB/T13389—2014
本标雅规定了惨硼、惨磷、惨砷硅单品电阳率与惨杂剂涨度之间的换算关系，该换算关系也适用丁参梯硅中品·还而展至硅巾撇活能与刪、相似的其他掺杂剂标椎适用于掺卿浓度 104cm-3~1×10\cm-掺磷浓度 3×10cm-～1×10\ cm-，掺砷浓度10scm\~6×10cm3。对掺硼、掺磷的硅单品掺杂剂浓度护展到102cm。本标难也可用于在23℃下从硅单品阻率到载流了浓度的换算，但不包括对神掺杂剂的载流了浓度换算，或征何H他载流子浓度的换算。2规范性引用文件
下列文件对丁本文件的应用是必不川少的。儿是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用丁本文件。是不注明日期的可用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T1550非本征半导体材料导电类型测诚方法GI3/T1551硅单品电阻率测定方法(G13/T4326非本征平体单品需尔迁移率和乘东系数测量方法GB/T14264半导体材料术话
3术语和定义
GB/T14264界定的以及下列术讲和定义适用于本文件3.1
the self-consistency errors自相容性误差
电阻率与掺杂剂浓度之间的换算公式或表格，是以其巾个为变量，拟合实验数挪推导出另“个变量，当使用不同的变量时会产生两个五为补充的公戎，例如公戎（1)和（2），公戏（3)和（4）。由于这些公式在数学上并不完全等价，因此在使用出此摊导山来的公式或表格时将产生微小的差异，该差异称为白相容性误差：
4方法提要
电阻率与掺杂剂浓度之间的相互换算是基十掺刪、掺磷硅单品巾两者间的综合经验数拟得到的,并将其扩展到硅中具有相似激活能的其他掺杂剂，根据相同的方法也给出了电阻率与载流了浓度的换算关系。本标雅中将该换算关系表尔为公式、曲线以及表格的形式，应用时请特别注意不同公式的适用范围以皮相成的误著，
注1：本标准研、掺悸的换算最初是基于 Tlurher et al1..3的数据,是在(3×101cm 31×10\cm\)的掺磷础单品和（10icn～1×10cm3>的掺硼础单品中获得的，磷数据基于Esrki和Miyahira的两个块状样品数据，Fair利Tsai的磷扩敬样品数据被用」将数据点护展到1C2cm‘以上。在1Clcm“以下增帅的庞线部1
GB/T 13389—2014
分是为「提高换算的特性以供低惨杂值的要求。注2；硅中砷掺杂（101cm-l-6×103cm-\>区域现了不同」择磷的换管曲线H它仅仅造导以掺杂剂滚度到巾阳率的换觉。它足基」Fair和Tait用范尔效虚测量得到的擦牵剂浓度范用：10cm以下的掺杂范围可应用掺磷的换觉曲线。
注3：无论掺杂剂范国如何：都可以通过测量得到电阳率范池国（最带用的阳率测量方法详见GB/T1551），道过各种技术立个完整的掺茶剂数低池国是非带必要的，而这些按术并不定对半导体中的相同参数都有响应。本标谁中提供的这些换算中,在约 lolcrm-\以下的删,磷样品被假定可以忽略补偿,因此其掺杂剂浓度的数据是可以,H接使川电流-电压的测虽得到,人于1o\心m-的数据是川崔尔效应测虽得到的。另外在此范围，子活化分析和光谱分析也叫以川于确是磷浓度，项子示踪技术叫川于确是浓度，从这些分析技术得到的数据石些是矛盾的，使川的±要数据是巾蛋尔效应测量给出的（霍尔系数测量方法详见GB/T1326)。5换算
电阻率与掺杂剂浓度的换算
5.1.1惨硼硅单品中电阳率换算掺杂剂涨度按式（1)迹行：1.330×10
电阳率,单位为姆匣米（·cm)；NA
1.082×10?
pl1+(54.56o)c
砌的掺杂剂浓度，单位为每立方厘米（cm“）掺硼硅单品从电阻率换算掺杂剂浓度见表A.1.5.1.2掺硼硅单品中掺杂剂浓度换算电阻率接式(2)进行：1.305 X 10-5
武中：
1.133 × 101?
NAL1+(2.58×10-19×Na)-0.7
电阻率.单位为欧姆库米（0·cm）;硼的惨杂剂浓度，单位为每立方匣米（cm3）。掺砌硅单品从掺杂剂浓度换算电阻率见衣A.2.5.1.3掺硅单晶中电阻率换算掺杂剂浓度接式(3)进行：N
式中：
6.212 X 1013
电阻率,单位为欧姆厘米(α·cm);的惨茶荆浓单位为每方米（“）：A.-A r+A,x\+A,x
1+B+Ba-Bea
An =—3.108 3;
-3.262 6:
42 =—1.219 6;
A: =-0.139 23;
3, -[.026 5;
B, -0.387 55;
B, =0.041 833.
iiKAoNiiKAca
掺硅单品从电阻率换算掺杂剂浓度见衣A.3.5.1.4惨磷硅单品中惨杂剂涨度换算电阻率按式(1)逊行：6.242 X 101
电阻率，单位为欧姆厘米(Q·cm)N:一一磷的掺杂剂浓度,单位为每文方库米（cm-3）；A-A.y+Ay+Ay
1+By+B-y\+B.y'
y -(lgN) 16;
A. --3.076 9;
A12.210 8;
A: =-0.622 72;
A20.057 501,
3: =-0.681 57;
B20.198 33;
3 =-0.018 376。
掺硅单品从掺杂剂浓度换算电阻率见衣A.45.1.5掺砷硅单品中惨杂剂浓度换算电阳率。GB/T 13389—2014
5.1.5.1当碎单晶1神的掺杂浓度低于101cm时，擦杂剂浓度换算电阻率可按掺换算公式（4）5.1.5.2当硅单品中种的掺杂浓度在(10lrm3~6×102urm3)范用时,种的掺杂剂浓度换算电阻率接式（5)进行
Igo=-6 633.667-AX -BX\+CX+DX+EX\+FX+GX +HX -JX°+Kx\+.....(5 )
电阻率,单位为欧姆厘米(α·cm);N.
的惨架剂浓度单莅为每京厘米（加：X -IgNn:
A =768.253 1;
—25.77373；
C -0.965 817 7;
D) =-0,056 34 43;
-8.008 543X10 1;
F =9.053 838X10-':
G =—1.776 701X10
H -1.953 279 X[0 +
J =—5.754 599×10-° ;
K=-1.31657X10 11
硅单品中仲的掺杂浓度在10rm\～6×10°cm“范围时,从仲的掺杂剂浓度换算电阻率见表A.55.1.6掺硼掺磷掺砷硅单品电阻率与掺杂剂浓度的关系曲线见图1。种掺架剂与阻率的对应数据见附录A：
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-.--.++-.
----+---i-i+i
中阻率/（αcm>
图1掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度的关系曲线10 000
注1：擦杂剂浓度和出阻率问换算关系如图1所示,窦线显示「对础中援删、磷、伸打效数括范围的换算，线显示的是从硅中刪，磷擦架数据外推的部分。注2：不标准中的换算图早现的电阻率到疹杂剂淑度和掺杂剂度到电阻率的换算是等价的，但左不他括补充方程式给出的数据，因为该部分数据不能精确的相等。5,2电阻率与载流子浓度的换算
5.2.1惨硼硅单品从电阳[率值换算载流子(空穴)浓度按式(6)迹行：6.242 X 101*
武中：
力载流子(空穴)浓度，单位为每立方厘米(cem“)：o——阻率，单位为欧姆厘米（Q·cm)：182.8
1-(p/0.082 5) nsn1 —52.4exp(-p/0.004 09)。++++++++.++++++( 6)
对惨硅单晶，当电阳率大丁0.12·cm时,第一项非常小，叫以忽略;这时V简化为：4
iiiKAoNiKAca
1+(p/0.082 5)-.
掺硼硅单品从电阻率换算载流子(空穴)浓度见表A.6。5.2.2掺磷硅单品从电阳率换算裁流了（电了)浓度按式7)进行：6.242 × 10 × 10
式中：
载流子（电子)浓度，单位为每立方厘米(cm“)；电阻率,单位为欧姆厘米(·cm)：V
A.-AX+AX+AX
1+B,X+BX\+B.X;
—1.261;
—0.157 01;
0.399 41;
0.049 746
掺磷硅单品从电阳率换算载流子（电子)浓度见表A.7。GB/T 13389-2014
5.2.3在图1线巾很难看出电阻率换算载流子浓度和掺杂剂浓度之间的差异.图2显示「掺硼的空穴和掺磷的电子浓度的关系。
磷修杂的电广液
佣掺杂的空穴浓度
0. 000 10. 0010. 01
屯阻率/（12心im）
100000n600
图2硼掺杂和磷掺杂下的掺杂剂浓度和载流子浓度的比注：出阻率和载流了恶度的换算与出阻率和惨杂剂羧度换算的自相容性差异很小。较流泌度换算的自相容性说差在员毅「与图2类似，它是假定了在这区域的些函嫩「使用适亢的程序，而非物理方法，实「：：在载流子浓度超过惨架剂浓度的区城不是来自于试验。然i，在0.007·cm-G.2·cm的磷惨杂和0.0070.tm-0.*cm以及101·cm的谢疹杂佳单晶中.很接近真实情况6干扰因素
6.1由于测硅单品的电阻率和杂质浓度兵有不同的方法·而通常情说下”种方法只能测量两者的5
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-个参数.因此成来用有效的测量方法避免换登带来的误荒，6.2由于电阻率是随温度而变化.而掺杂剂浓度与温度关系不人.因此本标准巾是以23℃时的碎单晶电阻率作为换算值，
6.3使用木标准用电阻率值来掘算载流于浓度容易带束误差。同样作23℃下，当掺杂剂浓度较低时（药小于10cm-\时），惨杂剂浓度和载流了浓度非常接近；当渗杂剂浓度药为10cm-\～10cm-时：出丁杂质的不全电离，掺杂剂铱度大丁载流子浓度，因此在同一样品巾，通常两者不是同一数值当掺杂剂浓度高于101cm时·由于杂质能级发牛简并，载流了浓度般等于掺杂剂浓度;仁是，当浓度史高时,特别是像掺磷或掺种的硅单品中,出丁形成包含杂质原子在内的化合物或络合物的川能性较人.将妨碍部分掺杂原了变为电活性；当掺杂剂浓度人于固溶度时，则产牛沉淀：从电阻率导出载流了涨度应按本标滩5.2迹行
6.4本标准对重掺磷硅单品给山了电阻率与掺杂剂浓度的关系式，其浓度值最初是用需尔效应测量得到的·由十霍尔效成测量这些重掺样品的载流了浓度时是假定所有原了都被电离，也就是说霍尔效成测量得到的掺杂剂浓度等于载流了浓度。和在高浓度下，众所周知磷空位对的形成会减少电活性磷原子，因此柔尔效应测量能出丁磷-空位对的存在而使测量值低丁实际的掺杂剂浓度。6.5其他掺杂剂的换算影响：到几前为Ⅱ尚未建掺硼掺麟和掺以外的阻率与掺杂剂浓度间的换算关系，伯是在轻惨杂范围（小丁10cm-)内刘H他掺杂剂换算关系足够的雅确性预期：作101cm-1～10\cm-范国·由于不同掺杂剂的电离能不同.使得相同掺杂剂浓度的样品测出的出阻率估不同，对子卫型擦恭剂，由子电离能相较大，测出的电阻率差估要比N型恭剂的电阻差估大，对重掺氛（浓度高于10”心I-)时：由包含掺杂原了、晶体缺陷或其他杂质辫合物的形成，导致荷电流子数量的政变。该影响程度圾决于特定的杂质种类，能和掺杂剂浓度与该掺杂剂在硅中的固溶度之比有关：因此在该浓度范国之「：除了砌，之外，对其他擦剂的换节适用性尚不清楚6.6补偿的影响：补偿通带发生在平导体中存在施主和受主两个掺杂杂质的情况：在这种情说下，净疹杂浓度是受主掺杂浓度和施主掺杂滚度间差异的绝对值。补偿也叫以发生在深能级杂质或缺陷的行在数量相比掺杂杂质不可忽略时，在这种情况下，载流子浓度取决于各种参数。用十本标准换凳的数挪都是在假定样品是非补偿的情况下获得的，在样品中测量的掺杂浓度是等于样品内的掺杂剂总浓度，对于有明显补偿的样品,本标准换算不适用，6.7许多其他电活性中心的存在可能改变户由载流了的数几，或明品的改变载流了迁移率，而这两者中的任一项部会带求刘电叫率值的影响,这些电活性中心包括:使用中子姐变惨杂或离子注人带求的品格损伤、出化学杂质（典型的重金属）以及其他有害或为控制少数载流于夺命而有意引入的深能级中心、非有意的掺入，如电活性氧。当这些影响中的任何项出现时.本标准的换算不适用。6.8本标准中硅的重掺砷的换算关系仅适用于标谁给山的掺杂浓度范国，因为这时从方程式计算的电阻率值会迅速偏离实际值。使用外摊法显示「与硼和磷的方程式的比对，但准确度无法估计。本标雅设定了掺态剂浓度和电阻率的关系·但浓度的数值范国是由霍尔效测量得到的，因此与重掺的换算有同样的限制。与硼、磷基不数据使用的直挖惨杂硅片不同,术标雅中砷的换算关系是在问硅片中扩散或注入独的样品上获得的。
注：掺伸的掺杂剂浓度问的关系的研究是在,\拉疹杂单战生的硅片「进行的,I×lo\cm-\1×1\cm-区域的数据是出Newman”提供的：Newman使用中丁活化测显掺杂瘀度，崔尔效应测虽载流了浓度。在大于iX102cm-\域应用了Mase.1i*的讨论。对于2×101cm-\-10\em-范用的惨础样品是巾Fair和Tsai向佳片中扩放或注人础得到的,1,12，该换算关系与Irvin在n型样品中获得的恢算关系一致，见附录[。7精密度
7.1对掺硼(0.0001~-10000)2·cm.即(1012cm1～10cm\)范围.从电阻率换算掺杂剂浓度及从6
iiiKAoNiiKAca
GB/T13389-2014
掺杂剂浓度换算电阻率的自相容性误关在3%以内;对掺避(0.0002～4 000)0·cm.即10\cm3-10”cm“范围-从电阻率换算掺杂剂浓度及从掺杂剂浓度换算电阻率的片杆容性误差在4.5头以内当磷的浓度人于5×10\cm-1时：误差将迅速增加。硅单品中硼、磷换算的白相容性误差在图 3中给山。
. n o01
阻率/cn
图3换算引入的相对误差
注：对于一给定的电阻率值（如1.0G·cm的P型惨刨硅），通过公式（1)换算得到的惨杂剂浓度值为（1.16×10以m->,但是使用公式(2>的疹杂剂浓度导出的电阴率值不等丁最初值（(1.02α·cm），两者之问生了2的白容性误差，
72对掺砷硅单品：只有从掺杂剂浓度换算电阻率的关系，因此不存在白相容的间题，GB/T 13389—2014
1.001,21F: 2.
04 4.0IE-20
01 3.00E-20
012.39E—20
6.00E-04 1.U8E-20
7.00E—041.69E-20
8,00F-04 1.48E-20
,00E-04 1.:1E-20
附录A
（规范性附录）
硅单晶电阻率与掺杂剂浓度、载流子浓度的换算表A.1
掺硼硅单晶从电阻率换算掺杂剂浓度0.3
1.01F:1219.31F:208.6/F:1 20 8.05E:1205.75K 20 5./9E1205.25F: 20
5.03F:120 4.62F:120
3.88E-20 3.76E+20
3.5/E+20 3.23E+20
3.64E—26
2.32E-20 2.65E+20
2.72E+20 2.66E+20
2.34E—20
1.89E—20
1.62E—20
1.46E-20 1.44E+20
1.42E—20
1.29E-20 1.28E+20
8.92E—19
1.00E-03 1,17E20
1.06E-20 9.70E+19
2.00F-03 5.64F
3.00F-03 3.62F
2.00F03 2.61F
5.00k 03 2.01F
5.35F :9 3.09E119
03 1.34E-13
031.13E—13
5.00E-39.74E18
..41E+20
.25E+20
8,25E+19
4.63F:I19 4.23E I19
:9 3.37E119
9 2.7E1192.40F
2.3/F:I19 2.28F: I19
:9 1.92E:1 191.88F: 19
:9 1.5GE:1191.52F: 19
1.32E--9 1.20E+10
1.-IE-_9 1.1E+10
\.60E-.8 9:6E+18
1.00E—02 8.19E-18
7.48E-_8 6.65E+18
2.00E—02 3.24E-13
:.50F:119 177E:119
-.25E+19 1.23E+10
3.34E—20
1.80E—20
1.37F—20
1.22F—20
-.06E+19 1.05E+19
1.03E—_9
D.20E+18 9.08E+18
2.82E+182.64E-13
3.02E—_8
3,G0E-02 1.77E-18
1,68F—:8 1.60E+18
1.53E—18
24,00E-02 1,14E-18
1,09E-:8 1,05E+181.01E-18
5,00F-02 8.03F
6,00F-02 6.05F
7.00F—02 4.76F
S.00023.88F
S.00K02 3.24F
1.00E 01 2.77E-17
01 1.03E—17
3.00E 01 6.00E-16
:7 7.55E117
:7 5.75E117
:7 4.56E117
:.46E+18 1.20E+18
9,79E+17 9,2$E+17
7.12F: I17 6.,92E I17
3.47F:117 3.34E I17
4.37F:I17 4.28E 117
3.815:7 3.74F1 173.67F:17
3.60F:I 17 3.54E: I 17
3..95:7 3.14E1 173.09F:17
3.0/F:I17 2.99F:I17
2.40E--7 2.11E+17
1.88E—17
-.69E+17 1.53E+17
0.59E--6 9.01E+16
8.02E+16 7.60E+16
8.49E—16
5.76E--6 5.53E+16
5.32E—16
5.13E+16 4.91E+16
8.05E—28
2.47E—_8
2.20E—_8
1.34F—.8
9..4F—.7
277E-26
iiKAoNiKAca
7.11F:120 6.71F20
4.16F:I20 4.30F:20
3.25E+20 3.16E-20
2.55E+20 2.19E-20
2.09E+20 2.05E-20
-.77E+20 1.75E-20
2.5/E+20 1.52E-20
:.36E+20 1.34E-20
.21E+201.20E-20
$.72E+19 6.32E-13
4.07FI19 3.91E
2.86F 119 2.77E
2.17F:I19 2.11F.
-.72F:[19 1.69F1
:.11F:119 1.39F 19
-.19E+19 1.17E-13
-.02E+19 1.00E-13
3.83E+18 8.71E-13
4.10E+18 3.77E-18
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6.55FI17 6.37E
5.10F/17 4.93E
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3.42F:117 3.36F
2.90F:[17 2.85F
-.2$E+17 1.18E-17
6.86E+16 6.56E-16
4.61E+16 4.47E-16
6.36F:120免费标准下载网bzxz
4.15F:1 20
3.76F:119
2.69F:119
2.06F:119
1.65F:119
1.36F:119
6.21E:117
4.87F:117
3.96F:117
2.81F:117
电阻率
4.00F:100
5.00F:100
6.00F:100
7.00F:100
8.00F:100
7.00F:101
-6 4.07E16
-6 3.1316
2.17E—_6
1.64E—6
62E+16
3IE+16
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4.56E-:5 4.41E+15
-5 3.31F115
-52.65F115
-5 2.21F115
25:.89F115
25:.66F115
1.49E—_5
1.34E—_5
.22E+15
6.67E—_4
1.41E—4
3.33E—1
2.66E-—:4
218F+14
:4 :.64F114
1.33E :1 :.21F:1 1
:.00F:102
:3 5.34F113
..00E+03
4.43E--3 4.20E+13
3.33E-_3 3.24E+13
2.66E—_3 2.61E+13
2.22E--3 2.18E+13
.87E+13
..64E+1:
.46E+1:
2.49E—16
2.10E—16
2.27E—15
2.15E—14
2.16E—13
3.17E—13
2.56E—13
1.85E—13
表A.1（续）
6.,01F-.5
4,14F—:5
2.51E—-3
9.55E—1
3.02E—13
2.01E—16
3.89E—15
1.41E—15
3.81E—14
2,05F-
.72E+16
.53E+16
2.41F:115
2.04F:115
.77115
.56F:1 15
.39F11
8.32F:113
±.12F:113
3.80E—13
2.96E—13
2.42E—13
2.05E—13
1,55E—13
.55E+13
.39E+13
GB/T 13389—2014
1.95E—16
5.09E—15
3.68E—15
1.38E—15
4.94E—14
3.60E—14
2.53E—13
2.33E—13
1.53E—13
2.24E—_6
1.92E—_6
1.68E—_6
.58E—
7.42E—_4
2.29E—_3
1,51E—
1.89E—15
1.17E—16
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3.12E—14
2.72E—14
2.71E—13
2.25E—13
1.03E—13
1.68E—13
1.49E—13
1.34E—13
GB/T13389—2014
电阻率
03 6.05F.
.00E-03 3.33E-12
2.66E—12
6.00E-03 2.22E-12
7.00E-03 1.J0E-12
8.00E—03 1.66E-12
9,00E-03 1.48E-12
1.00E-04 1.33E-12
5.00K 2.66F
7.00E-04 1.00E-1
S.00E—04
9.00E-04 1.48E-1.
5E:112
SE:112
表A.1（续）
-2 6.05E.112
4.1GE1 12
3.24E—.2
2._8E—_2
1.87E—_2
23.09E-12
1.82E—12
1.64E—.2
1.46E-:2 1.,45E+12
2.5GE:1 11
2.15E: 1 11
1.87E--1 1.55E+11
5.5/F:12 5.32E. I 12
.58E+12
:.41E+12 1.20E+12
5.52F:111
3.91F:1 11
3,8OE11
3.02F:I11 2.96E I11
2.46F:I11 2./2E. I11
2.0SF:I 11 2.04F:I11
120E+11
1.75E—-2
1.39E—:2
掺硼硅单晶从掺杂剂浓度换算电阻率0.3
034.0NE103
033.11E103
1.84E—03
1.61E—03
1.43E—03
2.51E. 1 03
2.11E:103
4.22F—02
3..9E—02
1.40E—03
6.68E—02
3.04E—02
5.42E:103
3.82FI03 3.73E 103
2.97F:I 03 2.90E I 03
2.42F:103 2.37F:103
2.0/F:103 2.0.E:103
3,74E+02
iiKAoNiKAca
4.93F:112 1.73F.
3.5SF112 3.50F.
2.83E+12 2.77E-12
2.33E+12 2.29E-12
2.95E+121.U6E-12
-.73E+12 1.7IE-12
-.53E+12 1.51E-12
:.3/E+12 1.36E-12
7.82E+11 7.39E-1.
4.93FI11 4.75F
3.59FI11 3.50F
2.83FI11 2.77F
2.33F:I11 2.29F
-.95F:I11 1.96F.
-.73E+11 1.7IE-1-
2.53E+11 1.51E-1
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3.53FI03 3.44F
2.7$F103 2.72F
2.2SF:103 2.23F.
.95F:1031.92F
-.70E+03 1.67E-03
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-.35E+03 1.33E-03
7.68E+027.26E-02
4.67E—02
3,53E+02 3.44E-02
2.72E—02
4.59F:112
3.11F:112
4.59F:111
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2.21F:103
1.89F:103
3,35E+02
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中华人民共和国国家标准
GB/T13389—2014
代臀G13/T133891992
掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与
掺杂剂浓度换算规程
Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped.phosphorus-doped,and arsenic-doped silicon2014-12-31发布
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局国国家标准化管理委员会
2015-09-01实施
本标推按照GB/T1.1一2009给出的规则起草，GB/T 13389—2014
本标证代臀G13/T133891992《疹谢掺磷硅单晶电阳[率与惨杂剂耀度换算规程》，参照SFMIMF723-0307《掺硼掺磷掺硅单品电阻率与掺杂剂浓度换算规程》对（13/T133891992逊行修订。本标准与GB/T133891992相比·主要有以下变化：一增加了公式（5）（6）（7），即砷的掺杂剂浓度换算电阻率掺硼硅单晶电阻率换兑空穴浓度和惨磷硅单品电阻率换算出了浓度的公改以及相应的适用范国山丁所有公式部是经验公式或是试验结果，此标班中给出了公式的试验依据以便丁使用者史好地了解和使用这些换算规程：增川平扰因索（见第6竞）；
增加了附录和参考文献，
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本标雅山全国半导体设备和材料标化技术委员会（SAC/TC203)和全国平导体设备和材料标滩化技术委员会材料分会（SAC/TC203/SC:2)共同提山并口。本标准起草单位：有研半导体材料股份有限公司，四川新光硅业科技有限责任公司中国计量科学研究院、浙江省硅材料质量检验心，杭州海纳半导体有限公司，断江金瑞科技股份有限公司，西安降基硅材料股份有限公司。
本标滩主要起草人：孙悲、梁洪、高英、楼春兰张静、下飞尧、曹孜、何良恩、张海英、张群社。本标谁所代替标准的历次版本发布情说为：GB/T133891992.
1范圃
掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与
掺杂剂浓度换算规程
GB/T13389—2014
本标雅规定了惨硼、惨磷、惨砷硅单品电阳率与惨杂剂涨度之间的换算关系，该换算关系也适用丁参梯硅中品·还而展至硅巾撇活能与刪、相似的其他掺杂剂标椎适用于掺卿浓度 104cm-3~1×10\cm-掺磷浓度 3×10cm-～1×10\ cm-，掺砷浓度10scm\~6×10cm3。对掺硼、掺磷的硅单品掺杂剂浓度护展到102cm。本标难也可用于在23℃下从硅单品阻率到载流了浓度的换算，但不包括对神掺杂剂的载流了浓度换算，或征何H他载流子浓度的换算。2规范性引用文件
下列文件对丁本文件的应用是必不川少的。儿是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用丁本文件。是不注明日期的可用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T1550非本征半导体材料导电类型测诚方法GI3/T1551硅单品电阻率测定方法(G13/T4326非本征平体单品需尔迁移率和乘东系数测量方法GB/T14264半导体材料术话
3术语和定义
GB/T14264界定的以及下列术讲和定义适用于本文件3.1
the self-consistency errors自相容性误差
电阻率与掺杂剂浓度之间的换算公式或表格，是以其巾个为变量，拟合实验数挪推导出另“个变量，当使用不同的变量时会产生两个五为补充的公戎，例如公戎（1)和（2），公戏（3)和（4）。由于这些公式在数学上并不完全等价，因此在使用出此摊导山来的公式或表格时将产生微小的差异，该差异称为白相容性误差：
4方法提要
电阻率与掺杂剂浓度之间的相互换算是基十掺刪、掺磷硅单品巾两者间的综合经验数拟得到的,并将其扩展到硅中具有相似激活能的其他掺杂剂，根据相同的方法也给出了电阻率与载流了浓度的换算关系。本标雅中将该换算关系表尔为公式、曲线以及表格的形式，应用时请特别注意不同公式的适用范围以皮相成的误著，
注1：本标准研、掺悸的换算最初是基于 Tlurher et al1..3的数据,是在(3×101cm 31×10\cm\)的掺磷础单品和（10icn～1×10cm3>的掺硼础单品中获得的，磷数据基于Esrki和Miyahira的两个块状样品数据，Fair利Tsai的磷扩敬样品数据被用」将数据点护展到1C2cm‘以上。在1Clcm“以下增帅的庞线部1
GB/T 13389—2014
分是为「提高换算的特性以供低惨杂值的要求。注2；硅中砷掺杂（101cm-l-6×103cm-\>区域现了不同」择磷的换管曲线H它仅仅造导以掺杂剂滚度到巾阳率的换觉。它足基」Fair和Tait用范尔效虚测量得到的擦牵剂浓度范用：10cm以下的掺杂范围可应用掺磷的换觉曲线。
注3：无论掺杂剂范国如何：都可以通过测量得到电阳率范池国（最带用的阳率测量方法详见GB/T1551），道过各种技术立个完整的掺茶剂数低池国是非带必要的，而这些按术并不定对半导体中的相同参数都有响应。本标谁中提供的这些换算中,在约 lolcrm-\以下的删,磷样品被假定可以忽略补偿,因此其掺杂剂浓度的数据是可以,H接使川电流-电压的测虽得到,人于1o\心m-的数据是川崔尔效应测虽得到的。另外在此范围，子活化分析和光谱分析也叫以川于确是磷浓度，项子示踪技术叫川于确是浓度，从这些分析技术得到的数据石些是矛盾的，使川的±要数据是巾蛋尔效应测量给出的（霍尔系数测量方法详见GB/T1326)。5换算
电阻率与掺杂剂浓度的换算
5.1.1惨硼硅单品中电阳率换算掺杂剂涨度按式（1)迹行：1.330×10
电阳率,单位为姆匣米（·cm)；NA
1.082×10?
pl1+(54.56o)c
砌的掺杂剂浓度，单位为每立方厘米（cm“）掺硼硅单品从电阻率换算掺杂剂浓度见表A.1.5.1.2掺硼硅单品中掺杂剂浓度换算电阻率接式(2)进行：1.305 X 10-5
武中：
1.133 × 101?
NAL1+(2.58×10-19×Na)-0.7
电阻率.单位为欧姆库米（0·cm）;硼的惨杂剂浓度，单位为每立方匣米（cm3）。掺砌硅单品从掺杂剂浓度换算电阻率见衣A.2.5.1.3掺硅单晶中电阻率换算掺杂剂浓度接式(3)进行：N
式中：
6.212 X 1013
电阻率,单位为欧姆厘米(α·cm);的惨茶荆浓单位为每方米（“）：A.-A r+A,x\+A,x
1+B+Ba-Bea
An =—3.108 3;
-3.262 6:
42 =—1.219 6;
A: =-0.139 23;
3, -[.026 5;
B, -0.387 55;
B, =0.041 833.
iiKAoNiiKAca
掺硅单品从电阻率换算掺杂剂浓度见衣A.3.5.1.4惨磷硅单品中惨杂剂涨度换算电阻率按式(1)逊行：6.242 X 101
电阻率，单位为欧姆厘米(Q·cm)N:一一磷的掺杂剂浓度,单位为每文方库米（cm-3）；A-A.y+Ay+Ay
1+By+B-y\+B.y'
y -(lgN) 16;
A. --3.076 9;
A12.210 8;
A: =-0.622 72;
A20.057 501,
3: =-0.681 57;
B20.198 33;
3 =-0.018 376。
掺硅单品从掺杂剂浓度换算电阻率见衣A.45.1.5掺砷硅单品中惨杂剂浓度换算电阳率。GB/T 13389—2014
5.1.5.1当碎单晶1神的掺杂浓度低于101cm时，擦杂剂浓度换算电阻率可按掺换算公式（4）5.1.5.2当硅单品中种的掺杂浓度在(10lrm3~6×102urm3)范用时,种的掺杂剂浓度换算电阻率接式（5)进行
Igo=-6 633.667-AX -BX\+CX+DX+EX\+FX+GX +HX -JX°+Kx\+.....(5 )
电阻率,单位为欧姆厘米(α·cm);N.
的惨架剂浓度单莅为每京厘米（加：X -IgNn:
A =768.253 1;
—25.77373；
C -0.965 817 7;
D) =-0,056 34 43;
-8.008 543X10 1;
F =9.053 838X10-':
G =—1.776 701X10
H -1.953 279 X[0 +
J =—5.754 599×10-° ;
K=-1.31657X10 11
硅单品中仲的掺杂浓度在10rm\～6×10°cm“范围时,从仲的掺杂剂浓度换算电阻率见表A.55.1.6掺硼掺磷掺砷硅单品电阻率与掺杂剂浓度的关系曲线见图1。种掺架剂与阻率的对应数据见附录A：
GB/T 13389—2014
-.--.++-.
----+---i-i+i
中阻率/（αcm>
图1掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度的关系曲线10 000
注1：擦杂剂浓度和出阻率问换算关系如图1所示,窦线显示「对础中援删、磷、伸打效数括范围的换算，线显示的是从硅中刪，磷擦架数据外推的部分。注2：不标准中的换算图早现的电阻率到疹杂剂淑度和掺杂剂度到电阻率的换算是等价的，但左不他括补充方程式给出的数据，因为该部分数据不能精确的相等。5,2电阻率与载流子浓度的换算
5.2.1惨硼硅单品从电阳[率值换算载流子(空穴)浓度按式(6)迹行：6.242 X 101*
武中：
力载流子(空穴)浓度，单位为每立方厘米(cem“)：o——阻率，单位为欧姆厘米（Q·cm)：182.8
1-(p/0.082 5) nsn1 —52.4exp(-p/0.004 09)。++++++++.++++++( 6)
对惨硅单晶，当电阳率大丁0.12·cm时,第一项非常小，叫以忽略;这时V简化为：4
iiiKAoNiKAca
1+(p/0.082 5)-.
掺硼硅单品从电阻率换算载流子(空穴)浓度见表A.6。5.2.2掺磷硅单品从电阳率换算裁流了（电了)浓度按式7)进行：6.242 × 10 × 10
式中：
载流子（电子)浓度，单位为每立方厘米(cm“)；电阻率,单位为欧姆厘米(·cm)：V
A.-AX+AX+AX
1+B,X+BX\+B.X;
—1.261;
—0.157 01;
0.399 41;
0.049 746
掺磷硅单品从电阳率换算载流子（电子)浓度见表A.7。GB/T 13389-2014
5.2.3在图1线巾很难看出电阻率换算载流子浓度和掺杂剂浓度之间的差异.图2显示「掺硼的空穴和掺磷的电子浓度的关系。
磷修杂的电广液
佣掺杂的空穴浓度
0. 000 10. 0010. 01
屯阻率/（12心im）
100000n600
图2硼掺杂和磷掺杂下的掺杂剂浓度和载流子浓度的比注：出阻率和载流了恶度的换算与出阻率和惨杂剂羧度换算的自相容性差异很小。较流泌度换算的自相容性说差在员毅「与图2类似，它是假定了在这区域的些函嫩「使用适亢的程序，而非物理方法，实「：：在载流子浓度超过惨架剂浓度的区城不是来自于试验。然i，在0.007·cm-G.2·cm的磷惨杂和0.0070.tm-0.*cm以及101·cm的谢疹杂佳单晶中.很接近真实情况6干扰因素
6.1由于测硅单品的电阻率和杂质浓度兵有不同的方法·而通常情说下”种方法只能测量两者的5
GB/T 13389—2014
-个参数.因此成来用有效的测量方法避免换登带来的误荒，6.2由于电阻率是随温度而变化.而掺杂剂浓度与温度关系不人.因此本标准巾是以23℃时的碎单晶电阻率作为换算值，
6.3使用木标准用电阻率值来掘算载流于浓度容易带束误差。同样作23℃下，当掺杂剂浓度较低时（药小于10cm-\时），惨杂剂浓度和载流了浓度非常接近；当渗杂剂浓度药为10cm-\～10cm-时：出丁杂质的不全电离，掺杂剂铱度大丁载流子浓度，因此在同一样品巾，通常两者不是同一数值当掺杂剂浓度高于101cm时·由于杂质能级发牛简并，载流了浓度般等于掺杂剂浓度;仁是，当浓度史高时,特别是像掺磷或掺种的硅单品中,出丁形成包含杂质原子在内的化合物或络合物的川能性较人.将妨碍部分掺杂原了变为电活性；当掺杂剂浓度人于固溶度时，则产牛沉淀：从电阻率导出载流了涨度应按本标滩5.2迹行
6.4本标准对重掺磷硅单品给山了电阻率与掺杂剂浓度的关系式，其浓度值最初是用需尔效应测量得到的·由十霍尔效成测量这些重掺样品的载流了浓度时是假定所有原了都被电离，也就是说霍尔效成测量得到的掺杂剂浓度等于载流了浓度。和在高浓度下，众所周知磷空位对的形成会减少电活性磷原子，因此柔尔效应测量能出丁磷-空位对的存在而使测量值低丁实际的掺杂剂浓度。6.5其他掺杂剂的换算影响：到几前为Ⅱ尚未建掺硼掺麟和掺以外的阻率与掺杂剂浓度间的换算关系，伯是在轻惨杂范围（小丁10cm-)内刘H他掺杂剂换算关系足够的雅确性预期：作101cm-1～10\cm-范国·由于不同掺杂剂的电离能不同.使得相同掺杂剂浓度的样品测出的出阻率估不同，对子卫型擦恭剂，由子电离能相较大，测出的电阻率差估要比N型恭剂的电阻差估大，对重掺氛（浓度高于10”心I-)时：由包含掺杂原了、晶体缺陷或其他杂质辫合物的形成，导致荷电流子数量的政变。该影响程度圾决于特定的杂质种类，能和掺杂剂浓度与该掺杂剂在硅中的固溶度之比有关：因此在该浓度范国之「：除了砌，之外，对其他擦剂的换节适用性尚不清楚6.6补偿的影响：补偿通带发生在平导体中存在施主和受主两个掺杂杂质的情况：在这种情说下，净疹杂浓度是受主掺杂浓度和施主掺杂滚度间差异的绝对值。补偿也叫以发生在深能级杂质或缺陷的行在数量相比掺杂杂质不可忽略时，在这种情况下，载流子浓度取决于各种参数。用十本标准换凳的数挪都是在假定样品是非补偿的情况下获得的，在样品中测量的掺杂浓度是等于样品内的掺杂剂总浓度，对于有明显补偿的样品,本标准换算不适用，6.7许多其他电活性中心的存在可能改变户由载流了的数几，或明品的改变载流了迁移率，而这两者中的任一项部会带求刘电叫率值的影响,这些电活性中心包括:使用中子姐变惨杂或离子注人带求的品格损伤、出化学杂质（典型的重金属）以及其他有害或为控制少数载流于夺命而有意引入的深能级中心、非有意的掺入，如电活性氧。当这些影响中的任何项出现时.本标准的换算不适用。6.8本标准中硅的重掺砷的换算关系仅适用于标谁给山的掺杂浓度范国，因为这时从方程式计算的电阻率值会迅速偏离实际值。使用外摊法显示「与硼和磷的方程式的比对，但准确度无法估计。本标雅设定了掺态剂浓度和电阻率的关系·但浓度的数值范国是由霍尔效测量得到的，因此与重掺的换算有同样的限制。与硼、磷基不数据使用的直挖惨杂硅片不同,术标雅中砷的换算关系是在问硅片中扩散或注入独的样品上获得的。
注：掺伸的掺杂剂浓度问的关系的研究是在,\拉疹杂单战生的硅片「进行的,I×lo\cm-\1×1\cm-区域的数据是出Newman”提供的：Newman使用中丁活化测显掺杂瘀度，崔尔效应测虽载流了浓度。在大于iX102cm-\域应用了Mase.1i*的讨论。对于2×101cm-\-10\em-范用的惨础样品是巾Fair和Tsai向佳片中扩放或注人础得到的,1,12，该换算关系与Irvin在n型样品中获得的恢算关系一致，见附录[。7精密度
7.1对掺硼(0.0001~-10000)2·cm.即(1012cm1～10cm\)范围.从电阻率换算掺杂剂浓度及从6
iiiKAoNiiKAca
GB/T13389-2014
掺杂剂浓度换算电阻率的自相容性误关在3%以内;对掺避(0.0002～4 000)0·cm.即10\cm3-10”cm“范围-从电阻率换算掺杂剂浓度及从掺杂剂浓度换算电阻率的片杆容性误差在4.5头以内当磷的浓度人于5×10\cm-1时：误差将迅速增加。硅单品中硼、磷换算的白相容性误差在图 3中给山。
. n o01
阻率/cn
图3换算引入的相对误差
注：对于一给定的电阻率值（如1.0G·cm的P型惨刨硅），通过公式（1)换算得到的惨杂剂浓度值为（1.16×10以m->,但是使用公式(2>的疹杂剂浓度导出的电阴率值不等丁最初值（(1.02α·cm），两者之问生了2的白容性误差，
72对掺砷硅单品：只有从掺杂剂浓度换算电阻率的关系，因此不存在白相容的间题，GB/T 13389—2014
1.001,21F: 2.
04 4.0IE-20
01 3.00E-20
012.39E—20
6.00E-04 1.U8E-20
7.00E—041.69E-20
8,00F-04 1.48E-20
,00E-04 1.:1E-20
附录A
（规范性附录）
硅单晶电阻率与掺杂剂浓度、载流子浓度的换算表A.1
掺硼硅单晶从电阻率换算掺杂剂浓度0.3
1.01F:1219.31F:208.6/F:1 20 8.05E:1205.75K 20 5./9E1205.25F: 20
5.03F:120 4.62F:120
3.88E-20 3.76E+20
3.5/E+20 3.23E+20
3.64E—26
2.32E-20 2.65E+20
2.72E+20 2.66E+20
2.34E—20
1.89E—20
1.62E—20
1.46E-20 1.44E+20
1.42E—20
1.29E-20 1.28E+20
8.92E—19
1.00E-03 1,17E20
1.06E-20 9.70E+19
2.00F-03 5.64F
3.00F-03 3.62F
2.00F03 2.61F
5.00k 03 2.01F
5.35F :9 3.09E119
03 1.34E-13
031.13E—13
5.00E-39.74E18
..41E+20
.25E+20
8,25E+19
4.63F:I19 4.23E I19
:9 3.37E119
9 2.7E1192.40F
2.3/F:I19 2.28F: I19
:9 1.92E:1 191.88F: 19
:9 1.5GE:1191.52F: 19
1.32E--9 1.20E+10
1.-IE-_9 1.1E+10
\.60E-.8 9:6E+18
1.00E—02 8.19E-18
7.48E-_8 6.65E+18
2.00E—02 3.24E-13
:.50F:119 177E:119
-.25E+19 1.23E+10
3.34E—20
1.80E—20
1.37F—20
1.22F—20
-.06E+19 1.05E+19
1.03E—_9
D.20E+18 9.08E+18
2.82E+182.64E-13
3.02E—_8
3,G0E-02 1.77E-18
1,68F—:8 1.60E+18
1.53E—18
24,00E-02 1,14E-18
1,09E-:8 1,05E+181.01E-18
5,00F-02 8.03F
6,00F-02 6.05F
7.00F—02 4.76F
S.00023.88F
S.00K02 3.24F
1.00E 01 2.77E-17
01 1.03E—17
3.00E 01 6.00E-16
:7 7.55E117
:7 5.75E117
:7 4.56E117
:.46E+18 1.20E+18
9,79E+17 9,2$E+17
7.12F: I17 6.,92E I17
3.47F:117 3.34E I17
4.37F:I17 4.28E 117
3.815:7 3.74F1 173.67F:17
3.60F:I 17 3.54E: I 17
3..95:7 3.14E1 173.09F:17
3.0/F:I17 2.99F:I17
2.40E--7 2.11E+17
1.88E—17
-.69E+17 1.53E+17
0.59E--6 9.01E+16
8.02E+16 7.60E+16
8.49E—16
5.76E--6 5.53E+16
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5.13E+16 4.91E+16
8.05E—28
2.47E—_8
2.20E—_8
1.34F—.8
9..4F—.7
277E-26
iiKAoNiKAca
7.11F:120 6.71F20
4.16F:I20 4.30F:20
3.25E+20 3.16E-20
2.55E+20 2.19E-20
2.09E+20 2.05E-20
-.77E+20 1.75E-20
2.5/E+20 1.52E-20
:.36E+20 1.34E-20
.21E+201.20E-20
$.72E+19 6.32E-13
4.07FI19 3.91E
2.86F 119 2.77E
2.17F:I19 2.11F.
-.72F:[19 1.69F1
:.11F:119 1.39F 19
-.19E+19 1.17E-13
-.02E+19 1.00E-13
3.83E+18 8.71E-13
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.28E+18 1.23E-18
8.82E+17 8.55E-17
6.55FI17 6.37E
5.10F/17 4.93E
4.12F I17 4.03F
3.42F:117 3.36F
2.90F:[17 2.85F
-.2$E+17 1.18E-17
6.86E+16 6.56E-16
4.61E+16 4.47E-16
6.36F:120免费标准下载网bzxz
4.15F:1 20
3.76F:119
2.69F:119
2.06F:119
1.65F:119
1.36F:119
6.21E:117
4.87F:117
3.96F:117
2.81F:117
电阻率
4.00F:100
5.00F:100
6.00F:100
7.00F:100
8.00F:100
7.00F:101
-6 4.07E16
-6 3.1316
2.17E—_6
1.64E—6
62E+16
3IE+16
6,95E-:5 $.61E+15
4.56E-:5 4.41E+15
-5 3.31F115
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-5 2.21F115
25:.89F115
25:.66F115
1.49E—_5
1.34E—_5
.22E+15
6.67E—_4
1.41E—4
3.33E—1
2.66E-—:4
218F+14
:4 :.64F114
1.33E :1 :.21F:1 1
:.00F:102
:3 5.34F113
..00E+03
4.43E--3 4.20E+13
3.33E-_3 3.24E+13
2.66E—_3 2.61E+13
2.22E--3 2.18E+13
.87E+13
..64E+1:
.46E+1:
2.49E—16
2.10E—16
2.27E—15
2.15E—14
2.16E—13
3.17E—13
2.56E—13
1.85E—13
表A.1（续）
6.,01F-.5
4,14F—:5
2.51E—-3
9.55E—1
3.02E—13
2.01E—16
3.89E—15
1.41E—15
3.81E—14
2,05F-
.72E+16
.53E+16
2.41F:115
2.04F:115
.77115
.56F:1 15
.39F11
8.32F:113
±.12F:113
3.80E—13
2.96E—13
2.42E—13
2.05E—13
1,55E—13
.55E+13
.39E+13
GB/T 13389—2014
1.95E—16
5.09E—15
3.68E—15
1.38E—15
4.94E—14
3.60E—14
2.53E—13
2.33E—13
1.53E—13
2.24E—_6
1.92E—_6
1.68E—_6
.58E—
7.42E—_4
2.29E—_3
1,51E—
1.89E—15
1.17E—16
7.34E—15
4.72E—15
3.48E—15
1.35E—15
3.12E—14
2.72E—14
2.71E—13
2.25E—13
1.03E—13
1.68E—13
1.49E—13
1.34E—13
GB/T13389—2014
电阻率
03 6.05F.
.00E-03 3.33E-12
2.66E—12
6.00E-03 2.22E-12
7.00E-03 1.J0E-12
8.00E—03 1.66E-12
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1.00E-04 1.33E-12
5.00K 2.66F
7.00E-04 1.00E-1
S.00E—04
9.00E-04 1.48E-1.
5E:112
SE:112
表A.1（续）
-2 6.05E.112
4.1GE1 12
3.24E—.2
2._8E—_2
1.87E—_2
23.09E-12
1.82E—12
1.64E—.2
1.46E-:2 1.,45E+12
2.5GE:1 11
2.15E: 1 11
1.87E--1 1.55E+11
5.5/F:12 5.32E. I 12
.58E+12
:.41E+12 1.20E+12
5.52F:111
3.91F:1 11
3,8OE11
3.02F:I11 2.96E I11
2.46F:I11 2./2E. I11
2.0SF:I 11 2.04F:I11
120E+11
1.75E—-2
1.39E—:2
掺硼硅单晶从掺杂剂浓度换算电阻率0.3
034.0NE103
033.11E103
1.84E—03
1.61E—03
1.43E—03
2.51E. 1 03
2.11E:103
4.22F—02
3..9E—02
1.40E—03
6.68E—02
3.04E—02
5.42E:103
3.82FI03 3.73E 103
2.97F:I 03 2.90E I 03
2.42F:103 2.37F:103
2.0/F:103 2.0.E:103
3,74E+02
iiKAoNiKAca
4.93F:112 1.73F.
3.5SF112 3.50F.
2.83E+12 2.77E-12
2.33E+12 2.29E-12
2.95E+121.U6E-12
-.73E+12 1.7IE-12
-.53E+12 1.51E-12
:.3/E+12 1.36E-12
7.82E+11 7.39E-1.
4.93FI11 4.75F
3.59FI11 3.50F
2.83FI11 2.77F
2.33F:I11 2.29F
-.95F:I11 1.96F.
-.73E+11 1.7IE-1-
2.53E+11 1.51E-1
-.37E+11 1.36E-1-
3.53FI03 3.44F
2.7$F103 2.72F
2.2SF:103 2.23F.
.95F:1031.92F
-.70E+03 1.67E-03
2.50E+03 1.48E-03
-.35E+03 1.33E-03
7.68E+027.26E-02
4.67E—02
3,53E+02 3.44E-02
2.72E—02
4.59F:112
3.11F:112
4.59F:111
3.41F:111
2.71E:111
2.25F:111
1.93F:111
4.50F:103
2.66F:103
2.21F:103
1.89F:103
3,35E+02
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